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公开(公告)号：CN110176498B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201910366654.9
申请日：2019-04-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/16 , H01L29/10 , H01L21/263 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一种低导通电阻的沟槽碳化硅功率器件及其制造方法。其元胞结构包括，N型衬底，N型外延层，沟槽，沟槽侧壁设有石墨烯层，沟槽内部设有栅氧化层和多晶硅栅，多晶硅栅上方设有钝化层，沟槽两侧设有P型体区、N型源区和P型体接触区，石墨烯层下方设有P型屏蔽层，源区上表面设有源极金属，衬底下表面设有漏极金属。本发明使用电子束法，以金属和碳源气体辅助，在沟槽侧壁生长石墨烯层。本发明特征在于，沟槽侧壁的石墨烯层，降低了导通电阻。石墨烯层下方的屏蔽层，屏蔽了在器件关断状态时流过石墨烯层的电流，提升器件关断特性。使用了金属镍和碳源气体辅助生长石墨烯层，提高了石墨烯层的均匀性、厚度和生长速率。
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公开(公告)号：CN110416284B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201910653705.6
申请日：2019-07-18
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06
Abstract: 一种沟槽型半导体功率器件终端保护结构及功率器件，其功率器件结构包括第一导电类型衬底、第一导电类型缓冲层、第一导电类型漂移区，且在第一导电类型漂移区内设有原胞区和终端保护区，在原胞区外部设有主分压环、次分压环和第一导电类型截止环，在分压环的下方设有第二导电类型屏蔽保护层，该结构特征在于，在相邻的分压环之间设有第二导电类型阱区，且各分压环与第二导电类型阱区之间由第一导电类型漂移区隔离，该结构在形成耗尽层辅助耐压的同时，可以避免相邻分压环之间的电位影响，有效减小了分压环氧化层中的电场强度，提升了终端保护结构的耐压能力，且该结构与原有的制造工艺兼容，在保持成本不变的情况下提高了器件的整体性能。
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公开(公告)号：CN110416284A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910653705.6
申请日：2019-07-18
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06
Abstract: 一种沟槽型半导体功率器件终端保护结构及功率器件，其功率器件结构包括第一导电类型衬底、第一导电类型缓冲层、第一导电类型漂移区，且在第一导电类型漂移区内设有原胞区和终端保护区，在原胞区外部设有主分压环、次分压环和第一导电类型截止环，在分压环的下方设有第二导电类型屏蔽保护层，该结构特征在于，在相邻的分压环之间设有第二导电类型阱区，且各分压环与第二导电类型阱区之间由第一导电类型漂移区隔离，该结构在形成耗尽层辅助耐压的同时，可以避免相邻分压环之间的电位影响，有效减小了分压环氧化层中的电场强度，提升了终端保护结构的耐压能力，且该结构与原有的制造工艺兼容，在保持成本不变的情况下提高了器件的整体性能。
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公开(公告)号：CN110176498A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910366654.9
申请日：2019-04-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/16 , H01L29/10 , H01L21/263 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一种低导通电阻的沟槽碳化硅功率器件及其制造方法。其元胞结构包括，N型衬底，N型外延层，沟槽，沟槽侧壁设有石墨烯层，沟槽内部设有栅氧化层和多晶硅栅，多晶硅栅上方设有钝化层，沟槽两侧设有P型体区、N型源区和P型体接触区，石墨烯层下方设有P型屏蔽层，源区上表面设有源极金属，衬底下表面设有漏极金属。本发明使用电子束法，以金属和碳源气体辅助，在沟槽侧壁生长石墨烯层。本发明特征在于，沟槽侧壁的石墨烯层，降低了导通电阻。石墨烯层下方的屏蔽层，屏蔽了在器件关断状态时流过石墨烯层的电流，提升器件关断特性。使用了金属镍和碳源气体辅助生长石墨烯层，提高了石墨烯层的均匀性、厚度和生长速率。
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