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公开(公告)号：CN202948935U
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201220475976.0
申请日：2012-09-18
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/872
Abstract: 本实用新型公开一种掩埋PN结势垒肖特基二极管，其通过在原有硅外延层的上方增设一层附加硅外延层，这样有多个掩埋体掩埋在附加外延表面以下，形成多个隔离的PN结，在反向电压的情况下，这些PN结形成的空泛层会防护肖特基势垒介面而减低反向电压的电场影响，因而减少反向电压增加对反向漏电变大的负面效应，并且肖特基势垒介面也保持其原先的面积，在正向电压情况下，可以保持其正向电流导通的功能及效率。
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公开(公告)号：CN202940228U
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201220580520.0
申请日：2012-11-06
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型公开一种半导体集成晶体管的封装结构，包括由上模型腔槽和下模型腔槽相对扣压所形成的塑封体，该塑封体上开设有供半导体集成晶体管的引脚引出的引脚孔。上述塑封体的长度为2.9毫米，宽度为1.5毫米，高度为0.9毫米。本实用新型能够在保证引线框架的密度达到SOT-23型的前提下，功耗达到SOT-23-3L型的要求。
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公开(公告)号：CN201922536U
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201020634269.2
申请日：2010-12-01
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开一种塑封胶模具，包括1个或1个以上模盒，所述模盒主要由注塑套筒、流道和2个成型镶条构成，成型镶条相对设置在注塑套筒的两侧，并通过流道与注塑套筒相连通，成型镶条上设有以矩阵形式排列的器件型腔槽，流道由平行道和连接道构成，都呈直线形，其中平行道与成型镶条上的器件型腔槽排列的行项相平行；上述平行道向内通过连接道与注塑套筒相通，向外与成型镶条相通、即在每条平行道上开设有小凸口，该小凸口的个数和成型镶条中器件型腔槽排列的列数对应，并分别指向每列器件型腔槽；通过一条平行道，可对多列器件型腔槽上的半导体器件进行塑封，减少注塑套筒的个数，节省大量的注塑料余料和流道余料，提高塑封料的利用率。
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公开(公告)号：CN201820752U
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201020509758.5
申请日：2010-08-28
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/0603 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型公开一种大电流场效应管的内部结构，包括环氧树脂封装体、及封装在环氧树脂封装体内部的管芯和引线框架；管芯上设3个焊区，即位于管芯背面的漏极焊区、及位于管芯正面的栅极焊区和源极焊区；引线框架分为3个相互绝缘的引出电极，即漏极、栅极和源极；管芯背面的漏极焊区直接贴于引线框架的漏极上，管芯正面的栅极焊区和源极焊区则通过内部导线分别与其对应的引线框架的栅极和源极相连；所述管芯的源极焊区与引线框架的源极之间通过2条或2条以上的内部导线相连。本实用新型具有产品的高成品率的特点。
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公开(公告)号：CN201816019U
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201020542919.0
申请日：2010-09-26
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: B25B27/00
Abstract: 本实用新型公开一种切筋成形模具拆装专用夹具，主要由n形的固定框架、压杆、以及上表面呈水平状的底座所构成；固定框架同跨设在底座上；固定框架的上方开设有一个纵向贯通、且带有内螺纹的内螺纹孔；压杆的外侧壁上设有与上述内螺纹相配合的外螺纹，压杆从固定框架的上方经内螺纹孔垂直伸入固定框架的下方。本实用新型能够辅助切筋成形模具的拆装，防止螺丝滑丝；使得模具拆装变得简单易行，一个人就可以轻松完成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN207442796U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201721410659.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205452241U
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201521097209.0
申请日：2015-12-25
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: Y02P80/30
Abstract: 本实用新型公开一种具有防叠功能的贴片机，包括框架容置盒、传送轨道、贴装头和防叠框架检测机构。传送轨道位于框架容置盒的前端，贴装头位于传送轨道的后端。该防叠框架检测机构包括固定支架、活动杠杆、检测辊轮、传感器、控制器和报警器组成。当传送轨道上传送的引线框架的厚度大于检测辊轮的下端面与传送轨道之间的间隙时，检测辊轮被向上抬起，活动杠杆随之上升，此时传感器检测到活动杠杆的上升运动，发出信号到控制器，并通过控制器控制报警器发出报警。本实用新型能有效检查出两片及两片以上框架重叠送到轨道，使设备停机报警，提醒员工处理，这样直接地提高了焊接质量，减少原材料损耗，从而降低生产成本。
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公开(公告)号：CN205404692U
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201521117370.X
申请日：2015-12-29
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本实用新型公开一种MOS器件PK仪，主要由壳体，固定在壳体上的电源开关、2个液晶显示屏、2组测试档位选择键和2组调节旋钮，以及设置在壳体内的2套测试平台组成；其中电源开关同时与2套测试平台的电源端相连；每套测试平台的输入端各连接1组测试档位选择键和1组调节旋钮的输出端；每套测试平台的输出端各连接1个液晶显示屏。本实用新型操作简单，对比情况直观，不需要购买昂贵的检测/试验设备，便可轻松了解样品性能对比情况；体积小重量轻，便于携带，有利于业务人员为客户直观演示产品性能，有利于研发人员现场快速了解样品性能对比情况。
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公开(公告)号：CN205373377U
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201520968415.8
申请日：2015-11-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: F26B25/00
Abstract: 本实用新型公开了一种具有双重保护功能的烘箱，包括箱体和安装于箱体底部的加热器，加热器上连接有第一温控模块，还包括压力保护模块和用于监测并控制加热器工作温度的第二温控模块，压力保护模块安装于箱体上方；第二温控模块包括供电电源及依次连接的温度传感器、控制器和继电器，在控制器的输出端连接有声光报警装置和显示屏，继电器与加热器连接。本烘箱在原有烘箱电路的基础上，增加了一组主要由温度传感器、控制器、继电器、声光报警装置和显示屏组成的第二温控模块及用于监控烘箱的内外气压差的压力保护装置，使得本实用新型既可以防止烘烤温度过高或过低，也可以保证烘箱内的压强处于安全状态，具有双重保护功能，结构简单、实用性强。
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公开(公告)号：CN205318241U
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201520972911.0
申请日：2015-11-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
CPC classification number: Y02B30/746
Abstract: 本实用新型公开了一种车间氢气自动排放系统，包括安装于车间顶部上的至少2个排气扇，各排气扇上均连接有一驱动电机，还包括依次连接的光发射模块、光接收模块、光电检测模块和控制处理模块，在控制处理模块的输出端上还连接有一PC机。本实用新型通过检测光波在光纤中传播的波长、光强等由于氢气浓度的不同而产生的变化，通过处理器计算出氢气的浓度值，从而实现氢气浓度的实时监测，当氢气的浓度超出设定的安全范围值时，处理器发出报警信号且控制驱动电机启动，排气扇工作，自动排出氢气、直至氢气的浓度恢复到设定的安全值为止。延长了排气扇的使用寿命，降低了能耗，具有灵敏度高、检测效果好、结构简单、智能化程度高的特点。
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