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公开(公告)号：CN215180992U
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202121158130.X
申请日：2021-05-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本申请提供一种光混频器，光混频器包括：基底层；输入波导，其为条状，输入波导的输入端接收输入光；多模干涉波导，其为矩形，多模干涉波导的输入端与输入波导的输出端耦接，接收从输入波导传输的光，多模干涉波导对接收的光进行混频处理；输出波导，其为条状，设置于基底层，输出波导的输入端与多模干涉波导的输出端耦接，接收从多模干涉波导的输出端输出的混频光，输出波导对接收的混频光进行传输，并从输出波导的输出端输出；以及覆盖层，其覆盖输入波导、多模干涉波导以及输出波导各自的上表面和侧面，输入波导、多模干涉波导以及输出波导的材料均为氮化硅，该输入波导的数量为3个，该输出波导的数量为3个。
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公开(公告)号：CN214256319U
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202023114655.1
申请日：2020-12-22
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H04B10/548 , G02B6/12
Abstract: 本实用新型提供一种基于硅基氮化硅波导的90度光混频器，包括：衬底；二氧化硅层，位于衬底上；氮化硅波导层，位于二氧化硅层上；二氧化硅包层，包覆于氮化硅波导层上；其中，氮化硅波导层配置为包括信号光输入波导、本振光输入波导、多模干涉区及四个输出波导；信号光输入波导与多模干涉区耦合，用于接收信号光，多模干涉区激励出各阶模式，使信号光和本振光发生混频，形成输入光场的四个复制点，并分别引出至四个输出波导。本实用新型基于硅基氮化硅波导及多模干涉耦合器实现了低损耗、低相位偏差、高光学带宽的2×4型90度光混频器。
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公开(公告)号：CN210123484U
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201921035705.1
申请日：2019-07-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本申请提供一种硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件。该硅基光耦合结构包括：第一凹槽部，其形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的衬底硅中；第一光波导结构，其形成于所述绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中；第二光波导结构，其在横向上与所述第一光波导结构连接，在横向的第一方向上延伸，并且，所述第二光波导结构位于所述第一凹槽部上方；以及贯通槽，其形成于所述第二光波导结构在横向的第二方向的两侧，所述第二方向与所述第一方向垂直，所述贯通槽与所述第一凹槽部连通，其中，所述第二光波导结构的材料的折射率低于所述第一光波导结构的材料的折射率。本申请能够提高光场的耦合效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210072135U
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201921180966.2
申请日：2019-07-25
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种基于狭缝波导的锥形偏振分束器，分束器包括锥形耦合器及偏振滤波器；锥形耦合器包括条形硅波导及狭缝波导，条形硅波导及狭缝波导在耦合长度方向上具有相反的宽度变化趋势；偏振滤波器包括串联在锥形耦合器的TE输出端的第一偏振滤波器及串联在锥形耦合器的TM输出端的第二偏振滤波器，第一偏振滤波器用以TE偏振态的传导，并将TM偏振态耦合到第一狭缝波导中；第二偏振滤波器用以过滤TE偏振态，并将TM偏振态的偏振模式从第二狭缝波导向第二条形硅波导转化。本实用新型器件可利用集成工艺制备，工艺简单且容差较大，尺寸较小，在较宽的波长范围内均可以实现较高的消光比，易于实现与其他器件的集成。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212083723U
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202020792537.7
申请日：2020-05-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 上海功成半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种基于硅光转接板技术的硅基光电子器件及制备方法，器件包括：硅光器件，包括有源器件结构及无源器件结构，有源器件结构具有引出电极，并覆盖有介质层；转接孔及硅穿孔，贯穿至硅衬底，其内壁形成有绝缘层及导电层；接触孔，贯穿至引出电极；正面重新布线层，正面重新布线层以实现有源器件结构的引出电极与导电层的电性连接；第一凸点层，形成于正面重新布线层上；反面重新布线层，与导电层电性连接；第二凸点层，形成于反面重新布线层上。本实用新型硅光转接板的制备与硅光器件具有较高的兼容性，可以大幅降低光电混合集成的成本。本实用新型为硅光芯片及其控制芯片提供超短距离电气互连，能够有效提高器件的集成密度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN210626706U
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201921956524.2
申请日：2019-11-13
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本申请提供一种波导结构，所述波导结构包括：环形波导，其数量为两个以上；第一直线型波导，呈直线形状，所述第一直线型波导的两端分别为入射端和第一连接端；第二直线型波导，呈直线形状，所述第二直线型波导的两端分别为出射端和第二连接端；以及U型波导，其连接所述第一连接端和第二连接端，其中，相邻的环形波导的中心连线与所述第一直线型波导和所述第二直线型波导平行。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210006746U
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201921180948.4
申请日：2019-07-25
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型提供一种硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器，波导型锗基光电探测器包括：锗基光电探测器；硅波导结构，连接于所述锗基光电探测器的第一端；硅波导分布式布拉格反射镜，连接于所述锗基光电探测器的第二端。与传统波导型探测器相比，本实用新型通过在锗光电探测器后端引入硅波导分布式布拉格反射镜结构，使光线经反射再次进入锗光电探测器，可实现更高效的光吸收效率，从而可以有效减小探测器的长度，实现低暗电流、低电容和高响应度光电探测器制备。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN221351891U
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202323266127.1
申请日：2023-11-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本申请提供一种电光调制器，所述电光调制器包括：直线波导，其形成于衬底表面，沿第一方向延伸；以及环形波导，其形成于衬底表面，为闭合的环状，在与所述环形波导的延伸方向垂直的截面上，所述环形波导具有不同掺杂类型的第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域的相交区域沿折线延伸。该电光调制器结合了微环调制器和Z型PN结结构的优点，能够在2um波段具有优异的性能。
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公开(公告)号：CN210375638U
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201921455306.0
申请日：2019-09-03
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本申请提供一种片上波导损耗测量装置。该片上波导损耗测量装置具有至少一个片上波导损耗测量单元，其中，各所述片上波导损耗测量单元包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；位于所述光耦合器的光出射端一侧的分束器，所述分束器接收所述光耦合器的光出射端射出的光；形成于所述顶层硅中的波导组，所述波导组具有两个以上的波导，各所述波导分别接收所述分束器射出的光，并且，各波导的长度均不相等；以及形成于所述顶层硅上的两个以上的光电探测器，各所述波导的光输出端所输出的光被一个所述光电探测器探测，所述光电探测器生成与探测到的光对应的电流。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210375633U
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201921373455.2
申请日：2019-08-22
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本申请提供一种硅基片上波导损耗测量装置。该片上波导损耗测量装置，包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；形成于所述顶层硅中的法布里-珀罗谐振腔，所述法布里-珀罗谐振腔的光入射端与所述光耦合器的光出射端在横向上对置；光电探测器，其形成于所述顶层硅上；以及加热器，其形成于所述法布里-珀罗谐振腔的预定距离处。使用本申请的片上波导损耗测量装置，可以有效降低光纤与芯片对准精度要求，减小波导损耗测量结构面积，实现高效快速的波导损耗测量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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