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公开(公告)号：CN102446899A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110300927.3
申请日：2011-09-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/525 , H01L27/10
CPC classification number: H01L27/11206 , G11C17/16 , H01L23/5252 , H01L27/0207 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。具体地，提供一种即使利用确定在电极上是否存在电荷积聚的方法也不能分析内部写入信息的反熔丝。该反熔丝包括栅极绝缘膜、栅电极和第一扩散层。第二扩散层通过器件隔离膜与第一扩散层隔离，并且与第一扩散层的导电类型相同。栅极布线形成为与栅电极成为一体，并且在器件隔离膜上延伸。公共接触将栅极布线耦合到第二扩散层。栅电极由掺杂有与第一扩散层导电类型相同的杂质的诸如多晶硅的半导体材料构成。第二扩散层仅耦合到公共接触。
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公开(公告)号：CN101728359B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200910179792.2
申请日：2009-10-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/525 , H01L23/528
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。半导体器件包括电熔丝和用于将电压施加给电熔丝的第二大面积布线。电熔丝包括熔丝单元，该熔丝单元包括上层熔丝布线、下层熔丝布线、以及连接上层熔丝布线和下层熔丝布线的导通孔，上层引出布线连接上层熔丝布线和第一大面积布线并且具有弯曲图案，并且下层引出布线连接下层熔丝布线和第二大面积布线并且具有弯曲图案。
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公开(公告)号：CN102683320B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210139034.X
申请日：2009-04-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：基板；电熔丝，以及第一导电吸热构件和第二导电吸热构件。电熔丝包括：形成在基板上方的下层互连；提供在下层互连上的通孔，以便连接到下层互连；以及提供在通孔上的上层互连，以便连接到通孔。第一导电吸热构件和第二导电吸热构件夹着下层互连、通孔和上层互连，其中第一导电吸热构件和第二导电吸热构件之间的距离在第一导电吸热构件和第二导电吸热构件夹着上层互连的区域处缩短。
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公开(公告)号：CN102683320A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210139034.X
申请日：2009-04-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：基板；电熔丝，以及第一导电吸热构件和第二导电吸热构件。电熔丝包括：形成在基板上方的下层互连；提供在下层互连上的通孔，以便连接到下层互连；以及提供在通孔上的上层互连，以便连接到通孔。第一导电吸热构件和第二导电吸热构件夹着下层互连、通孔和上层互连，其中第一导电吸热构件和第二导电吸热构件之间的距离在第一导电吸热构件和第二导电吸热构件夹着上层互连的区域处缩短。
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公开(公告)号：CN118053843A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311453266.7
申请日：2023-11-03
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/525 , H01L27/088
Abstract: 介电膜IF被设置在半导体衬底SB上，并且多个电熔丝部FU被设置在介电膜IF上。n型第一阱区WL1被设置在半导体衬底SB中以及半导体衬底SB的表面上。第一阱区WL1通过将位于多个电熔丝部FU中的每个电熔丝部FU下方的阱区WLa彼此整体地连接来形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107564886A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710386693.6
申请日：2017-05-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 高冈洋道
IPC: H01L23/525 , H01L27/112
Abstract: 提供了一种能够提高可靠性的半导体器件。该半导体器件设置有反熔丝元件，反熔丝元件包括半导体衬底、形成在半导体衬底中的第一导电类型的阱区、和通过栅极绝缘膜形成在半导体衬底之上的栅电极、以及在栅电极的两端处形成在阱区内的与第一导电类型相反的第二导电类型的源极区域。当写入熔丝元件中时，第一写入电位被施加给栅电极，第一参考电位被施加给阱区，中间电位被施加给源极区域，以及中间电位低于第一写入电位且高于第一参考电位。
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公开(公告)号：CN101651127B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910166063.3
申请日：2009-08-11
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/525 , H01L23/528 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；电熔丝，其包括形成在衬底上的下层布线、提供在下层布线上并连接到下层布线的第一通路、和提供在第一通路上并连接到第一通路的上层布线，在电熔丝的切断状态下，形成构成电熔丝的导电材料的流出部分；以及热扩散部，其包括热扩散布线，该热扩散布线形成在与上层布线和下层布线中之一相同的层中，并且布置在上层布线和下层布线中的所述之一的一侧上，热扩散部电连接到上层布线和下层布线中的所述之一上。
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公开(公告)号：CN115763421A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202210813266.2
申请日：2022-07-11
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/525 , H01L23/532 , H01L21/768 , H10N97/00
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。电熔丝元件具有第一部分、被布置在所述第一部分的一端的第二部分以及被布置在所述第一部分的另一端的第三部分。电阻器元件与所述电熔丝元件分开布置。所述电熔丝元件和所述电阻器元件中的每一者的材料具有硅金属或镍铬。所述电熔丝元件和所述电阻器元件被布置在所述第一布线的上层和所述第二布线的下层中。所述第二部分的布线宽度和所述第三部分的布线宽度大于所述第一部分的布线宽度。
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公开(公告)号：CN106558585A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610862656.3
申请日：2016-09-28
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 高冈洋道
IPC: H01L27/11 , H01L23/522 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L27/1104 , H01L21/31116 , H01L23/535 , H01L27/11582 , H01L28/00 , H01L28/60 , H01L23/5223
Abstract: 本发明提供一种提高SRAM的可靠性的半导体器件及半导体器件的制造方法。在SRAM的存储单元中，考虑到动态稳定性，在存储器节点间设置耦合电容。
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公开(公告)号：CN101562172B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910133551.4
申请日：2009-04-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/525 , H01L23/34 , H01L23/528
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置(200)，包括：电熔丝(100)，包括：下层互连(120)，形成在基板上；通孔(130)，提供在下层互连(120)上，以便连接到下层互连(120)；以及上层互连(110)，提供在通孔(130)上，以便连接到通孔(130)，通过形成流出部，电熔丝被切断，在切断之后的状态中，流出部在形成上层互连(110)的电导体流到上层互连(110)的外部时形成；以及防护上层互连(152)(导电吸热构件)，形成在至少与上层互连(110)相同的层中，用于吸收在上层互连(110)中产生的热。
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