半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106067794B

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN201610252147.9

    申请日:2016-04-21

    Abstract: 一种半导体装置,提高半导体装置的性能。半导体装置具备具有栅电极(3g)、源电极(3s)以及漏电极(3d)的常开型的结型FET(3)和具有栅电极(4g)、源电极(4s)以及漏电极(4d)的常闭型的MOSFET(4)。结型FET(3)的源电极(3s)与MOSFET(4)的漏电极(4d)进行电连接,从而结型FET(3)与MOSFET(4)串联地连接。结型FET(3)的栅电极(3g)与MOSFET(4)的栅电极(4g)进行电连接。

    电力转换系统、功率模块及半导体器件

    公开(公告)号:CN106911250A

    公开(公告)日:2017-06-30

    申请号:CN201611194071.5

    申请日:2016-12-21

    Abstract: 本发明提供一种能够实现成本的降低的电力转换系统、功率模块及半导体器件。电力转换系统具有:第一结合电路(HCC1、HCC2),包含控制器(CTLU)与高压侧电路(HSU)之间的布线;第二结合电路(LCC),包含控制器(CTLU)与低压侧电路(LSU)之间的布线。第一结合电路(HCC1、HCC2)具有二极管(DD1、DD2),该二极管(DD1、DD2)的正极与来自控制器(CTLU)的布线结合,该二极管(DD1、DD2)的负极与来自高压侧电路(HSU)的布线结合。

    电力转换系统、功率模块及半导体器件

    公开(公告)号:CN106911250B

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201611194071.5

    申请日:2016-12-21

    Abstract: 本发明提供一种能够实现成本的降低的电力转换系统、功率模块及半导体器件。电力转换系统具有:第一结合电路(HCC1、HCC2),包含控制器(CTLU)与高压侧电路(HSU)之间的布线;第二结合电路(LCC),包含控制器(CTLU)与低压侧电路(LSU)之间的布线。第一结合电路(HCC1、HCC2)具有二极管(DD1、DD2),该二极管(DD1、DD2)的正极与来自控制器(CTLU)的布线结合,该二极管(DD1、DD2)的负极与来自高压侧电路(HSU)的布线结合。

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