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公开(公告)号：CN103035602B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201210323243.X
申请日：2012-09-04
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L27/088 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/12036 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种提高了可靠性的半导体器件。开关功率MOSFET以及用于感测在功率MOSFET中流动的电流的感测MOSFET（感测MOSFET的面积小于功率MOSFET的）形成于一个半导体芯片内。半导体芯片经由导电性接合材料安装于芯片安装部之上，并且以树脂来密封。在半导体芯片的主表面之上，金属板与功率MOSFET的源极焊盘电极接合。在平面图中，金属板与感测MOSFET没有形成于其内的感测MOSFET区不重叠。金属板与源极焊盘电极接合，以便包围感测MOSFET区的三个边。
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公开(公告)号：CN103035602A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210323243.X
申请日：2012-09-04
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L27/088 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/12036 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种提高了可靠性的半导体器件。开关功率MOSFET以及用于感测在功率MOSFET中流动的电流的感测MOSFET（感测MOSFET的面积小于功率MOSFET的）形成于一个半导体芯片内。半导体芯片经由导电性接合材料安装于芯片安装部之上，并且以树脂来密封。在半导体芯片的主表面之上，金属板与功率MOSFET的源极焊盘电极接合。在平面图中，金属板与感测MOSFET没有形成于其内的感测MOSFET区不重叠。金属板与源极焊盘电极接合，以便包围感测MOSFET区的三个边。
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公开(公告)号：CN106067794B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201610252147.9
申请日：2016-04-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K17/042 , H03K17/16 , H03K17/687 , H01L29/78 , H01L29/808
Abstract: 一种半导体装置，提高半导体装置的性能。半导体装置具备具有栅电极(3g)、源电极(3s)以及漏电极(3d)的常开型的结型FET(3)和具有栅电极(4g)、源电极(4s)以及漏电极(4d)的常闭型的MOSFET(4)。结型FET(3)的源电极(3s)与MOSFET(4)的漏电极(4d)进行电连接，从而结型FET(3)与MOSFET(4)串联地连接。结型FET(3)的栅电极(3g)与MOSFET(4)的栅电极(4g)进行电连接。
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公开(公告)号：CN106067794A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610252147.9
申请日：2016-04-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K17/042 , H03K17/16 , H03K17/687 , H01L29/78 , H01L29/808
CPC classification number: H01L25/18 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L29/1095 , H01L2224/0603 , H01L2224/48137 , H01L2224/48225 , H01L2224/49113 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1203 , H01L2924/1207 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H02P27/06 , H03K17/102 , H03K17/6871 , H03K17/74 , H03K2017/6875 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099 , H03K17/04206 , H01L29/7827 , H01L29/808 , H03K17/161 , H03K17/687
Abstract: 一种半导体装置，提高半导体装置的性能。半导体装置具备具有栅电极(3g)、源电极(3s)以及漏电极(3d)的常开型的结型FET(3)和具有栅电极(4g)、源电极(4s)以及漏电极(4d)的常闭型的MOSFET(4)。结型FET(3)的源电极(3s)与MOSFET(4)的漏电极(4d)进行电连接，从而结型FET(3)与MOSFET(4)串联地连接。结型FET(3)的栅电极(3g)与MOSFET(4)的栅电极(4g)进行电连接。
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