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公开(公告)号：CN110245753A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910445413.3
申请日：2019-05-27
Applicant: 东南大学
IPC: G06N3/08
Abstract: 本发明涉及人工智能神经网络技术领域，具体公开一种基于幂指数量化的神经网络压缩方法。该方法，在外部数据集上训练卷积神经网络后获取该网络的初始化权值参数；根据权值参数绝对值的大小以及分组阈值将权值参数分为两组，绝对值超过阈值的一组基于预先设定的位宽及绝对值最大的权值参数量化大于分组阈值的一组权值参数，将权值参数量化为2的幂或者0；对小于分组阈值的权值参数再训练后执行分组再量化的循环操作，直至网络收敛。本发明在保证参数的取值范围不被压缩的同时在一定程度上减小量化对最终目标检测准确率的影响，解决了量化后准确率下降过多以及硬件实现难度大的问题。
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公开(公告)号：CN107276484B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201710580238.X
申请日：2017-07-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种高速无位置传感器开关磁阻电机的控制方法及其系统，针对励磁相相电流的峰值时刻会与转子到达该励磁相定转子齿交叠点位置时刻之间存在偏移量的实际情况，对传统的相电流梯度法中将励磁相相电流峰值时刻直接作为该励磁相定转子齿交叠点位置时刻的方法加以修正，以得到该励磁相正确的定转子齿交叠点位置,从而更加准确地估算出开关磁阻电机励磁相的关断时刻和下一励磁相的开通时刻，实现更为精准地高速无位置传感器开关磁阻电机控制。
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公开(公告)号：CN110190113A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910410221.9
申请日：2019-05-16
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 一种消除负阻效应的阳极短路型横向绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有氧化层埋层，在氧化层埋层上设有N型漂移区，其特征在于，在N型漂移区的表面设有二氧化硅氧化层，在N型漂移区内设有LIGBT和NMOS，所述LIGBT包括第一N型重掺杂区，在第一N型重掺杂区内设有P型重掺杂阳极区，所述NMOS包括第二N型重掺杂区，在第二N型重掺杂区内设有P型阱区，在P型阱区内包围有N型重掺杂阳极区，所述第二N型重掺杂区与P型阱区电连接，在二氧化硅氧化层内设有多晶硅栅且所述多晶硅栅自N型重掺杂阳极区的上方区域跨过P型阱区并进入第二N型重掺杂区的上方区域，所述多晶硅栅还与N型重掺杂阳极区及P型重掺杂阳极区连接。
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公开(公告)号：CN110176498A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910366654.9
申请日：2019-04-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/16 , H01L29/10 , H01L21/263 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一种低导通电阻的沟槽碳化硅功率器件及其制造方法。其元胞结构包括，N型衬底，N型外延层，沟槽，沟槽侧壁设有石墨烯层，沟槽内部设有栅氧化层和多晶硅栅，多晶硅栅上方设有钝化层，沟槽两侧设有P型体区、N型源区和P型体接触区，石墨烯层下方设有P型屏蔽层，源区上表面设有源极金属，衬底下表面设有漏极金属。本发明使用电子束法，以金属和碳源气体辅助，在沟槽侧壁生长石墨烯层。本发明特征在于，沟槽侧壁的石墨烯层，降低了导通电阻。石墨烯层下方的屏蔽层，屏蔽了在器件关断状态时流过石墨烯层的电流，提升器件关断特性。使用了金属镍和碳源气体辅助生长石墨烯层，提高了石墨烯层的均匀性、厚度和生长速率。
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公开(公告)号：CN109860301A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910055795.9
申请日：2019-01-21
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种低反向恢复电荷SJ-VDMOS器件，包括N+型衬底，在其下表面设有第一金属漏电极，N+型衬底上方设有N型外延层、P型外延层和P柱，P型外延层内设有纵向沟槽栅，P型外延层表面设有第一P+区域及第一N+区域并且设有第一金属源电极和第一金属栅电极，其特征在于，P型外延层内设有SiO2隔离层以隔离形成低压PMOS区并在其内置有低压PMOS管，低压PMOS管包括N型区域，N型区域一侧设有P+区域及第二金属漏电极，另一侧设有第二P+区域、第二N+区域及第二金属源电极，N型区域表面设有栅氧及横向多晶硅栅，横向多晶硅栅与第二金属漏电极及各第一金属源电极连接，P型外延层表面设有层间隔离介质。本发明通过引入电子沟道续流机制，显著降低反向恢复电荷Qrr。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024876B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610576522.5
申请日：2016-07-19
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种用于消除回滞现象的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管器件，在提高传统结构关断速度的情况下，消除了回滞现象。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型漂移区，其两侧设有N型缓冲区阵列和P型体区，在N型缓冲区列阵的各个N型缓冲区内设有重掺杂P型集电极区，在相邻的重掺杂P型集电极区之间设有第一N型重掺杂区，P型体区内设有P型阱区，P型阱区设有重掺杂P型发射极区，重掺杂P型发射极区周边设有重掺杂N型发射区，在N型漂移区内设有氧化层隔离沟槽，所述沟槽与器件边界共同形成一N型漂移区的局部封闭区，各第一N型重掺杂区分别被氧化层隔离沟槽包围且相邻的重掺杂P型集电极区与N型重掺杂区被氧化层隔离沟槽隔离。
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公开(公告)号：CN109214263A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810702467.9
申请日：2018-06-30
Applicant: 东南大学
IPC: G06K9/00
Abstract: 本发明公开了一种基于特征复用的人脸识别方法，属于计算推算的技术领域，尤其涉及人脸识别的计算机视觉技术领域。该方法利用外部数据集训练人脸特征提取器，通过多次等步长卷积及特征图拼接的方式分级提取本地数据集中各成员对应的参考特征以构成参考特征空间，对比待测试样本的特征向量和参考特征以确定与待测试样本的特征向量最相似的参考特征，在与待测试样本的特征向量最相似的参考特征满足阈值要求时，以与待测试样本的特征向量最相似的参考特征所属成员的身份为待测试样本的身份，否则，返回待测试样本身份识别失败的消息，以较少的计算资源实现了人脸的快速识别。
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公开(公告)号：CN109067181A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810788897.7
申请日：2018-07-18
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种有源钳位反激变换器的自适应同步整流控制系统及控制方法；控制系统包括采样及信号处理电路、以微控制器为核心的控制电路和栅驱动器；控制方法能够实现有源钳位反激变换器副边同步整流管的开启状态、关断过早、关断过晚、恰好关断状态的直接检测，并能够根据检测结果控制同步整流管准确开启以及下一个周期内同步整流管的导通时间。经过数个周期的自适应控制后，同步整流管进入恰好关断状态，避免了有源钳位反激变换器输出波形的振荡、降低了损耗、提升了效率；根据不同状态检测时间段，分时复用微控制器内部的比较器，节省了硬件资源，降低了电路成本和调试难度。
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公开(公告)号：CN108807541A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810537122.2
申请日：2018-05-29
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种具有交错叉指式浅槽隔离结构的横向半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有高压N型区，在高压N型区的上方设有N型漂移区和P型体区，在N型漂移区内设有N型漏区和三个浅槽隔离区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在高压N型区上还设有U形栅氧化层且所述栅氧化层的U形开口朝向漏端并且两端分别延伸至P型体区的上方和浅槽隔离区的上方，在栅氧化层的上方设有多晶硅栅场板，在N型漏区、N型源区和P型区的上表面分别设有漏极金属接触、源极金属接触和体区金属接触，其特征在于，所述的浅槽隔离区在漂移区内呈交错叉指式排列。本发明结构能够在击穿电压不变的基础上，获得较低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN105978123B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201610393244.X
申请日：2016-06-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种移相全桥式车载充电机死区时间动态调节系统，包括输入整流滤波模块、移相全桥主功率模块、输入电压采样模块、输出电流采样模块、栅驱动模块、STM32单片机控制模块。STM32单片机通过其内部的ADC将输入电压采样模块和输出负载电流采样模块得到的采样信息传递给CPU，CPU利用此采样信息与预先设定的参考值进行比较，判断出该车载充电机处于何种工作状态，根据不同的工作状态，分别对控制芯片内部的定时器进行不同的配置，使得移相全桥变换器滞后桥臂的死区时间能够根据负载状态进行动态调节。本发明在车载充电机的整个充电过程中均能够实现零电压开关，降低了开关管的开关损耗，提高了系统的整体效率。
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