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公开(公告)号：CN114725091B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210361085.0
申请日：2022-04-07
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L27/085 , H01L29/778 , H01L29/20
Abstract: 一种实现氮化镓CMOS逻辑电路的结构，包括：实现P沟道氮化镓晶体管：从下到上顺序设有衬底、氮化铝成核层、铝镓氮缓冲层、第一铝镓氮势垒层、氮化镓沟道层，氮化镓沟道层上方设有第三铝镓氮势垒层、钝化层、金属源极、金属漏极，第三铝镓氮势垒层上方设有栅极介质层，栅极介质层上方设有栅极金属。实现N沟道氮化镓晶体管：从下到上顺序设有衬底、氮化铝成核层、铝镓氮缓冲层、第一铝镓氮势垒层、氮化镓沟道层、第二铝镓氮势垒层，第二铝镓氮势垒层上方设有P型氮化镓层、钝化层、金属源极、金属漏极，P型氮化镓层上方设有栅极金属。本发明实现P沟道和N沟道氮化镓器件的增强型操作，减少散射对空穴迁移率影响，提高P沟道器件的输出电流。
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公开(公告)号：CN116979785A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310595098.9
申请日：2023-05-24
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H02M1/00
Abstract: 本发明公开了一种非对称可重构多相电源，由多组6相主相与2相可共享辅助相结合，具体包括至少2个主相降压变换器及1个辅助相降压变换器，主相辅助相降压变换器分别包括6相降压变换器和2相降压变换器，多相电源包括可重构通路开关、可重构通路开关控制电路及高动态非线性闭环控制电路，高动态非线性闭环控制电路采样每相电感电流和输出电压，产生含有占空比信息的PWM脉冲信号并用于控制主相和辅助相的输出电压；辅助相通过所述可重构通路开关耦合到对应的负载；可重构通路开关控制电路采用3个周期的状态机控制可重构通路开关，即：可重构通路开关断开负载切载后负载对应的可重构通路开关导通及切载完成后进入断开可重构通路开关。
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公开(公告)号：CN116683899A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310676953.9
申请日：2023-06-08
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K17/04 , H03K17/687 , H03K19/003 , H03K19/20
Abstract: 本发明提供一种基于氮化镓工艺的高可靠高速电平移位电路，包括电平转换模块、锁存模块、电压偏置模块、电流镜模块、加速上拉模块、抗dVSW/dt模块、输出级模块，可以克服传统氮化镓电平移位电路延时大和功耗高的问题。
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公开(公告)号：CN116632013A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310607008.3
申请日：2023-05-26
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于金属氧化物半导体薄膜晶体管的基准电压源电路结构及其制备方法。制备方案包括：获取衬底；在所述衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极介电层；在所述栅极介电层上形成IGZO有源层；在所述栅极介电层上形成ITO有源层；在所述栅极介电层上形成通孔；在所述IGZO/ITO有源层上形成源极、漏极。本发明还提供了一种基于金属氧化物半导体薄膜晶体管的基准电压源结构，包括增强型IGZO薄膜晶体管(M1)、耗尽型ITO薄膜晶体管(M2)。创新地利用增强型IGZO薄膜晶体管、耗尽型ITO薄膜晶体管提供了一种柔性基准电压源电路的方案和思想。
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公开(公告)号：CN116525684A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310595665.0
申请日：2023-05-25
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/786 , G05F1/56 , H01L21/336 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种基于IGZO薄膜晶体管的低压差线性稳压器及其制备方法。制备方案包括：获取衬底；在所述衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极介电层；在所述栅极介电层上形成IGZO有源层；在所述栅极介电层上形成通孔；在所述IGZO有源层上形成源极、漏极；对部分薄膜晶体管的IGZO有源层进行局部氢等离子体处理，形成耗尽型薄膜晶体管。本发明还提供了一种基于IGZO薄膜晶体管的LDO电路，包括基准电压子电路，误差放大子电路和调整管及反馈网络。对传统CMOS拓扑结构进行了改进，创新地利用增强型、耗尽型两种工作模式的n型IGZO薄膜晶体管实现一种柔性电源管理模块的方案和思想。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116345859A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310328443.2
申请日：2023-03-30
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明是一种具有死区时间控制功能的多路栅极驱动电路，该驱动电路包括PWM发生器(1)、MOS驱动网络(2)、多绕组隔离变压器(3)、钳位电路(4)和死区时间控制电路(5)；MOS驱动网络(2)的输出经过多绕组隔离变压器(3)输出给钳位电路(4)，钳位电路(4)的输出信号作为LLC‑DCX拓扑原边的栅驱动信号；死区时间控制电路(5)用于调整死区时间，实现LLC‑DCX软开关，减少开关切换状态的能量损失。使得死区时间可控，可以提供多路栅极驱动信号，同时降低了驱动损耗，提高了系统稳定性。
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公开(公告)号：CN114157145B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111439320.3
申请日：2021-11-30
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种DC‑DC开关电源的电感电流预估方法，包括电压采样模块、数据转换模块、开关信号计数模块、电感电压计算模块和数字滤波器模块；输入电压和输出电压经过电压采样模块和数据转换模块，得到位数相同的转换后的输入电压和转换后的输出电压；节点电压与参考电压进行比较，再通过开关信号计数模块得到占空比；然后电感电压计算模块输出电感和寄生阻两端的电压平均值，再经过数字滤波器模块最终得到预估的电感电流；本发明在只采样输入和输出电压的情况下，能准确估算出实时电感电流，且不需要增加额外的电阻、电容和运放等模拟采样电路，不需要远高于开关频率的高速ADC，可降低成本、减小电路体积，具有很高泛用性。
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公开(公告)号：CN115458609A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211239216.4
申请日：2022-10-11
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/36 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种高耐压、低导通电阻IGZO薄膜晶体管及其制备方法，通过在器件IGZO低阻漂移区部分进行氢离子掺杂，提高IGZO低阻漂移区内的载流子浓度，降低IGZO沟道导通电阻，显著降低因非栅控漂移区提升器件耐压而牺牲的电流密度，获得了更为优异的导通电阻与击穿电压间的关系，同时相比传统砷离子掺杂、双栅结构等工艺，本发明降低了实验温度、简化了工艺步骤，极大地提升漂移区电流能力。
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公开(公告)号：CN114759093A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210380955.9
申请日：2022-04-11
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明是一种低导通电阻的双栅横向双扩散金属氧化物半导体器件，在P型体区(11)内设有N型源区(12)、P型源区(13)和沟槽多晶硅栅极(8)，所述沟槽多晶硅栅极(8)位于N型源区(12)内，沟槽多晶硅栅极向下延伸至高压N型区(2)并且沟槽底部向N型漏区(4)方向延伸一定长度形成L型沟槽栅结构。本发明器件通过改变沟槽栅的电流路径，克服了传统结构中平面栅电流对沟槽栅电流的“挤压效应”。此外，延展至漂移区体内的沟槽栅上表面形成的电子积累层，进一步增加了电流密度。而且，由于延展至体内的沟槽栅极远离器件表面，未引入新的电场峰值，从而可实现同等击穿电压下更高的电流密度。
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公开(公告)号：CN114551379A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210143845.0
申请日：2022-02-17
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/433 , H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种具有高效散热性能的芯片散热器，包括：装置本体，在装置本体上设有流体凹槽、流体入口，流体凹槽内设有流体出口，流体凹槽连接流体流出通道，流体流出通道与芯片嵌入凹面上层散热层相连接。芯片嵌入凹面上设有流速挡板和喷射微孔道，喷射微孔道与芯片嵌入凹面下层流体流入层相连接。芯片内嵌于芯片嵌入凹面。流体凹槽为矩形凹槽，芯片嵌入凹面为正方形，流体出口、流体入口均为圆柱形，喷射微孔道为圆柱形。装置主体所使用的耐腐蚀金属材料为铜Cu、银Ag或金Au。本发明提供的一种高效散热性能的芯片散热器通过液体冷却，散热效率高，传热系数大，工作稳定性好，适用范围广。
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