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公开(公告)号：CN115458609A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211239216.4
申请日：2022-10-11
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/36 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种高耐压、低导通电阻IGZO薄膜晶体管及其制备方法，通过在器件IGZO低阻漂移区部分进行氢离子掺杂，提高IGZO低阻漂移区内的载流子浓度，降低IGZO沟道导通电阻，显著降低因非栅控漂移区提升器件耐压而牺牲的电流密度，获得了更为优异的导通电阻与击穿电压间的关系，同时相比传统砷离子掺杂、双栅结构等工艺，本发明降低了实验温度、简化了工艺步骤，极大地提升漂移区电流能力。
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公开(公告)号：CN114883416A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210669192.X
申请日：2022-06-14
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , G05F1/567
Abstract: 本发明提供一种基于IGZO薄膜晶体管的基准电压源的制备方法，包括：获取衬底；在衬底上形成栅电极层；在栅电极层上形成栅极介电层；在栅极介电层上形成IGZO有源层；在IGZO有源层上形成源极、漏极；通过对薄膜晶体管的IGZO有源层进行局部氢等离子体处理，形成耗尽型薄膜晶体管。通过氢等离子体处理工艺实现氢掺杂，提升沟道载流子浓度，使n型增强型IGZO薄膜晶体管转变为n型耗尽型IGZO薄膜晶体管，该工艺简便快捷、兼容性好，易于实现大规模生产。本发明还提供了一种基于IGZO薄膜晶体管的基准电压源，包括电流源子电路与基准电压子电路，对传统CMOS拓扑结构进行了改进，创新地利用增强型、耗尽型两种工作模式的n型IGZO薄膜晶体管实现低线性灵敏度的基准电压源。
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公开(公告)号：CN114361253A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111638905.8
申请日：2021-12-29
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/732 , H01L29/737 , H01L21/34 , H01L21/02 , H01L21/363 , C23C14/35 , C23C14/04 , C23C14/08 , C23C14/58
Abstract: 本发明涉及一种氧化物半导体双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：基底；集电极，位于所述基底上；n型集电区，形成于所述集电极之上；p型基区，形成于所述n型集电区之上；n型发射区，形成于所述p型基区之上；基极，形成于所述p型基区之上靠近边缘位置；发射极，位于所述n型发射区上。本发明还提供了一种半导体双极型晶体管的制备方法，所有材料制备均可通过磁控溅射实现，操作简单，工艺成本较低。在沉积氧化物半导体薄膜时，通过选择合适的磁控溅射工艺过程中氩气与氧气的通气比例，以及退火环境和氛围，成功调整了薄膜中电子或空穴的浓度，使该器件成功实现双极型晶体管的特性。
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公开(公告)号：CN114899196A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210669888.2
申请日：2022-06-14
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , H03K19/0185
Abstract: 本发明提供了一种基于IGZO薄膜晶体管的反相器及其制备方法，该方法包括：获取衬底；在衬底上形成栅电极层；在栅电极层上形成栅极介电层；在栅极介电层上形成IGZO有源层；在IGZO有源层上形成源极、漏极；对IGZO有源层进行局部氢等离子体处理。通过氢等离子体处理工艺实现氢掺杂，使反相器上拉网络中的n型增强型IGZO薄膜晶体管转变为n型耗尽型IGZO薄膜晶体管，相比于将栅漏短接的n型增强型IGZO薄膜晶体管作为上拉器件的反相器，本发明提供的反相器具有更高的增益和更大的摆幅；与此同时，该工艺简单快捷，便于操作，反应所用的气体源易获取，满足大规模工业生产的需求量。
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公开(公告)号：CN110729253A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910861731.8
申请日：2019-09-11
Applicant: 东南大学
IPC: H01L23/10 , H01L23/367 , H01L29/739
Abstract: 本发明提出了一种可引入双轴应变的IGBT压接式压装结构，包含发射极金属电极板、发射极凸台、银片、下钼片、IGBT芯片、上钼片和集电极金属电极板。所述的下钼片为一侧是平面一侧为球面，其中面向芯片一侧为向外突出的球面，面向发射极电极板一侧为平面；所述的上钼片一侧为平面一侧为球面，其中面向芯片一侧为向内凹陷的球面，面向集电极电极板的一侧为平面。可通过调节上钼片与下钼片球面一侧的曲率，来改变压接在其中间IGBT芯片的曲率，在不损坏IGBT芯片的前提下，可使其获得不同大小的双轴应力，其中所述的IGBT芯片集电极应面向上钼片，而发射极与源极则面向下钼片。本发明可降低器件的导通压降并提升器件的电流能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110729253B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910861731.8
申请日：2019-09-11
Applicant: 东南大学
IPC: H01L23/10 , H01L23/367 , H01L29/739
Abstract: 本发明提出了一种可引入双轴应变的IGBT压接式压装结构，包含发射极金属电极板、发射极凸台、银片、下钼片、IGBT芯片、上钼片和集电极金属电极板。所述的下钼片为一侧是平面一侧为球面，其中面向芯片一侧为向外突出的球面，面向发射极电极板一侧为平面；所述的上钼片一侧为平面一侧为球面，其中面向芯片一侧为向内凹陷的球面，面向集电极电极板的一侧为平面。可通过调节上钼片与下钼片球面一侧的曲率，来改变压接在其中间IGBT芯片的曲率，在不损坏IGBT芯片的前提下，可使其获得不同大小的双轴应力，其中所述的IGBT芯片集电极应面向上钼片，而发射极与源极则面向下钼片。本发明可降低器件的导通压降并提升器件的电流能力。
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公开(公告)号：CN112635332A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910949865.5
申请日：2019-10-08
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/34 , H01L21/02 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种IGZO薄膜晶体管及其制造方法，所述方法包括：获取基底；通过溶液工艺在所述基底上形成IGZO层；通过自旋掺杂工艺在所述IGZO层表面掺杂V族杂质；在所述IGZO层的一侧形成源极、另一侧形成漏极，并在所述掺杂后的IGZO层上形成栅介电层；在所述栅介电层上形成栅极。本发明的IGZO层通过溶液工艺形成，并通过自旋掺杂工艺在沟道区表面掺杂V族杂质，能够提高沟道载流子浓度，从而提高器件工作电流密度；且由于掺杂采用溶液工艺，相比于离子注入等工艺不会造成IGZO层表面损伤。
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公开(公告)号：CN113270479A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110544979.9
申请日：2021-05-19
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种高功率密度IGZO薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：第一基底、第二基底；第二基底位于第一基底上；栅电极，位于所述第二基底上；第一层栅介电层位于所述栅电极之上的一端；第二层栅介电层位于所述栅电极之上，其一端覆盖住第一层栅介电层，二者构成“阶梯型”栅介电层；铟镓锌氧化物IGZO有源层，位于所述“阶梯型”栅介电层上并覆盖住第一层栅介电层和第二层栅介电层；第一源电极、第二漏电极，位于铟镓锌氧化物IGZO有源层上相对两侧，其中第二漏电极位于第一层栅介电层之上方一侧，第一源电极位于远离第一层栅介电层的另一侧。与传统的提升薄膜晶体管栅介电层尺寸的方法相比，该薄膜晶体管可以显著提升功率密度。
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公开(公告)号：CN112825301A
公开(公告)日：2021-05-21
申请号：CN201911149088.2
申请日：2019-11-21
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，该方法包括：获取衬底，所述衬底上形成有漂移区、栅极区、缓冲区、场氧层；去除所述漂移区上方位于栅极区与缓冲区之间区域的场氧层后形成第一沟槽，所述第一沟槽的一端与栅极区相邻；在所述衬底上形成具有第一内应力的氮化硅层，所述氮化硅层位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方。通过位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方的氮化硅层，在绝缘栅双极型晶体管器件内引入内应力，从而提高了器件内载流子的迁移率，在突破硅材料的极限限制的同时提高了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN112825301B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201911149088.2
申请日：2019-11-21
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，该方法包括：获取衬底，所述衬底上形成有漂移区、栅极区、缓冲区、场氧层；去除所述漂移区上方位于栅极区与缓冲区之间区域的场氧层后形成第一沟槽，所述第一沟槽的一端与栅极区相邻；在所述衬底上形成具有第一内应力的氮化硅层，所述氮化硅层位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方。通过位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方的氮化硅层，在绝缘栅双极型晶体管器件内引入内应力，从而提高了器件内载流子的迁移率，在突破硅材料的极限限制的同时提高了器件的电学特性。
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