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公开(公告)号：CN103280398A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310208785.7
申请日：2013-05-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明公开了一种制备横向石墨烯PN结的方法，属于半导体器件及薄膜晶体生长领域领域。该发明首先在SiC衬底上制备n型掺杂的石墨烯，然后对石墨烯进行选择处理，包括掩膜或图形化处理或预沉积适量的p型掺杂元素，最后在氢气气氛或真空下进行退火，控制退火时间与温度，得到横向石墨烯PN结。该方法是通过对SiC衬底与石墨烯的界面控制，实现石墨烯掺杂类型、掺杂浓度的控制；与化学掺杂或静电调制等手段实现石墨烯PN结相比，该方法避免了化学掺杂带来的污染和晶格破坏，同时石墨烯PN结尺寸可控，且制备工艺简单。该方法为研究石墨烯PN结的新奇特性和实现各种石墨烯功能器件奠定了基础。
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公开(公告)号：CN103280395A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310184128.3
申请日：2013-05-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种热退火法在金刚石表面制作氢端基导电沟道的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将多晶金刚石基片放入化学气相沉积设备反应室内，将反应室抽真空；（2）将反应室进行升温，并保持一段时间，去除多晶金刚石基片表面的杂质和有机物残留；（3）向反应室内通入氢气，在氢气气氛内，将多晶金刚石基片升温，恒温保持一段时间；（4）降低氢气流量，将多晶金刚石基片在氢气气氛内降温至室温后取出，关闭所有气体源。所述方法既可以在金刚石表面有效地形成C-H键，实现导电沟道，又可以保证金刚石表面的光滑平整，处理前后粗糙度基本不变，提高了载流子的迁移率。
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公开(公告)号：CN103280394A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310183856.2
申请日：2013-05-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种在金刚石表面制作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法，包括以下步骤：一、在衬底上形成高阻金刚石层；二、在高阻金刚石层的上表面经处理形成氢端基金刚石；三、将上述样品置于含有极性分子的气体、溶液或溶胶中处理，使氢端基金刚石中的氢端基充分吸附含有极性分子的气体、溶液或溶胶中的极性分子或官能团，从而在氢端基金刚石下表面10-20nm处形成p型导电沟道，在氢端基金刚石的上表面形成极性分子吸附层；四、将上述样品取出后常温淀积介质阻挡层。所述方法可使p型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率在20℃-500℃范围内保持稳定，进而实现金刚石器件在高温环境下正常工作。
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公开(公告)号：CN101246899B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200810054651.3
申请日：2008-03-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/24 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅器件制备的碳化硅二次外延材料结构，包括：一碳化硅单晶体衬底，一位于衬底表面的一次同质外延层，一位于一次同质外延层表面的二次外延层，其中一次同质外延层包括p型碳化硅缓冲层、n型碳化硅有源层以及非故意掺杂的本征碳化硅层。相对于采用一般结构的MESFET(金属场效应管)而言，采用二次外延方式制备得到的MESFET具有源漏电阻小、欧姆接触面积大、管内工作区域电场分布均匀等优点，可以提高跨导，提高器件的工作电压以及功率。同时，大大简化了器件制备的工艺，保证了器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN101246899A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810054651.3
申请日：2008-03-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/24 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅器件制备的碳化硅二次外延材料结构，包括：一碳化硅单晶体衬底，一位于衬底表面的一次同质外延层，一位于一次同质外延层表面的二次外延层，其中一次同质外延层包括p型碳化硅缓冲层、n型碳化硅有源层以及非故意掺杂的本征碳化硅层。相对于采用一般结构的MESFET(金属场效应管)而言，采用二次外延方式制备得到的MESFET具有源漏电阻小、欧姆接触面积大、管内工作区域电场分布均匀等优点，可以提高跨导，提高器件的工作电压以及功率。同时，大大简化了器件制备的工艺，保证了器件的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119170652A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411135378.2
申请日：2024-08-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/808 , H01L29/423 , H01L29/36 , H01L21/337
Abstract: 本发明提供了一种凹槽栅delta掺杂金刚石结型场效应晶体管及其制备方法，属于半导体器件及制造方法技术领域，凹槽栅delta掺杂金刚石结型场效应晶体管包括金刚石衬底、i‑p++‑i三层delta掺杂结构、源电极、漏电极、N型掺杂单晶金刚石外延薄膜和凹槽栅极，制备方法包括依次制备上述结构。本发明提供的一种凹槽栅delta掺杂金刚石结型场效应晶体管及其制备方法，i‑p++‑i三层delta掺杂结构具备高载流子浓度和高迁移率的掺杂沟道，能形成PN结来耗尽沟道载流子，能有效调控器件开关，而且在栅漏漂移区内，形成纵向PN结能够调制电场分布，有效提高器件击穿电压，能避免形成空间电荷区导致寄生电阻增大，通过凹槽栅极可以在实现上述结构的同时，调制电场提高器件击穿电压。
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公开(公告)号：CN118969834A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411089232.9
申请日：2024-08-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种用于研制氮化镓开关和功率放大器的HEMT器件及制备方法。该HEMT器件包括：衬底、缓冲层，多个组合层、源极、漏极、漏极和钝化层；多个组合层内部设有第一凹槽和第二凹槽；第一凹槽设于多个组合层中最底层的势垒层上方至多个组合层中最顶层的势垒层上方；第二凹槽在第一凹槽靠近漏极的一侧的底部向下延伸至组合层中最底层的势垒层内部；栅极，设于第一凹槽内，且顶面高于多个组合层中最顶层的势垒层上方，栅极的一侧贴在靠近源极的第一凹槽的一侧，栅极的另一侧与靠近源极的第二凹槽的一侧在同一垂直线上。本发明能够提升HEMT器件电流密度、降低器件导通电阻以及改善HEMT器件的耐压性能。
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公开(公告)号：CN118957750A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411028016.3
申请日：2024-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种氮化铝/金刚石异质结材料及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括氢处理金刚石衬底表面，得到氢终端金刚石；在氢终端金刚石表面外延氮化铝薄膜。本发明采用微波等离子体化学气相沉积以及脉冲激光沉积法生长氮化铝薄膜的制备方式，实现了材料功能层不受器件工艺过程的损害，从而提升了材料电性能及器件性能稳定性，有利于制备高质量的金刚石器件。
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公开(公告)号：CN118109900A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311710823.9
申请日：2023-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种金刚石氮化铝异质结外延材料制备方法，该方法包括：在氢气气氛下对单晶立方结构的金刚石衬底进行热处理，得到表面修复后的金刚石衬底，其中，金刚石衬底为001晶向。将表面修复后的金刚石衬底在氢等离子体中进行氢处理，在金刚石衬底表面形成C‑H键，得到氢处理后的金刚石衬底。在氢处理后的金刚石衬底表面生长立方结构的氮化铝，制备得到立方结构的金刚石氮化铝异质结外延材料。本发明采用001晶向的立方结构金刚石衬底进行外延生长，可制备得到立方结构氮化铝，形成金刚石氮化铝异质结。制备得到的立方金刚石/立方氮化铝的异质结晶格匹配度高、异质结界面外延缺陷少，提升了金刚石氮化铝异质结外延材料的导电性能。
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公开(公告)号：CN118046257A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410120146.3
申请日：2024-01-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了氧化镓衬底减薄方法、衬底及超宽禁带半导体，该方法包括：将待减薄的氧化镓衬底放置于晶圆中心预制的孔洞中；孔洞的尺寸与待减薄的氧化镓衬底的尺寸相同；将待减薄的氧化镓衬底和晶圆固定于载物盘上；依次对待减薄的氧化镓衬底的背面和晶圆的背面进行研磨处理和抛光处理；取出完成抛光处理的待减薄的氧化镓衬底和晶圆，得到完成减薄的氧化镓衬底。本申请以实现对氧化镓衬底的持续减薄，能够减薄至100μm以下且具有较高的成品率。
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