MEMS器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102602877B

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201210098100.3

    申请日:2007-10-08

    CPC classification number: B81B3/0086

    Abstract: 本发明提供一种MEMS器件,该MEMS器件在保持结构体的机械特性的同时降低了电阻值,并具有优良的工作特性。该MEMS器件具有:在硅基板(1)上形成的由多晶硅构成的固定电极(10);可动电极(20),其与形成在硅基板(1)上的氮化膜(3)隔开间隙并以机械可动的状态配置,而且由多晶硅构成;以及配线层叠部,其在可动电极(20)周围形成,并以覆盖固定电极(10)的一部分的方式形成,该配线层叠部按顺序层叠有第一层间绝缘膜(13)、第一配线层(23)、第二层间绝缘膜(14)、第二配线层(24)以及保护膜(19),固定电极(10)的被上述配线层叠部覆盖的部分转化为了硅化物,形成有硅化物部分(25)。

    MEMS器件及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102602876A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201210097932.3

    申请日:2007-10-08

    CPC classification number: B81B3/0086

    Abstract: 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法,该MEMS器件在保持结构体的机械特性的同时降低了电阻值,并具有优良的工作特性。该MEMS器件具有:在硅基板(1)上形成的由多晶硅构成的固定电极(10);可动电极(20),其与形成在硅基板(1)上的氮化膜(3)隔开间隙并以机械可动的状态配置,而且由多晶硅构成;以及配线层叠部,其在可动电极(20)周围形成,并以覆盖固定电极(10)的一部分的方式形成,该配线层叠部按顺序层叠有第一层间绝缘膜(13)、第一配线层(23)、第二层间绝缘膜(14)、第二配线层(24)以及保护膜(19),固定电极(10)的被上述配线层叠部覆盖的部分转化为了硅化物,形成有硅化物部分(25)。

    MEMS器件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101891140A

    公开(公告)日:2010-11-24

    申请号:CN201010242902.8

    申请日:2007-10-17

    CPC classification number: B81B3/0086 B81B2201/0271

    Abstract: 本发明提供一种MEMS器件,该MEMS器件可以减少MEMS结构体和半导体基板之间的寄生电容。MEMS器件(1)具备MEMS结构体(30),该MEMS结构体(30)具有隔着绝缘层形成在半导体基板(10)上的固定电极20和可动电极(26),在固定电极(20)的下方的半导体基板(10)上形成有阱(13),当固定电极(20)被施加正的电压时,阱(13)是p型阱。另外,对阱(13)施加电压以使阱(13)成为耗尽状态。该电压为使阱(13)维持耗尽状态的电压。

    构造体形成方法和由构造体形成方法形成的设备

    公开(公告)号:CN111508832A

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN202010077060.9

    申请日:2020-01-23

    Inventor: 稻叶正吾

    Abstract: 一种构造体形成方法和由构造体形成方法形成的设备,其中,构造体形成方法通过干式蚀刻在基板形成第一孔和宽度比所述第一孔小的第二孔,从而形成构造体,所述构造体形成方法具备:在所述基板形成蚀刻掩模的工序、蚀刻所述蚀刻掩模的与形成所述第一孔的第一孔形成区域重叠的部分的工序、蚀刻所述蚀刻掩模的与形成所述第二孔的第二孔形成区域重叠的部分的工序、以及将所述蚀刻掩模作为掩模对所述基板进行干式蚀刻的工序。

    MEMS器件及其制造方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101164863B

    公开(公告)日:2012-06-13

    申请号:CN200710162734.X

    申请日:2007-10-08

    Abstract: 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法,该MEMS器件在保持结构体的机械特性的同时降低了电阻值,并具有优良的工作特性。该MEMS器件具有:在硅基板(1)上形成的由多晶硅构成的固定电极(10);可动电极(20),其与形成在硅基板(1)上的氮化膜(3)隔开间隙并以机械可动的状态配置,而且由多晶硅构成;以及配线层叠部,其在可动电极(20)周围形成,并以覆盖固定电极(10)的一部分的方式形成,该配线层叠部按顺序层叠有第一层间绝缘膜(13)、第一配线层(23)、第二层间绝缘膜(14)、第二配线层(24)以及保护膜(19),固定电极(10)的被上述配线层叠部覆盖的部分转化为了硅化物,形成有硅化物部分(25)。

    MEMS器件及其制造方法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102602876B

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201210097932.3

    申请日:2007-10-08

    CPC classification number: B81B3/0086

    Abstract: 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法,该MEMS器件在保持结构体的机械特性的同时降低了电阻值,并具有优良的工作特性。该MEMS器件具有:在硅基板(1)上形成的由多晶硅构成的固定电极(10);可动电极(20),其与形成在硅基板(1)上的氮化膜(3)隔开间隙并以机械可动的状态配置,而且由多晶硅构成;以及配线层叠部,其在可动电极(20)周围形成,并以覆盖固定电极(10)的一部分的方式形成,该配线层叠部按顺序层叠有第一层间绝缘膜(13)、第一配线层(23)、第二层间绝缘膜(14)、第二配线层(24)以及保护膜(19),固定电极(10)的被上述配线层叠部覆盖的部分转化为了硅化物,形成有硅化物部分(25)。

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