公开(公告)号：CN118053843A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311453266.7

申请日：2023-11-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高冈洋道 ,  佐藤启之 ,  藤本裕希

IPC: H01L23/525 ,  H01L27/088

Abstract: 介电膜IF被设置在半导体衬底SB上，并且多个电熔丝部FU被设置在介电膜IF上。n型第一阱区WL1被设置在半导体衬底SB中以及半导体衬底SB的表面上。第一阱区WL1通过将位于多个电熔丝部FU中的每个电熔丝部FU下方的阱区WLa彼此整体地连接来形成。

公开(公告)号：CN105280612A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510302984.3

申请日：2015-06-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 佐藤启之 ,  中柴康隆

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L23/528 ,  H01L28/20 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，其中在重叠漏区和源区的区域中抑制电场的聚集。漏区形成在第一区中，源区形成在第二区中。场氧化膜在平面图中围绕第一区。金属互连位于场氧化膜上。金属互连由在25℃下具有40μΩ·cm或以上且200μΩ·cm或以下的电阻率的金属形成。而且，金属互连在沿第一区的边缘的方向上被螺旋地重复提供。而且，金属互连在最内周处与漏区电连接，且在最外周处与源区或接地电势电连接。

公开(公告)号：CN101840913B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201010135849.1

申请日：2010-03-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 内田慎一 ,  富留宫正之 ,  榊原宽 ,  岩垂史 ,  佐藤启之 ,  江口真 ,  泷雅人 ,  森下英俊 ,  加藤孝三 ,  森本淳

IPC: H01L25/00

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/645 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H04L25/0266 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。第一半导体芯片包括第一电感器和第二电感器，并且第二半导体芯片包括第三电感器和第四电感器。第一电感器连接至第一半导体芯片的第一接收电路，而第二电感器通过第一接合线连接至第二半导体芯片的第二传送电路。第三电感器连接至第二半导体芯片的第二接收电路，而第四电感器通过第二接合线连接至第一半导体芯片的第一传送电路。