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公开(公告)号：CN111430465A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010373328.3
申请日：2020-05-06
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本文提出了一种N型垂直槽栅金属氧化物半导体器件栅极引入应力的结构，包括：N型漏极接触，在其上为N型外延层，在N型外延层中设有氧化物埋层，在氧埋层中设有源极多晶硅埋层，在氧埋层上方设有多晶硅栅极，在多晶硅栅极中间设有氮化硅应力层，在栅极两侧设有P型沟道区和N型源极区，在器件上表面有源极区金属接触。其特征在于其特征在于，通过优化工艺流程，无需挖槽，就可以在垂直金属氧化物半导体的栅极处淀积氮化硅应力层来引入应力，可以有效提升垂直沟道器件的性能。在器件击穿电压几乎不变的情况下，有效降低导通电阻。
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