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公开(公告)号：CN110088873A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780078300.3
申请日：2017-11-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 杰伊·R·沃利斯 , 厄尼斯特·E·艾伦 , 理查德·J·赫尔特 , 艾立克斯恩德·C·刚特司 , 梁树荣 , 杰佛瑞·E·卡兰波特 , 泰勒·洛克威尔
IPC: H01J37/32 , H01J37/02 , H01J37/305
Abstract: 一种气体注入系统包括萃取板，所述萃取板具有萃取开孔以允许离子束通过所述萃取板，所述萃取板还具有气体狭槽以从所述萃取板逐出残余物移除气体。气体注入系统可包括气体导管及气体源，所述气体导管在气体狭槽与气体歧管之间延伸穿过萃取板，气体源与气体歧管流体连通地连接，所述气体源容纳残余物移除气体。气体歧管可包括能够在第一位置与第二位置之间调节的阀门，在所述第一位置中允许残余物移除气体流动到萃取板中，在所述第二位置中所述残余物移除气体可从所述萃取板排出。气体注入系统还可包括耦合到气体歧管的歧管罩。
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公开(公告)号：CN108369924B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201680071850.8
申请日：2016-11-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/265 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种使用倾角离子束填充孔穴的设备和方法，所述方法包含：在等离子室中产生等离子体；相对于衬底的平面的垂线以非零入射角将包括冷凝物质和惰性气体物质中的至少一个的离子从等离子体引导至衬底内的孔穴。所述方法可以进一步包含：使用冷凝物质于孔穴内沉积填充材料，沉积填充材料与引导离子同时发生，其中填充材料以第一速率累积在孔穴的下表面上，并且其中填充材料以小于第一速率的第二速率累积在孔穴的侧壁的上部部分上。本发明提供优于用于填孔穴的已知技术的优点。另外，本发明提供避免空隙形成的更佳能力。
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公开(公告)号：CN109690727B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201780055593.3
申请日：2017-08-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 葛兰·FR·吉尔克里斯特 , 梁树荣
IPC: H01J37/305 , H01J37/304
Abstract: 本发明公开一种能够对带电离子的提取角度及反应性中性粒子的提取角度进行独立控制的工件加工设备。所述设备包括具有提取开孔的提取板，带电离子通过所述提取开孔。可使用等离子体鞘调制及电场来确定带电离子的提取角度。提取板还包括与提取开孔分开的一个或多个中性物质通道，反应性中性粒子是以所选择提取角度通过所述一个或多个中性物质通道。所述中性物质通道的几何构造决定反应性中性粒子的提取角度。中性物质通道还可包括用于减少通过中性物质通道的带电离子的数目的抑制器。所述设备可用于各种应用，例如定向反应性离子蚀刻。
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公开(公告)号：CN108475611B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201680074818.5
申请日：2016-11-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种用于增大反应离子与中性物质的比的方法。本发明的方法是在等离子体处理设备中增加反应离子与中性物质的比。示例性方法包含提供处理设备，处理设备具有包含第一气体入口的等离子体源腔室以及耦合到等离子体源腔室的沉积腔室，其中沉积腔室包含第二气体入口，用于将使用点气体输送到邻近设置在沉积腔室内的衬底的区域。示例性方法进一步包含产生用于输送到衬底的离子束，以及修改沉积腔室内接近衬底的区域中的压力，从而增加在离子束被输送到衬底时存在的用于冲击衬底的反应离子的量。
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公开(公告)号：CN108475611A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680074818.5
申请日：2016-11-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/221 , C23C14/48 , C23C16/045 , C23C16/345 , C23C16/45544 , C23C16/52 , H01J37/32422 , H01L21/0217 , H01L21/02274
Abstract: 本发明的方法是在等离子体处理设备中增加反应离子与中性物质的比。示例性方法包含提供处理设备，处理设备具有包含第一气体入口的等离子体源腔室以及耦合到等离子体源腔室的沉积腔室，其中沉积腔室包含第二气体入口，用于将使用点气体输送到邻近设置在沉积腔室内的衬底的区域。示例性方法进一步包含产生用于输送到衬底的离子束，以及修改沉积腔室内接近衬底的区域中的压力，从而增加在离子束被输送到衬底时存在的用于冲击衬底的反应离子的量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108369924A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680071850.8
申请日：2016-11-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/265 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C16/045 , C23C16/402 , C23C16/513 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/31116 , H01L21/76224 , H01L21/76831
Abstract: 本发明提供一种方法，包含：在等离子室中产生等离子体；相对于衬底的平面的垂线以非零入射角将包括冷凝物质和惰性气体物质中的至少一个的离子从等离子体引导至衬底内的孔穴。所述方法可以进一步包含：使用冷凝物质于孔穴内沉积填充材料，沉积填充材料与引导离子同时发生，其中填充材料以第一速率累积在孔穴的下表面上，并且其中填充材料以小于第一速率的第二速率累积在孔穴的侧壁的上部部分上。
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公开(公告)号：CN107924838A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680046221.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 梁树荣 , 科斯特尔·拜洛 , 葛兰·F·R·吉尔克里斯特 , 维克拉姆·辛 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 理查德·赫尔特 , 艾立克斯恩德·刚特司 , 皮耶罗·斯佛拉佐 , 陈宗良
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H01L21/02
CPC classification number: H05H1/24 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32834 , H01J2237/327 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 一种处理衬底的装置。装置可包含：具有安置在处理腔室中的反应气体出口的反应气体源，反应气体出口将第一反应气体引导到衬底；耦合到处理腔室且包含提取板的等离子体腔室，提取板具有沿着第一方向延伸的提取孔隙、安置在处理腔室内以及可在面向反应气体源的第一位置与面向提取孔隙的第二位置之间沿着垂直于第一方向的第二方向移动；以及安置于反应气体出口与提取孔隙之间的气流限制器，气流限制器界定至少等离子体腔室与衬底平台之间的差动泵浦通道。
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公开(公告)号：CN107924838B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201680046221.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 梁树荣 , 科斯特尔·拜洛 , 葛兰·F·R·吉尔克里斯特 , 维克拉姆·辛 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 理查德·赫尔特 , 艾立克斯恩德·刚特司 , 皮耶罗·斯佛拉佐 , 陈宗良
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H01L21/02
Abstract: 一种处理衬底的装置、处理衬底的系统以及蚀刻衬底的方法。装置可包含：具有安置在处理腔室中的反应气体出口的反应气体源，反应气体出口将第一反应气体引导到衬底；耦合到处理腔室且包含提取板的等离子体腔室，提取板具有沿着第一方向延伸的提取孔隙、安置在处理腔室内以及可在面向反应气体源的第一位置与面向提取孔隙的第二位置之间沿着垂直于第一方向的第二方向移动；以及安置于反应气体出口与提取孔隙之间的气流限制器，气流限制器界定至少等离子体腔室与衬底平台之间的差动泵浦通道。本发明的处理衬底的装置提供较高产出率工艺的能力。
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公开(公告)号：CN107851576B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201680042951.2
申请日：2016-07-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种处理衬底的设备，可包括：提取板，自等离子体室提取等离子体束并将所述等离子体束引导至所述衬底，所述等离子体束可包含相对于所述衬底的平面的垂线而形成非零入射角的离子；以及气体出口系统，安置于所述等离子体室外部，所述气体出口系统耦合至气体源且被配置成将自所述气体源接收的反应气体递送至所述衬底，其中所述反应气体不通过所述等离子体室。本发明还提供一种处理衬底的系统及方法。本发明的处理衬底的设备能够实行对非挥发性金属的蚀刻以形成经图案化特征，同时避免或减少经蚀刻材料在经图案化特征上的再沉积。
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公开(公告)号：CN110088873B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201780078300.3
申请日：2017-11-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 杰伊·R·沃利斯 , 厄尼斯特·E·艾伦 , 理查德·J·赫尔特 , 艾立克斯恩德·C·刚特司 , 梁树荣 , 杰佛瑞·E·卡兰波特 , 泰勒·洛克威尔
IPC: H01J37/32 , H01J37/02 , H01J37/305
Abstract: 公开一种用于离子束装置的气体注入系统及制造其的萃取板的方法。所述气体注入系统包括萃取板，所述萃取板具有萃取开孔以允许离子束通过所述萃取板，所述萃取板还具有气体狭槽以从所述萃取板逐出残余物移除气体。气体注入系统可包括气体导管及气体源，所述气体导管在气体狭槽与气体歧管之间延伸穿过萃取板，气体源与气体歧管流体连通地连接，所述气体源容纳残余物移除气体。气体歧管可包括能够在第一位置与第二位置之间调节的阀门，在所述第一位置中允许残余物移除气体流动到萃取板中，在所述第二位置中所述残余物移除气体可从所述萃取板排出。气体注入系统还可包括耦合到气体歧管的歧管罩。
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