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公开(公告)号:CN108242804A
公开(公告)日:2018-07-03
申请号:CN201711424028.8
申请日:2017-12-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本申请涉及半导体器件和功率转换器。旨在提供一种半导体器件,其能够防止关断时的浪涌电压,而不会使栅极驱动电路复杂化且不会使开关延迟增大。半导体器件具有以下配置,其中通过包括用于控制在第一主电极与第二主电极之间流动的电流的多个控制电极,将多个晶体管等效地并联耦合。来自公共控制端子的控制信号的传输路径的电阻值关于每个控制电极而变化。
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公开(公告)号:CN106911250B
公开(公告)日:2020-07-24
申请号:CN201611194071.5
申请日:2016-12-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够实现成本的降低的电力转换系统、功率模块及半导体器件。电力转换系统具有:第一结合电路(HCC1、HCC2),包含控制器(CTLU)与高压侧电路(HSU)之间的布线;第二结合电路(LCC),包含控制器(CTLU)与低压侧电路(LSU)之间的布线。第一结合电路(HCC1、HCC2)具有二极管(DD1、DD2),该二极管(DD1、DD2)的正极与来自控制器(CTLU)的布线结合,该二极管(DD1、DD2)的负极与来自高压侧电路(HSU)的布线结合。
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公开(公告)号:CN106911250A
公开(公告)日:2017-06-30
申请号:CN201611194071.5
申请日:2016-12-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够实现成本的降低的电力转换系统、功率模块及半导体器件。电力转换系统具有:第一结合电路(HCC1、HCC2),包含控制器(CTLU)与高压侧电路(HSU)之间的布线;第二结合电路(LCC),包含控制器(CTLU)与低压侧电路(LSU)之间的布线。第一结合电路(HCC1、HCC2)具有二极管(DD1、DD2),该二极管(DD1、DD2)的正极与来自控制器(CTLU)的布线结合,该二极管(DD1、DD2)的负极与来自高压侧电路(HSU)的布线结合。
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公开(公告)号:CN116741774A
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN202310210380.0
申请日:2023-03-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/40 , H01L29/06
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件,改进了包括主MOSFET和感测MOSFET的半导体器件的性能,主MOSFET和感测MOSFET具有双栅极结构,双栅极结构包括在沟槽内的栅极电极和场板电极。包括第二沟槽内的栅极电极和场板电极的主MOSFET和包括第四沟槽内的栅极电极和场板电极的用于电流检测的感测MOSFET分别被不同的终端环围绕。
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