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公开(公告)号：CN117941066A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280061608.8
申请日：2022-09-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/66 , H01L29/786 , H10B12/00 , H10B41/70 , H10B99/00 , G06F1/3234 , G06G7/60
Abstract: 本发明的一个方式的目的是提供一种具有新颖结构的电子装置。在包括半导体装置的电子装置中，半导体装置包括CPU、加速器以及存储装置。CPU包括扫描触发器电路以及电连接到扫描触发器电路的备份电路。备份电路包括第一晶体管。加速器包括运算电路、电连接到运算电路的数据保持电路。数据保持电路包括第二晶体管。存储装置具有包括第三晶体管的存储单元。第一晶体管至第三晶体管包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的半导体层。
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公开(公告)号：CN111344665B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201880074049.8
申请日：2018-11-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种抑制溢出的加法电路。该加法电路包括第一存储器、第二存储器、第三存储器及第四存储器。加法运算包括如下步骤：对第一存储器提供具有符号的第一数据；对第二存储器提供保存在第一存储器中的具有正的符号的第一数据；对第三存储器提供保存在第二存储器中的具有负的符号的第一数据；对保存在第二存储器中的具有正的符号的第一数据、保存在第三存储器中的具有负的符号的第一数据进行加法运算生成第二数据；对第四存储器保存第二数据。当保存在第四存储器中的第二数据都为具有正的符号的第二数据或都为具有负的符号的第二数据时，对保存在第四存储器中的所有第二数据进行加法运算。
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公开(公告)号：CN117916976A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280058043.8
申请日：2022-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种用来实现可在低温下使用的二次电池的二次电池管理系统。该二次电池管理系统包括：在‑50度以上且0度以下进行充放电的二次电池；具有测量二次电池的电压的功能的第一电路；具有测量二次电池的电流的功能的第二电路；以及被输入来自第一电路的电压信息或来自第二电路的电流信息的控制电路，控制电路开始对二次电池的充电，控制电路根据从第一电路或第二电路输入的值计算表示电池特性的数据，控制电路检测数据的极大值，控制电路在检测出极大值时停止充电。
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公开(公告)号：CN112020656B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201980027358.4
申请日：2019-04-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01R31/367 , H01M10/48 , H02J7/00
Abstract: 提供一种在短时间以低成本高精度地推测出SOC的二次电池的容量测量系统。本说明书公开的结构是一种蓄电装置的充电状态推测系统，包括：取得第一蓄电装置的电压测量值及电流测量值的时间序列数据的单元；使电压测量值的时间序列数据归一化的单元；使电流测量值的时间序列数据归一化的单元；制作使重叠时间轴为纵轴的时间序列数据和时间轴为横轴的时间序列数据的数据与第一蓄电装置的SOC关联的数据库的数据库制作部；以及使用预先制作的数据库作为学习数据而构成神经网络，输入重叠第二蓄电装置的纵轴为时间轴的时间序列数据和横轴为时间轴的时间序列数据的数据，输出第二蓄电装置的SOC的推测值的神经网络部。
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公开(公告)号：CN111129039B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201911375684.2
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H10K59/121 , H01L29/24 , H01L29/786
Abstract: 提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅极重叠的第一半导体区域；与源极或漏极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。
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公开(公告)号：CN112840208B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201980066607.0
申请日：2019-10-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 减少测定装置的成本。使测定装置的结构简化。提供一种能够以更高的精度进行测定的测定装置。测定装置(10)包括发送部(13)、接收部(14)、控制部(11)及显示部(15)。控制部包括存储部(21)及运算部(22)。发送部具有输出用来在探针(40)中产生超声波(51)的脉冲信号的功能。接收部具有根据从探针输入的输入信号生成具有第一模拟数据(D1)的第一信号并将其输出到控制部的功能。存储部具有容纳第一模拟数据的功能。运算部具有根据存储部所保持的第一模拟数据生成向显示部输出的图像信号(S0)的功能。显示部具有根据图像信号显示图像的功能。
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公开(公告)号：CN111742414B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201980014864.X
申请日：2019-02-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H10B12/00 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种通态电流大且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第一导电体及第二导电体；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第二绝缘体；位于第二绝缘体上并与第三氧化物重叠的第三导电体；与第一绝缘体的顶面、第一氧化物的侧面、第二氧化物的侧面、第一导电体的侧面、第一导电体的顶面、第二导电体的侧面、第二导电体的顶面接触的第三绝缘体；第三绝缘体上的第四绝缘体；第四绝缘体上的第五绝缘体；以及第三导电体、第二绝缘体、第三氧化物及第五绝缘体上的第六绝缘体，其中第六绝缘体与第三导电体、第二绝缘体、第三氧化物及第五绝缘体各自的顶面接触。
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公开(公告)号：CN108598107B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201810163989.6
申请日：2018-02-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种视角宽的显示装置。提供一种实现广色域的显示的显示装置。一种包括第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件的显示装置。各发光元件包括一对电极及发光层。一对电极的一个包括反射电极，另一个包括半透射·半反射电极。各发光元件的发光层互不相同。第一发光元件的发射光谱的第一峰值波长是400nm以上且480nm以下。第二发光元件的发射光谱的第二峰值波长是580nm以上且700nm以下。第三发光元件的发射光谱的第三峰值波长是第一峰值波长和第二峰值波长之间的波长。关于一对电极间的距离，第一发光元件最长，第二发光元件第二长。
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公开(公告)号：CN111373515B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN201880075796.3
申请日：2018-11-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/363 , C23C14/08 , H10B12/00 , H10B41/70 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的半导体材料。半导体材料是包含金属元素和氮的氧化物，金属元素是铟(In)、元素M(M为铝(Al)、镓(Ga)、钇(Y)或锡(Sn))及锌(Zn)，氮被引入到氧化物的氧空位内或者与金属元素的原子键合。
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公开(公告)号：CN117616874A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280047627.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种能够以高灵敏度进行摄像的显示装置。该显示装置包括：第一发光元件；与第一发光元件相邻的第二发光元件；与第二发光元件相邻的受光元件；设置在第二发光元件与受光元件间的第一绝缘层；以及设置在第一发光元件与第二发光元件间的第二绝缘层。第一发光元件中依次层叠有第一像素电极、第一发光层以及公共电极。第二发光元件中依次层叠有第二像素电极、第二发光层以及公共电极。受光元件中依次层叠有第三像素电极、光电转换层以及公共电极。第一以及第二绝缘层具有通过曝光对可见光透光性得到提高的正型感光材料。第一绝缘层中的可见光的波长中的至少一部分的波长光的透过率低于第二绝缘层中的该波长光的透过率。
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