公开(公告)号：CN102820259A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210187956.8

申请日：2012-06-08

申请人： 长城半导体公司

发明人： S.J.安德森 ,  D.N.奥卡达

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L23/528 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L29/456 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7835 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明涉及半导体器件和形成功率MOSFET的方法。半导体器件具有基板，源区域和漏区域形成于基板上。硅化物层布置在源区域和漏区域上方。第一互连层形成于硅化物层上方并且包括连接到源区域的第一导板以及连接到漏区域的第二导板。第二互连层形成于第一互连层上方并且包括连接到第一导板的第三导板和连接到第二导板的第四导板。凸块下金属化部(UBM)形成于第二互连层上方并且电连接到第二互连层。掩模布置在基板上方，掩模中的开口在UBM上方对准。导电凸块材料沉积在掩模中的开口内。掩模被移除并且导电凸块材料被回流以形成凸块。