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公开(公告)号：CN119921080A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202311425583.8
申请日：2023-10-30
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 一种天线结构，包括介质层、辐射层、接地层和连接器，介质层的上表面设有凹槽，辐射层随形设置在凹槽的内壁上，辐射层的辐射面为曲面，接地层设置于介质层的下表面，连接器电性连接辐射层和接地层。本发明的天线结构能改善天线结构高频阻抗匹配，提高阻抗带宽。本发明还涉及一种天线结构的制作方法及智能终端。
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公开(公告)号：CN119694896A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311244509.6
申请日：2023-09-25
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种柔性芯片封装方法及柔性芯片封装结构，包括：柔性衬底具有第一面和第二面，在所述柔性衬底上开设从所述第一面贯通至所述第二面的安装孔；将第一散热膜安装至所述第一面处，并使所述第一散热膜对所述安装孔的一端进行遮挡；在所述第二面背离所述第一面的一侧，将所述柔性芯片安装至所述安装孔处；将第二散热膜安装至所述第二面处，并使所述第二散热膜覆盖在所述柔性芯片上。柔性衬底通过设置安装孔，使得柔性芯片能够向第一散热膜和第二散热膜传导热量，借由第一散热膜和第二散热膜较大的散热面积，较快地降低柔性芯片温度，从而提升柔性芯片的工作稳定性。
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公开(公告)号：CN118281547A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211736472.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本申请提供了一种柔性天线阵及其制备方法。其中，柔性天线阵包括三维柔性介质基板、多个微带阵元、馈电网络和天线地面，三维柔性介质基板包括底层薄膜层和位于底层薄膜层的第一侧面的多个台阶结构，底层薄膜层和多个台阶结构为一体成型结构；多个微带阵元分别设置在多个台阶结构上；馈电网络设置在底层薄膜层的第一侧面上，馈电网络电连接多个微带阵元；天线地面设置在底层薄膜层的第二侧面上。本申请实施例的柔性天线阵采用三维柔性结构的三维柔性介质基板，通过底层薄膜层和台阶结构的三维结构设计，在不影响天线阵的辐射特性的情况下，提高天线阵的柔性，有利于天线阵的曲面共形和重量减轻。
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公开(公告)号：CN118280932A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211733730.3
申请日：2022-12-30
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种耐腐蚀柔性电子器件封装结构及其制备方法，属于柔性电子器件领域。所述封装结构包括依次层叠设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层，所述第一封装层包括有机化合物材料，所述第二封装层包括无机氧化物材料，所述第三封装层包括含氟聚合物材料，所述有机化合物材料包括派瑞林、聚酰亚胺或聚四氟乙烯中的至少一种，所述无机氧化物材料包括三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、氧化镁、氧化锆或氧化锌中的至少一种，所述含氟聚合物材料包括聚偏氟乙烯、全氟(1‑丁烯基乙烯基醚)聚合物或全氟烷氧基树脂中的至少一种。所述封装结构具有良好的柔性、水氧阻隔能力、耐有机溶剂腐蚀性能和耐酸碱腐蚀性能，适用于柔性电子器件的封装。
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公开(公告)号：CN118280931A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211733708.9
申请日：2022-12-30
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种柔性电子器件封装结构及其制备方法，属于柔性电子器件技术领域。所述封装结构包括第一封装层和第二封装层，所述第一封装层包括第一有机化合物层，所述第一有机化合物层上设置有多个第一空洞，所述第一空洞内设置有第一无机氧化物层，所述第二封装层包括第二无机氧化物层，所述第二无机氧化物层上设置有多个第二空洞，所述第二空洞内设置有第二有机化合物层，所述第一空洞和所述第二空洞上下对应且所述第一空洞位于所述第二空洞内。所述封装结构能够有效减小无机氧化物层的应力集中，增加封装层在柔性电子器件弯曲变形时的有效性，实现柔性电子器件的长时间密封。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118263304A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211679962.5
申请日：2022-12-27
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种半导体漂移层及其制备方法和应用。所述用于场效应晶体管的半导体漂移层，包括镓基半导体层以及包埋在所述镓基半导体层内部的导热埋层；其中，在水平方向上，所述镓基半导体层具有相互平行的第一表面和第二表面，所述导热埋层与所述第一表面之间的距离d1为100nm‑300nm，所述导热埋层在水平方向上的长度大于或者等于1μm。所述半导体漂移层能够有效解决近结散热问题，提高了场效应晶体管的热击穿温度和耐击穿能力，从而提升了功率和效率，尤其适用于HEMT器件的高效散热。
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公开(公告)号：CN118258531A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211693517.4
申请日：2022-12-28
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: G01L1/22
Abstract: 本发明提供了一种阵列式压力传感器及其制造方法，其能够在实现压力分布的长期稳定监测的同时，便于实现曲面的压力监测。该阵列式压力传感器包括：基底膜；传感芯片阵列，该传感芯片阵列包括间隔地阵列排布于该基底膜的多个压力传感芯片，每个该压力传感芯片包括减薄硅片和设置于该减薄硅片的正面的惠斯通电桥，该减薄硅片是通过研磨硅片基材的背面且经过分割而成的；电路层，该电路层包括柔性膜和设置于该柔性膜的电路主体，该传感芯片阵列被包埋在该柔性膜和该基底膜之间，并且该电路主体电连接于该惠斯通电桥；以及封装膜，该封装膜被设置于该电路层的上表面以覆盖该电路主体。
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公开(公告)号：CN110557902B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201810552110.7
申请日：2018-05-31
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种激光转印装置及方法，所述装置包括：激光器、扩束器、分光镜以及聚焦模块；所述激光器用于产生激光束；所述扩束器设置在所述激光器产生的激光束的光路上，用于将激光器产生的激光束扩束；所述分光镜设置在所述扩束器扩束后的激光束的光路上，用于使扩束后的激光束经过反射后进入所述聚焦模块；所述聚焦模块设置在所述分光镜反射后的激光束的光路上，用于对激光束进行聚焦并将聚焦后的激光束投射至预定转印加工位置。利用聚焦后的激光束进行转印，激光束照射面积减小，减小了热扩散的范围，进一步的减小了对周边其他器件的影响，实现了高精度的选择性转印。
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公开(公告)号：CN118149870A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202211545200.6
申请日：2022-12-05
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: G01D5/353 , G02B6/04 , G01D5/26 , D03D15/275 , D03D15/60 , D03D11/00 , C08J5/24 , C08L63/00 , C08K7/06
Abstract: 本申请涉及一种智能复合材料结构及其制备方法，智能复合材料结构包括纤维束、光纤传感器和高分子基体。光纤传感器呈长条状，纤维束和至少一光纤传感器混合编织形成编织结构，高分子基体包裹编织结构。智能复合材料结构的制备方法中，提供纤维束和光纤传感器；互相编织纤维束和至少一光纤传感器，形成编织结构；形成包裹编织结构的高分子基体，得到智能复合材料结构。本申请的智能复合材料结构中，通过光纤传感器与纤维束编织形成被高分子基体包裹的编织结构，由于平滑了纤维和光纤传感器之间的模量差异，因此具有良好的传感精度以及稳定的力学性能。
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公开(公告)号：CN117858517A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311523347.X
申请日：2023-11-15
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H10K10/46 , G01L1/14 , H10K10/88 , H10K71/10 , H10K71/12 , H10K71/13 , H10K71/60 , H10K85/10 , H10K85/00
Abstract: 本发明提供了一种耐弯折柔性压力传感器，从下到上包括衬底、栅电极、介电层、半导体层、源电极、漏电极以及封装层；所述介电层材料为i型卡拉胶或/和k型卡拉胶；所述半导体层材料为i型卡拉胶与生物半导体材料的混合材料或为k型卡拉胶与生物半导体材料的混合材料；所述半导体层材料中卡拉胶的含量为2％～10％。本发明还提供了一种耐弯折柔性压力传感器的制备方法。本发明提供的一种耐弯折柔性压力传感器，具有高灵敏度，高稳定性以及高寿命性，且其制备方法简单，生产成本低廉，绿色环保。
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