公开(公告)号：CN117153693A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311096525.5

申请日：2023-08-29

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 吴汪然 ,  许雯婷 ,  黄庭瑞 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/44 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种高耐压、低导通电阻ITO薄膜晶体管及其制备方法，包括以下步骤：S10、获取衬底；S20、在所述衬底上形成栅极；S30、在所述栅极上形成栅氧；S40、在所述栅氧上形成ITO有源层；S50、在所述ITO有源层一侧形成ITO阶梯层；S60、在所述ITO阶梯层上形成漏极；在所述ITO有源层未设置ITO阶梯层的一侧形成源极。本发明通过拉偏漏极和栅极之间的水平距离，显著提高了ITO薄膜晶体管的击穿电压；同时引入ITO阶梯层，利用ITO材料电流能力易受厚度调控的特点，降低非交叠区域ITO沟道导通电阻，获得了更为优异的导通电阻与击穿电压间的关系。