公开(公告)号：CN110729253B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201910861731.8

申请日：2019-09-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴汪然 ,  朱浩 ,  王耀辉 ,  杨光安 ,  汤鹏宇 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提出了一种可引入双轴应变的IGBT压接式压装结构，包含发射极金属电极板、发射极凸台、银片、下钼片、IGBT芯片、上钼片和集电极金属电极板。所述的下钼片为一侧是平面一侧为球面，其中面向芯片一侧为向外突出的球面，面向发射极电极板一侧为平面；所述的上钼片一侧为平面一侧为球面，其中面向芯片一侧为向内凹陷的球面，面向集电极电极板的一侧为平面。可通过调节上钼片与下钼片球面一侧的曲率，来改变压接在其中间IGBT芯片的曲率，在不损坏IGBT芯片的前提下，可使其获得不同大小的双轴应力，其中所述的IGBT芯片集电极应面向上钼片，而发射极与源极则面向下钼片。本发明可降低器件的导通压降并提升器件的电流能力。

公开(公告)号：CN111430465A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010373328.3

申请日：2020-05-06

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴汪然 ,  汤鹏宇 ,  钱逸文 ,  杨兰兰 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本文提出了一种N型垂直槽栅金属氧化物半导体器件栅极引入应力的结构，包括：N型漏极接触，在其上为N型外延层，在N型外延层中设有氧化物埋层，在氧埋层中设有源极多晶硅埋层，在氧埋层上方设有多晶硅栅极，在多晶硅栅极中间设有氮化硅应力层，在栅极两侧设有P型沟道区和N型源极区，在器件上表面有源极区金属接触。其特征在于其特征在于，通过优化工艺流程，无需挖槽，就可以在垂直金属氧化物半导体的栅极处淀积氮化硅应力层来引入应力，可以有效提升垂直沟道器件的性能。在器件击穿电压几乎不变的情况下，有效降低导通电阻。

公开(公告)号：CN110729253A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910861731.8

申请日：2019-09-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴汪然 ,  朱浩 ,  王耀辉 ,  杨光安 ,  汤鹏宇 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提出了一种可引入双轴应变的IGBT压接式压装结构，包含发射极金属电极板、发射极凸台、银片、下钼片、IGBT芯片、上钼片和集电极金属电极板。所述的下钼片为一侧是平面一侧为球面，其中面向芯片一侧为向外突出的球面，面向发射极电极板一侧为平面；所述的上钼片一侧为平面一侧为球面，其中面向芯片一侧为向内凹陷的球面，面向集电极电极板的一侧为平面。可通过调节上钼片与下钼片球面一侧的曲率，来改变压接在其中间IGBT芯片的曲率，在不损坏IGBT芯片的前提下，可使其获得不同大小的双轴应力，其中所述的IGBT芯片集电极应面向上钼片，而发射极与源极则面向下钼片。本发明可降低器件的导通压降并提升器件的电流能力。