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公开(公告)号：CN102221790B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201110166687.2
申请日：2009-04-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： C·J·G·范德敦根 , N·F·寇普拉斯 , M·H·A·里恩德尔 , P·M·M·里伯艾格特斯 , J·C·H·穆肯斯 , E·H·E·C·奥姆梅伦 , M·贝克尔斯 , R·莫尔曼 , C·D·格乌斯塔 , D·M·H·菲利普斯 , R·J·P·沃黑斯 , P·马尔德 , E·范维利特
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70866 , G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种浸没式光刻设备，包括：被配置用于支撑衬底的衬底台；和流体处理系统，所述流体处理系统位于衬底台和/或衬底上方，所述流体处理系统包括具有多孔构件的抽取器，所述多孔构件具有表面，所述表面具有至少一个相对于衬底和/或衬底台倾斜的区域，使得在所述多孔构件的所述表面与面对所述流体处理系统的衬底和/或衬底台的表面之间的距离从径向的最里面的位置至径向的最外面的位置增加。
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公开(公告)号：CN101916050B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201010249792.8
申请日：2005-06-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70933 , G03F7/70341 , G03F7/70808
Abstract: 光刻装置和器件制造方法本发明公开了一种光刻投影装置。该装置包括一配置成调节辐射光束的照射系统和一配置成支撑构图部件的支撑结构。该构图部件用于在辐射光束的横截面将图案赋予给辐射光束。该装置还包括一配置成保持基底的基底台，一配置成将带图案的光束投影到基底的靶部上的投影系统，以及一配置成将流体提供给一个容积的流体供给系统。该容积包括至少一部分投影系统和/或至少一部分照射系统。该装置还包括一配置成将流体供给系统连接到基底台、基底、支撑结构、构图部件、或其任何组合的连接部件。
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公开(公告)号：CN101470360B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200910002111.5
申请日：2003-11-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·T·A·M·德克森 , S·N·L·当德斯 , C·A·胡根达姆 , J·洛夫 , E·R·鲁普斯特拉 , J·J·S·M·梅坦斯 , J·C·H·穆肯斯 , T·F·森格斯 , A·斯特拉艾杰 , B·斯特里夫克
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F9/7088 , G03F7/70341 , G03F7/707 , G03F7/7085
Abstract: 一种光刻装置，包括：构造用于保持基底的两个基底台；用于将带图案的辐射束投射到基底的靶部上的投射系统；用于在投射期间向所述投射系统的最终元件和所述基底之间提供液体的液体供给系统；和所述光刻装置被构造和布置为使得所述两个基底台中的一个基底台能够用于基底的曝光，另一个基底台能够用于准备步骤；所述光刻装置被构造和布置以在基底从所述投射系统下离开时保持最终元件与水接触。
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公开(公告)号：CN1782886B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200510128823.3
申请日：2005-12-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·J·M·巴塞曼斯 , S·N·L·多德斯 , C·A·霍根达姆 , J·J·S·M·梅坦斯 , J·C·H·穆肯斯 , B·斯特里克
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 光刻装置以及器件制造方法公开了一种包括液体供给系统的浸入式光刻装置，该液体供给系统具有设置成可将液体供给到光刻装置的投影系统与衬底之间的空间中的入口，以及设置成可去除至少部分液体的出口，该液体供给系统设置成可使入口、出口或这两者围绕基本上垂直于衬底的曝光面的轴线旋转。
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公开(公告)号：CN1713075A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200510079476.X
申请日：2005-06-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70933 , G03F7/70341 , G03F7/70808
Abstract: 本发明公开了一种光刻投影装置。该装置包括一配置成调节辐射光束的照射系统和一配置成支撑构图部件的支撑结构。该构图部件用于在辐射光束的横截面将图案赋予给辐射光束。该装置还包括一配置成保持基底的基底台，一配置成将带图案的光束投影到基底的靶部上的投影系统，以及一配置成将流体提供给一个容积的流体供给系统。该容积包括至少一部分投影系统和/或至少一部分照射系统。该装置还包括一配置成将流体供给系统连接到基底台、基底、支撑结构、构图部件、或其任何组合的连接部件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1591197A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410074855.5
申请日：2004-08-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·R·鲁普斯特拉 , M·M·T·M·迪里奇斯 , J·C·M·贾斯佩 , H·J·M·迈杰 , U·米坎 , J·C·H·穆肯斯 , M·里普森 , T·尤特迪克 , J·J·M·巴塞曼斯
CPC classification number: G03F7/70966 , G03F7/70341 , G03F7/70958 , G03F7/70983 , Y10S430/162
Abstract: 本发明公开一种使用浸液的光刻投影装置，所述浸液位于该投影系统的最后元件和基底W之间。公开多种用于保护该投影系统、基底台和液体保持系统的部件的方法。这些方法包括在该投影系统的最后元件(20)上设置保护层，以及在该部件的上游设置牺牲保护体。还公开了由CaF2制成的由两个部件构成的最后光学元件。
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公开(公告)号：CN1501175A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310123328.4
申请日：2003-11-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·洛夫 , E·T·M·比拉亚尔特 , H·布特勒 , S·N·L·唐德斯 , C·A·胡格达姆 , A·科勒斯伊辰科 , E·R·鲁普斯特拉 , H·J·M·梅杰 , J·J·S·M·默顿斯 , J·C·H·穆肯斯 , R·A·S·里特塞马 , F·范沙克 , T·F·森格斯 , K·西蒙 , J·T·德斯米特 , A·斯特拉艾杰 , B·斯特里夫克 , H·范桑坦
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/707 , G03F7/7085 , G03F7/70866
Abstract: 公开了一种在投射系统最终元件与基底之间的空间充满液体的光刻投射装置。边缘密封构件17、117至少部分地环绕基底W或其它在基底台WT上的物体以防止当基底的边缘部分被成像或照射时毁灭性的液体损失。
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公开(公告)号：CN102226869B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201110166731.X
申请日：2009-04-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： C·J·G·范德敦根 , N·F·寇普拉斯 , M·H·A·里恩德尔 , P·M·M·里伯艾格特斯 , J·C·H·穆肯斯 , E·H·E·C·奥姆梅伦 , M·贝克尔斯 , R·莫尔曼 , C·D·格乌斯塔 , D·M·H·菲利普斯 , R·J·P·沃黑斯 , P·马尔德 , E·范维利特
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70866 , G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种器件制造方法，所述方法包括步骤：把浸没液体限制在空间中，所述空间被限定在投影系统、衬底和/或衬底台、流体处理结构、以及在所述流体处理结构与所述衬底和/或所述衬底台之间延伸的浸没液体的弯月面之间，所述投影系统被设置用于把图案化的辐射束投影到在衬底的目标部分的像场上，以及所述衬底台被设置用于支撑所述衬底；和引起所述投影系统与衬底和/或衬底台之间的相对运动；调节成像的参数以设置形成在像场外部的任何气泡。
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公开(公告)号：CN102841510A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210202367.2
申请日：2012-06-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70133 , G03F7/705 , G03F7/70525 , G03F7/70616
Abstract: 本发明公开了用以确保源和图像稳定性的系统和方法，其中光刻设备特性的直接测量和晶片量测被结合以通过使用模拟模型来实现光刻设备/过程的时间漂移的减小。模拟模型可以具有子部分。例如，子模型可以表示第一组光学条件，另一子模型可以表示第二组光学条件。第一组光学条件可以是一组标准照射条件，第二组光学条件可以是一组定制照射条件。使用子模型之间的内在关系，可以在不进行晶片量测的情况下较快地实现定制照射条件下的稳定性控制。
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公开(公告)号：CN102221790A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110166687.2
申请日：2009-04-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： C·J·G·范德敦根 , N·F·寇普拉斯 , M·H·A·里恩德尔 , P·M·M·里伯艾格特斯 , J·C·H·穆肯斯 , E·H·E·C·奥姆梅伦 , M·贝克尔斯 , R·莫尔曼 , C·D·格乌斯塔 , D·M·H·菲利普斯 , R·J·P·沃黑斯 , P·马尔德 , E·范维利特
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70866 , G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种浸没式光刻设备，包括：被配置用于支撑衬底的衬底台；和流体处理系统，所述流体处理系统位于衬底台和/或衬底上方，所述流体处理系统包括具有多孔构件的抽取器，所述多孔构件具有表面，所述表面具有至少一个相对于衬底和/或衬底台倾斜的区域，使得在所述多孔构件的所述表面与面对所述流体处理系统的衬底和/或衬底台的表面之间的距离从径向的最里面的位置至径向的最外面的位置增加。
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