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公开(公告)号：CN114899196A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210669888.2
申请日：2022-06-14
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , H03K19/0185
Abstract: 本发明提供了一种基于IGZO薄膜晶体管的反相器及其制备方法，该方法包括：获取衬底；在衬底上形成栅电极层；在栅电极层上形成栅极介电层；在栅极介电层上形成IGZO有源层；在IGZO有源层上形成源极、漏极；对IGZO有源层进行局部氢等离子体处理。通过氢等离子体处理工艺实现氢掺杂，使反相器上拉网络中的n型增强型IGZO薄膜晶体管转变为n型耗尽型IGZO薄膜晶体管，相比于将栅漏短接的n型增强型IGZO薄膜晶体管作为上拉器件的反相器，本发明提供的反相器具有更高的增益和更大的摆幅；与此同时，该工艺简单快捷，便于操作，反应所用的气体源易获取，满足大规模工业生产的需求量。
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公开(公告)号：CN114883416A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210669192.X
申请日：2022-06-14
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , G05F1/567
Abstract: 本发明提供一种基于IGZO薄膜晶体管的基准电压源的制备方法，包括：获取衬底；在衬底上形成栅电极层；在栅电极层上形成栅极介电层；在栅极介电层上形成IGZO有源层；在IGZO有源层上形成源极、漏极；通过对薄膜晶体管的IGZO有源层进行局部氢等离子体处理，形成耗尽型薄膜晶体管。通过氢等离子体处理工艺实现氢掺杂，提升沟道载流子浓度，使n型增强型IGZO薄膜晶体管转变为n型耗尽型IGZO薄膜晶体管，该工艺简便快捷、兼容性好，易于实现大规模生产。本发明还提供了一种基于IGZO薄膜晶体管的基准电压源，包括电流源子电路与基准电压子电路，对传统CMOS拓扑结构进行了改进，创新地利用增强型、耗尽型两种工作模式的n型IGZO薄膜晶体管实现低线性灵敏度的基准电压源。
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公开(公告)号：CN116632013A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310607008.3
申请日：2023-05-26
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于金属氧化物半导体薄膜晶体管的基准电压源电路结构及其制备方法。制备方案包括：获取衬底；在所述衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极介电层；在所述栅极介电层上形成IGZO有源层；在所述栅极介电层上形成ITO有源层；在所述栅极介电层上形成通孔；在所述IGZO/ITO有源层上形成源极、漏极。本发明还提供了一种基于金属氧化物半导体薄膜晶体管的基准电压源结构，包括增强型IGZO薄膜晶体管(M1)、耗尽型ITO薄膜晶体管(M2)。创新地利用增强型IGZO薄膜晶体管、耗尽型ITO薄膜晶体管提供了一种柔性基准电压源电路的方案和思想。
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公开(公告)号：CN116525684A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310595665.0
申请日：2023-05-25
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/786 , G05F1/56 , H01L21/336 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种基于IGZO薄膜晶体管的低压差线性稳压器及其制备方法。制备方案包括：获取衬底；在所述衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极介电层；在所述栅极介电层上形成IGZO有源层；在所述栅极介电层上形成通孔；在所述IGZO有源层上形成源极、漏极；对部分薄膜晶体管的IGZO有源层进行局部氢等离子体处理，形成耗尽型薄膜晶体管。本发明还提供了一种基于IGZO薄膜晶体管的LDO电路，包括基准电压子电路，误差放大子电路和调整管及反馈网络。对传统CMOS拓扑结构进行了改进，创新地利用增强型、耗尽型两种工作模式的n型IGZO薄膜晶体管实现一种柔性电源管理模块的方案和思想。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115458609A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211239216.4
申请日：2022-10-11
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/36 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种高耐压、低导通电阻IGZO薄膜晶体管及其制备方法，通过在器件IGZO低阻漂移区部分进行氢离子掺杂，提高IGZO低阻漂移区内的载流子浓度，降低IGZO沟道导通电阻，显著降低因非栅控漂移区提升器件耐压而牺牲的电流密度，获得了更为优异的导通电阻与击穿电压间的关系，同时相比传统砷离子掺杂、双栅结构等工艺，本发明降低了实验温度、简化了工艺步骤，极大地提升漂移区电流能力。
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公开(公告)号：CN114361253A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111638905.8
申请日：2021-12-29
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/732 , H01L29/737 , H01L21/34 , H01L21/02 , H01L21/363 , C23C14/35 , C23C14/04 , C23C14/08 , C23C14/58
Abstract: 本发明涉及一种氧化物半导体双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：基底；集电极，位于所述基底上；n型集电区，形成于所述集电极之上；p型基区，形成于所述n型集电区之上；n型发射区，形成于所述p型基区之上；基极，形成于所述p型基区之上靠近边缘位置；发射极，位于所述n型发射区上。本发明还提供了一种半导体双极型晶体管的制备方法，所有材料制备均可通过磁控溅射实现，操作简单，工艺成本较低。在沉积氧化物半导体薄膜时，通过选择合适的磁控溅射工艺过程中氩气与氧气的通气比例，以及退火环境和氛围，成功调整了薄膜中电子或空穴的浓度，使该器件成功实现双极型晶体管的特性。
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公开(公告)号：CN119967868A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411924192.5
申请日：2024-12-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种复合型金属氧化物薄膜晶体管、制备方法及应用，该金属氧化物薄膜晶体管的有源层包括阈值负漂金属氧化物有源层和阈值正漂金属氧化物有源层，该两个氧化物并行排布且并联。本发明改善了由于应力引起薄膜晶体管阈值漂移带来的问题。本发明为柔性显示设备的驱动电路设计提供了一种成本可控，工艺简单，易于工业生产的方案。
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公开(公告)号：CN119763482A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411924190.6
申请日：2024-12-25
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/32 , H05B45/325 , H05B45/345
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化物半导体薄膜晶体管的像素驱动电路及驱动方法，包括PWM模块和与PWM模块连接的恒流驱动模块，在PWM模块中，使用高增益的逆变器提高电路响应速度，在恒流驱动模块，使用高载流子迁移率的沟道材料的驱动晶体管提高电路的电流能力，同时PWM模块和恒流驱动模块均包括阈值补偿电路，减小器件特性退化对电路性能的影响。本发明通过PWM调制和阈值电压补偿，在保证显示颜色不发生偏移的同时实现对显示亮度的控制，提高显示质量。
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公开(公告)号：CN113270479A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110544979.9
申请日：2021-05-19
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种高功率密度IGZO薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：第一基底、第二基底；第二基底位于第一基底上；栅电极，位于所述第二基底上；第一层栅介电层位于所述栅电极之上的一端；第二层栅介电层位于所述栅电极之上，其一端覆盖住第一层栅介电层，二者构成“阶梯型”栅介电层；铟镓锌氧化物IGZO有源层，位于所述“阶梯型”栅介电层上并覆盖住第一层栅介电层和第二层栅介电层；第一源电极、第二漏电极，位于铟镓锌氧化物IGZO有源层上相对两侧，其中第二漏电极位于第一层栅介电层之上方一侧，第一源电极位于远离第一层栅介电层的另一侧。与传统的提升薄膜晶体管栅介电层尺寸的方法相比，该薄膜晶体管可以显著提升功率密度。
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