公开(公告)号：CN115458609A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202211239216.4

申请日：2022-10-11

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 吴汪然 ,  杨光安 ,  黄庭瑞 ,  俞祚旭 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种高耐压、低导通电阻IGZO薄膜晶体管及其制备方法，通过在器件IGZO低阻漂移区部分进行氢离子掺杂，提高IGZO低阻漂移区内的载流子浓度，降低IGZO沟道导通电阻，显著降低因非栅控漂移区提升器件耐压而牺牲的电流密度，获得了更为优异的导通电阻与击穿电压间的关系，同时相比传统砷离子掺杂、双栅结构等工艺，本发明降低了实验温度、简化了工艺步骤，极大地提升漂移区电流能力。

公开(公告)号：CN117153693A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311096525.5

申请日：2023-08-29

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 吴汪然 ,  许雯婷 ,  黄庭瑞 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/44 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种高耐压、低导通电阻ITO薄膜晶体管及其制备方法，包括以下步骤：S10、获取衬底；S20、在所述衬底上形成栅极；S30、在所述栅极上形成栅氧；S40、在所述栅氧上形成ITO有源层；S50、在所述ITO有源层一侧形成ITO阶梯层；S60、在所述ITO阶梯层上形成漏极；在所述ITO有源层未设置ITO阶梯层的一侧形成源极。本发明通过拉偏漏极和栅极之间的水平距离，显著提高了ITO薄膜晶体管的击穿电压；同时引入ITO阶梯层，利用ITO材料电流能力易受厚度调控的特点，降低非交叠区域ITO沟道导通电阻，获得了更为优异的导通电阻与击穿电压间的关系。

公开(公告)号：CN114899196A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210669888.2

申请日：2022-06-14

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 吴汪然 ,  黄庭瑞 ,  俞祚旭 ,  杨光安 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H03K19/0185

Abstract: 本发明提供了一种基于IGZO薄膜晶体管的反相器及其制备方法，该方法包括：获取衬底；在衬底上形成栅电极层；在栅电极层上形成栅极介电层；在栅极介电层上形成IGZO有源层；在IGZO有源层上形成源极、漏极；对IGZO有源层进行局部氢等离子体处理。通过氢等离子体处理工艺实现氢掺杂，使反相器上拉网络中的n型增强型IGZO薄膜晶体管转变为n型耗尽型IGZO薄膜晶体管，相比于将栅漏短接的n型增强型IGZO薄膜晶体管作为上拉器件的反相器，本发明提供的反相器具有更高的增益和更大的摆幅；与此同时，该工艺简单快捷，便于操作，反应所用的气体源易获取，满足大规模工业生产的需求量。

公开(公告)号：CN114883416A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210669192.X

申请日：2022-06-14

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 吴汪然 ,  黄庭瑞 ,  杨光安 ,  俞祚旭 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  G05F1/567

Abstract: 本发明提供一种基于IGZO薄膜晶体管的基准电压源的制备方法，包括：获取衬底；在衬底上形成栅电极层；在栅电极层上形成栅极介电层；在栅极介电层上形成IGZO有源层；在IGZO有源层上形成源极、漏极；通过对薄膜晶体管的IGZO有源层进行局部氢等离子体处理，形成耗尽型薄膜晶体管。通过氢等离子体处理工艺实现氢掺杂，提升沟道载流子浓度，使n型增强型IGZO薄膜晶体管转变为n型耗尽型IGZO薄膜晶体管，该工艺简便快捷、兼容性好，易于实现大规模生产。本发明还提供了一种基于IGZO薄膜晶体管的基准电压源，包括电流源子电路与基准电压子电路，对传统CMOS拓扑结构进行了改进，创新地利用增强型、耗尽型两种工作模式的n型IGZO薄膜晶体管实现低线性灵敏度的基准电压源。

公开(公告)号：CN119967868A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202411924192.5

申请日：2024-12-25

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴汪然 ,  黄庭瑞 ,  桂帝 ,  俞祚旭 ,  孙伟锋

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10D86/60

Abstract: 本发明公开了一种复合型金属氧化物薄膜晶体管、制备方法及应用，该金属氧化物薄膜晶体管的有源层包括阈值负漂金属氧化物有源层和阈值正漂金属氧化物有源层，该两个氧化物并行排布且并联。本发明改善了由于应力引起薄膜晶体管阈值漂移带来的问题。本发明为柔性显示设备的驱动电路设计提供了一种成本可控，工艺简单，易于工业生产的方案。