公开(公告)号：CN101562172B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200910133551.4

申请日：2009-04-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高冈洋道 ,  窪田吉孝 ,  津田浩嗣

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/34 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置(200)，包括：电熔丝(100)，包括：下层互连(120)，形成在基板上；通孔(130)，提供在下层互连(120)上，以便连接到下层互连(120)；以及上层互连(110)，提供在通孔(130)上，以便连接到通孔(130)，通过形成流出部，电熔丝被切断，在切断之后的状态中，流出部在形成上层互连(110)的电导体流到上层互连(110)的外部时形成；以及防护上层互连(152)(导电吸热构件)，形成在至少与上层互连(110)相同的层中，用于吸收在上层互连(110)中产生的热。

公开(公告)号：CN102446899A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110300927.3

申请日：2011-09-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 大沼卓司 ,  日高宪一 ,  高冈洋道 ,  窪田吉孝 ,  津田浩嗣 ,  石毛清一

IPC: H01L23/525 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11206 ,  G11C17/16 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/0207 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。具体地，提供一种即使利用确定在电极上是否存在电荷积聚的方法也不能分析内部写入信息的反熔丝。该反熔丝包括栅极绝缘膜、栅电极和第一扩散层。第二扩散层通过器件隔离膜与第一扩散层隔离，并且与第一扩散层的导电类型相同。栅极布线形成为与栅电极成为一体，并且在器件隔离膜上延伸。公共接触将栅极布线耦合到第二扩散层。栅电极由掺杂有与第一扩散层导电类型相同的杂质的诸如多晶硅的半导体材料构成。第二扩散层仅耦合到公共接触。

公开(公告)号：CN101728359B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200910179792.2

申请日：2009-10-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 津田浩嗣 ,  窪田吉孝 ,  高冈洋道

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。半导体器件包括电熔丝和用于将电压施加给电熔丝的第二大面积布线。电熔丝包括熔丝单元，该熔丝单元包括上层熔丝布线、下层熔丝布线、以及连接上层熔丝布线和下层熔丝布线的导通孔，上层引出布线连接上层熔丝布线和第一大面积布线并且具有弯曲图案，并且下层引出布线连接下层熔丝布线和第二大面积布线并且具有弯曲图案。

公开(公告)号：CN101651127B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910166063.3

申请日：2009-08-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高冈洋道 ,  窪田吉孝 ,  津田浩嗣

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；电熔丝，其包括形成在衬底上的下层布线、提供在下层布线上并连接到下层布线的第一通路、和提供在第一通路上并连接到第一通路的上层布线，在电熔丝的切断状态下，形成构成电熔丝的导电材料的流出部分；以及热扩散部，其包括热扩散布线，该热扩散布线形成在与上层布线和下层布线中之一相同的层中，并且布置在上层布线和下层布线中的所述之一的一侧上，热扩散部电连接到上层布线和下层布线中的所述之一上。

公开(公告)号：CN102683320A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210139034.X

申请日：2009-04-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高冈洋道 ,  窪田吉孝 ,  津田浩嗣

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：基板；电熔丝，以及第一导电吸热构件和第二导电吸热构件。电熔丝包括：形成在基板上方的下层互连；提供在下层互连上的通孔，以便连接到下层互连；以及提供在通孔上的上层互连，以便连接到通孔。第一导电吸热构件和第二导电吸热构件夹着下层互连、通孔和上层互连，其中第一导电吸热构件和第二导电吸热构件之间的距离在第一导电吸热构件和第二导电吸热构件夹着上层互连的区域处缩短。

公开(公告)号：CN102683320B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210139034.X

申请日：2009-04-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高冈洋道 ,  窪田吉孝 ,  津田浩嗣

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：基板；电熔丝，以及第一导电吸热构件和第二导电吸热构件。电熔丝包括：形成在基板上方的下层互连；提供在下层互连上的通孔，以便连接到下层互连；以及提供在通孔上的上层互连，以便连接到通孔。第一导电吸热构件和第二导电吸热构件夹着下层互连、通孔和上层互连，其中第一导电吸热构件和第二导电吸热构件之间的距离在第一导电吸热构件和第二导电吸热构件夹着上层互连的区域处缩短。

公开(公告)号：CN101552259B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200910132972.5

申请日：2009-04-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 津田浩嗣

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置(1)具有半导体基板和在半导体基板上提供的第一电熔丝(12)和第二电熔丝(13)。第一电熔丝(12)具有在不同布线层中形成的第一上层布线(121)和第一下层布线(122)，以及用于将第一上层布线(121)连接到第一下层布线(122)的通孔(123)。第二电熔丝(13)具有在不同布线层中形成的第二上层布线(131)和第二下层布线(132)，以及用于将第二上层布线(131)连接到第二下层布线(132)的通孔(133)。半导体装置(1)具有用于将第一电熔丝(12)的上述第一上层布线(121)连接到第二电熔丝(13)的第二下层布线(132)的连接部(14)。连接部(14)串联连接第一电熔丝(12)和第二电熔丝(13)。