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    半导体装置
    1.
    发明授权
    半导体装置 失效

    公开(公告)号：CN106067794B

    公开(公告)日：2021-04-20

    申请号：CN201610252147.9

    申请日：2016-04-21

    Applicant: 瑞萨电子株式会社

    Inventor： 豊田久志 ,  山崎幸一 ,  新井耕一 ,  关达弘

    IPC: H03K17/042 ,  H03K17/16 ,  H03K17/687 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

    Abstract: 一种半导体装置，提高半导体装置的性能。半导体装置具备具有栅电极(3g)、源电极(3s)以及漏电极(3d)的常开型的结型FET(3)和具有栅电极(4g)、源电极(4s)以及漏电极(4d)的常闭型的MOSFET(4)。结型FET(3)的源电极(3s)与MOSFET(4)的漏电极(4d)进行电连接，从而结型FET(3)与MOSFET(4)串联地连接。结型FET(3)的栅电极(3g)与MOSFET(4)的栅电极(4g)进行电连接。

    电力转换系统、功率模块及半导体器件
    2.
    发明公开
    电力转换系统、功率模块及半导体器件 有权

    公开(公告)号：CN106911250A

    公开(公告)日：2017-06-30

    申请号：CN201611194071.5

    申请日：2016-12-21

    Applicant: 瑞萨电子株式会社

    Inventor： 横井芳彦 ,  小嶋勇介 ,  山崎幸一

    IPC: H02M1/088 ,  H02M7/537

    Abstract: 本发明提供一种能够实现成本的降低的电力转换系统、功率模块及半导体器件。电力转换系统具有：第一结合电路(HCC1、HCC2)，包含控制器(CTLU)与高压侧电路(HSU)之间的布线；第二结合电路(LCC)，包含控制器(CTLU)与低压侧电路(LSU)之间的布线。第一结合电路(HCC1、HCC2)具有二极管(DD1、DD2)，该二极管(DD1、DD2)的正极与来自控制器(CTLU)的布线结合，该二极管(DD1、DD2)的负极与来自高压侧电路(HSU)的布线结合。

    电力转换系统、功率模块及半导体器件
    3.
    发明授权
    电力转换系统、功率模块及半导体器件 有权

    公开(公告)号：CN106911250B

    公开(公告)日：2020-07-24

    申请号：CN201611194071.5

    申请日：2016-12-21

    Applicant: 瑞萨电子株式会社

    Inventor： 横井芳彦 ,  小嶋勇介 ,  山崎幸一

    IPC: H02M1/088 ,  H02M7/537

    Abstract: 本发明提供一种能够实现成本的降低的电力转换系统、功率模块及半导体器件。电力转换系统具有：第一结合电路(HCC1、HCC2)，包含控制器(CTLU)与高压侧电路(HSU)之间的布线；第二结合电路(LCC)，包含控制器(CTLU)与低压侧电路(LSU)之间的布线。第一结合电路(HCC1、HCC2)具有二极管(DD1、DD2)，该二极管(DD1、DD2)的正极与来自控制器(CTLU)的布线结合，该二极管(DD1、DD2)的负极与来自高压侧电路(HSU)的布线结合。

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