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公开(公告)号：CN107612514B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201711034833.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。
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公开(公告)号：CN107833923A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711034834.4
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L29/20 , H01L29/401 , H01L29/42356 , H01L29/66446 , H01L29/66484
Abstract: 本发明公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III-V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；该制备方法包括步骤，首先在单晶硅衬底上设置第一键合片；然后在III-V族半导体外延衬底上依次沉积背栅介质层的材料层、背栅电极的材料层、在隔离层、第二键合片；将第一键合片和所述第二键合片键合在一起，形成介质键合层；然后再成形、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极。采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III-V族CMOS技术要求。
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公开(公告)号：CN107612514A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201711034833.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。
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公开(公告)号：CN207442796U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201721410659.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207441705U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201721428381.9
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本实用新型公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III-V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III-V族CMOS技术要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105489533A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201511024792.7
申请日：2015-12-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
CPC classification number: H02J9/061 , B25J19/06 , H01L21/67121
Abstract: 本发明公开一种贴片机停电摆臂防撞系统，由不间断电源、输入输出接口控制板、马达驱动板、X轴马达、Y轴马达和θ轴马达组成。其中不间断电源的输入端与市电相连，不间断电源的输出端经输入输出控制接口板与马达驱动板的输入端相连，马达驱动板的输出端分别与X轴马达、Y轴马达和θ轴马达相连。本发明能够避免了贴片机在遭遇突然停电，摆臂因惯性撞击轨道，而导致设备的损坏，降低了维修费用，保证了生产效率。
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公开(公告)号：CN105334879A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510855275.8
申请日：2015-11-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: G05D11/13
CPC classification number: G05D11/131
Abstract: 本发明公开了一种用于铜线键合加工的保护气体监测系统，包括混合罐、氢气储罐和氮气储罐，氢气储罐和氮气储罐均通过输送管与混合罐的入口连接，还包括DCS控制系统和氢气分析仪，在各输送管上依次设有压力传感器、调压阀、流量调节阀、流量传感器和流量计，所述压力传感器和流量传感器与DCS控制系统的信号输入端连接，调压阀、流量调节阀和流量计与DCS控制系统的信号输出端连接；所述氢气分析仪的采集端与混合罐连接、其输出端与DCS控制系统的信号输入端连接。本发明能准确地监控铜线键合时所需的氮氢保护气体的压力、流量及配比值，有效地提高产品的良品率，具有检测精确、控制响应速度快，反应灵敏的特点。
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公开(公告)号：CN105320165A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510857830.0
申请日：2015-11-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
CPC classification number: Y02B30/746
Abstract: 本发明公开了一种车间氢气自动排放系统，包括安装于车间顶部上的至少2个排气扇，各排气扇上均连接有一驱动电机，还包括依次连接的光发射模块、光接收模块、光电检测模块和控制处理模块，在控制处理模块的输出端上还连接有一PC机。本发明通过检测光波在光纤中传播的波长、光强等由于氢气浓度的不同而产生的变化，通过处理器计算出氢气的浓度值，从而实现氢气浓度的实时监测，当氢气的浓度超出设定的安全范围值时，处理器发出报警信号且控制驱动电机启动，排气扇工作，自动排出氢气、直至氢气的浓度恢复到设定的安全值为止。延长了排气扇的使用寿命，降低了能耗，具有灵敏度高、检测效果好、结构简单、智能化程度高的特点。
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公开(公告)号：CN105188335A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510639912.8
申请日：2015-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H05K13/04
Abstract: 本发明公开了一种消除贴片机热应力装置，包括轨道、运行于轨道上的铜框架以及架设于轨道上的加温区域，还包括安装设置在轨道尾部上的延长轨道，该延长轨道与轨道处于同一水平面上形成冷却区域。本发明能有效减少芯片内部应力，不会出现芯片上层与粘在框架的下层开裂分离现象，同时芯片测试参数得到明显改善，产品不良品明显减少，有效的提高生产效率。
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公开(公告)号：CN105538681A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510989409.5
申请日：2015-12-25
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: B29C63/00
CPC classification number: B29C63/00
Abstract: 本发明公开了一种自动检测上料架是否平整放入模具的装置，包括水平安装于机架上的模具，所述模具用于平整放置待冲压的上料架，还包括检测控制器，所述检测控制器包括单片机和与单片机连接的供电电源，所述单片机的输入端连接有4个接触式压力传感器、其输出端连接有语音播报器和LED显示灯，4个接触式压力传感器分别同平面安装在模具上的四个边角位置、且该四个边角位置与上料架上的边角相对应。本发明实现了自动检测上料架是否平整放入模具的目的，避免了人为检测不准确、检测时间长的情况，具有自动化程度高，检测结果稳定，结构简单的特点。
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