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公开(公告)号:CN106067794B
公开(公告)日:2021-04-20
申请号:CN201610252147.9
申请日:2016-04-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K17/042 , H03K17/16 , H03K17/687 , H01L29/78 , H01L29/808
Abstract: 一种半导体装置,提高半导体装置的性能。半导体装置具备具有栅电极(3g)、源电极(3s)以及漏电极(3d)的常开型的结型FET(3)和具有栅电极(4g)、源电极(4s)以及漏电极(4d)的常闭型的MOSFET(4)。结型FET(3)的源电极(3s)与MOSFET(4)的漏电极(4d)进行电连接,从而结型FET(3)与MOSFET(4)串联地连接。结型FET(3)的栅电极(3g)与MOSFET(4)的栅电极(4g)进行电连接。
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公开(公告)号:CN106911250A
公开(公告)日:2017-06-30
申请号:CN201611194071.5
申请日:2016-12-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够实现成本的降低的电力转换系统、功率模块及半导体器件。电力转换系统具有:第一结合电路(HCC1、HCC2),包含控制器(CTLU)与高压侧电路(HSU)之间的布线;第二结合电路(LCC),包含控制器(CTLU)与低压侧电路(LSU)之间的布线。第一结合电路(HCC1、HCC2)具有二极管(DD1、DD2),该二极管(DD1、DD2)的正极与来自控制器(CTLU)的布线结合,该二极管(DD1、DD2)的负极与来自高压侧电路(HSU)的布线结合。
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公开(公告)号:CN106911250B
公开(公告)日:2020-07-24
申请号:CN201611194071.5
申请日:2016-12-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够实现成本的降低的电力转换系统、功率模块及半导体器件。电力转换系统具有:第一结合电路(HCC1、HCC2),包含控制器(CTLU)与高压侧电路(HSU)之间的布线;第二结合电路(LCC),包含控制器(CTLU)与低压侧电路(LSU)之间的布线。第一结合电路(HCC1、HCC2)具有二极管(DD1、DD2),该二极管(DD1、DD2)的正极与来自控制器(CTLU)的布线结合,该二极管(DD1、DD2)的负极与来自高压侧电路(HSU)的布线结合。
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公开(公告)号:CN106067794A
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:CN201610252147.9
申请日:2016-04-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K17/042 , H03K17/16 , H03K17/687 , H01L29/78 , H01L29/808
CPC classification number: H01L25/18 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L29/1095 , H01L2224/0603 , H01L2224/48137 , H01L2224/48225 , H01L2224/49113 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1203 , H01L2924/1207 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H02P27/06 , H03K17/102 , H03K17/6871 , H03K17/74 , H03K2017/6875 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099 , H03K17/04206 , H01L29/7827 , H01L29/808 , H03K17/161 , H03K17/687
Abstract: 一种半导体装置,提高半导体装置的性能。半导体装置具备具有栅电极(3g)、源电极(3s)以及漏电极(3d)的常开型的结型FET(3)和具有栅电极(4g)、源电极(4s)以及漏电极(4d)的常闭型的MOSFET(4)。结型FET(3)的源电极(3s)与MOSFET(4)的漏电极(4d)进行电连接,从而结型FET(3)与MOSFET(4)串联地连接。结型FET(3)的栅电极(3g)与MOSFET(4)的栅电极(4g)进行电连接。
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