公开(公告)号：CN112825301B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201911149088.2

申请日：2019-11-21

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 孙伟锋 ,  王耀辉 ,  宋华 ,  张森 ,  杨光安 ,  张龙 ,  吴汪然 ,  刘斯扬 ,  耿和龙 ,  时龙兴

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，该方法包括：获取衬底，所述衬底上形成有漂移区、栅极区、缓冲区、场氧层；去除所述漂移区上方位于栅极区与缓冲区之间区域的场氧层后形成第一沟槽，所述第一沟槽的一端与栅极区相邻；在所述衬底上形成具有第一内应力的氮化硅层，所述氮化硅层位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方。通过位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方的氮化硅层，在绝缘栅双极型晶体管器件内引入内应力，从而提高了器件内载流子的迁移率，在突破硅材料的极限限制的同时提高了器件的电学特性。

公开(公告)号：CN110729253B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201910861731.8

申请日：2019-09-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴汪然 ,  朱浩 ,  王耀辉 ,  杨光安 ,  汤鹏宇 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提出了一种可引入双轴应变的IGBT压接式压装结构，包含发射极金属电极板、发射极凸台、银片、下钼片、IGBT芯片、上钼片和集电极金属电极板。所述的下钼片为一侧是平面一侧为球面，其中面向芯片一侧为向外突出的球面，面向发射极电极板一侧为平面；所述的上钼片一侧为平面一侧为球面，其中面向芯片一侧为向内凹陷的球面，面向集电极电极板的一侧为平面。可通过调节上钼片与下钼片球面一侧的曲率，来改变压接在其中间IGBT芯片的曲率，在不损坏IGBT芯片的前提下，可使其获得不同大小的双轴应力，其中所述的IGBT芯片集电极应面向上钼片，而发射极与源极则面向下钼片。本发明可降低器件的导通压降并提升器件的电流能力。

公开(公告)号：CN112635332A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201910949865.5

申请日：2019-10-08

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 吴汪然 ,  杨光安 ,  林峰 ,  孙贵鹏 ,  王耀辉 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及一种IGZO薄膜晶体管及其制造方法，所述方法包括：获取基底；通过溶液工艺在所述基底上形成IGZO层；通过自旋掺杂工艺在所述IGZO层表面掺杂V族杂质；在所述IGZO层的一侧形成源极、另一侧形成漏极，并在所述掺杂后的IGZO层上形成栅介电层；在所述栅介电层上形成栅极。本发明的IGZO层通过溶液工艺形成，并通过自旋掺杂工艺在沟道区表面掺杂V族杂质，能够提高沟道载流子浓度，从而提高器件工作电流密度；且由于掺杂采用溶液工艺，相比于离子注入等工艺不会造成IGZO层表面损伤。

公开(公告)号：CN110729253A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910861731.8

申请日：2019-09-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴汪然 ,  朱浩 ,  王耀辉 ,  杨光安 ,  汤鹏宇 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提出了一种可引入双轴应变的IGBT压接式压装结构，包含发射极金属电极板、发射极凸台、银片、下钼片、IGBT芯片、上钼片和集电极金属电极板。所述的下钼片为一侧是平面一侧为球面，其中面向芯片一侧为向外突出的球面，面向发射极电极板一侧为平面；所述的上钼片一侧为平面一侧为球面，其中面向芯片一侧为向内凹陷的球面，面向集电极电极板的一侧为平面。可通过调节上钼片与下钼片球面一侧的曲率，来改变压接在其中间IGBT芯片的曲率，在不损坏IGBT芯片的前提下，可使其获得不同大小的双轴应力，其中所述的IGBT芯片集电极应面向上钼片，而发射极与源极则面向下钼片。本发明可降低器件的导通压降并提升器件的电流能力。

公开(公告)号：CN112825301A

公开(公告)日：2021-05-21

申请号：CN201911149088.2

申请日：2019-11-21

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 孙伟锋 ,  王耀辉 ,  宋华 ,  张森 ,  杨光安 ,  张龙 ,  吴汪然 ,  刘斯扬 ,  耿和龙 ,  时龙兴

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，该方法包括：获取衬底，所述衬底上形成有漂移区、栅极区、缓冲区、场氧层；去除所述漂移区上方位于栅极区与缓冲区之间区域的场氧层后形成第一沟槽，所述第一沟槽的一端与栅极区相邻；在所述衬底上形成具有第一内应力的氮化硅层，所述氮化硅层位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方。通过位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方的氮化硅层，在绝缘栅双极型晶体管器件内引入内应力，从而提高了器件内载流子的迁移率，在突破硅材料的极限限制的同时提高了器件的电学特性。