公开(公告)号：CN116632013A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310607008.3

申请日：2023-05-26

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 吴汪然 ,  张宇振 ,  俞祚旭 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明提供一种基于金属氧化物半导体薄膜晶体管的基准电压源电路结构及其制备方法。制备方案包括：获取衬底；在所述衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极介电层；在所述栅极介电层上形成IGZO有源层；在所述栅极介电层上形成ITO有源层；在所述栅极介电层上形成通孔；在所述IGZO/ITO有源层上形成源极、漏极。本发明还提供了一种基于金属氧化物半导体薄膜晶体管的基准电压源结构，包括增强型IGZO薄膜晶体管(M1)、耗尽型ITO薄膜晶体管(M2)。创新地利用增强型IGZO薄膜晶体管、耗尽型ITO薄膜晶体管提供了一种柔性基准电压源电路的方案和思想。

公开(公告)号：CN116525684A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310595665.0

申请日：2023-05-25

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 吴汪然 ,  张宇振 ,  俞祚旭 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/786 ,  G05F1/56 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供一种基于IGZO薄膜晶体管的低压差线性稳压器及其制备方法。制备方案包括：获取衬底；在所述衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极介电层；在所述栅极介电层上形成IGZO有源层；在所述栅极介电层上形成通孔；在所述IGZO有源层上形成源极、漏极；对部分薄膜晶体管的IGZO有源层进行局部氢等离子体处理，形成耗尽型薄膜晶体管。本发明还提供了一种基于IGZO薄膜晶体管的LDO电路，包括基准电压子电路，误差放大子电路和调整管及反馈网络。对传统CMOS拓扑结构进行了改进，创新地利用增强型、耗尽型两种工作模式的n型IGZO薄膜晶体管实现一种柔性电源管理模块的方案和思想。

公开(公告)号：CN119763482A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411924190.6

申请日：2024-12-25

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴汪然 ,  张宇振 ,  隋凯智 ,  俞祚旭 ,  孙伟锋

IPC: G09G3/32 ,  H05B45/325 ,  H05B45/345

Abstract: 本发明公开了一种基于氧化物半导体薄膜晶体管的像素驱动电路及驱动方法，包括PWM模块和与PWM模块连接的恒流驱动模块，在PWM模块中，使用高增益的逆变器提高电路响应速度，在恒流驱动模块，使用高载流子迁移率的沟道材料的驱动晶体管提高电路的电流能力，同时PWM模块和恒流驱动模块均包括阈值补偿电路，减小器件特性退化对电路性能的影响。本发明通过PWM调制和阈值电压补偿，在保证显示颜色不发生偏移的同时实现对显示亮度的控制，提高显示质量。