公开(公告)号：CN105070681B

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201510522304.9

申请日：2015-08-24

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  吉宪 ,  李琦 ,  高喜 ,  首照宇 ,  肖功利 ,  黄伟 ,  丁志华

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/306 ,  H01L21/265 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法，针对变组分高电子迁移率晶体管的有源区电学隔离，提出了湿法腐蚀和离子注入相结合的隔离方法，即首先去除表面高掺杂层，再进行离子注入隔离，有效提高了离子注入的注入效果，进而提高了有源区之间的隔离效果；在同等条件下，离子注入和台面腐蚀相结合的隔离方法，具有电学隔离效果好、工艺兼容性强、对后续工艺影响较小、具有良好的重复性和便于实现等特点，并有效地避免了单独采用台面腐蚀和离子注入的弊端，对半导体制造工艺有很好的使用价值。

公开(公告)号：CN105070656B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201510414120.0

申请日：2015-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  林子曾 ,  曹明民 ,  周佳辉 ,  常虎东 ,  丁志华 ,  张旭芳 ,  李琦 ,  肖功利

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种降低GaAs背孔工艺中等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括以下步骤：在衬底正面匀涂电子束光刻胶；用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上；将粘有衬底的石英托粘贴在减薄玻璃片上；进行减薄工艺；将石英托连同衬底从减薄玻璃片上取下；匀涂光刻胶并烘片；形成背孔图形；形成背孔；去光刻胶和液态蜡，使衬底片和石英托分离；其中，液态蜡是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明采用液态蜡替代传统的高温蜡，既不会产生互溶问题，还具备优良的粘附性，并解决由于等离子体轰击而溅射的高温蜡和金属污染等离子体刻蚀机腔体内壁的问题。

公开(公告)号：CN105428236A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201511025094.9

申请日：2015-12-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  康维华 ,  首照宇 ,  高喜 ,  丁志华 ,  莫如愚 ,  李琦 ,  肖功利 ,  蒋行国 ,  翟江辉 ,  徐卫林

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT射频器件及其栅极自对准制备方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。包括以下步骤：材料结构从下到上包括半绝缘SiC衬底、AlGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层；有源区台面隔离；临时栅脚制作；栅脚边墙制作；二次外延区域刻蚀；n+GaN二次外延；源漏极欧姆接触制作；表面平坦化；临时栅脚保形移除；T形栅制作。本发明采用栅极自对准工艺，可实现很小的栅源、栅漏间距，极大提高器件频率性能。还可以通过利用样品上已有图形对后续工艺进行尺度控制，仅通过一次电子束光刻即可得到多个纳米尺度的图形，极大节约了工艺成本。此外，此工艺精确度远远高于普通套刻工艺。

公开(公告)号：CN105070681A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510522304.9

申请日：2015-08-24

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  吉宪 ,  李琦 ,  高喜 ,  首照宇 ,  肖功利 ,  黄伟 ,  丁志华

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/306 ,  H01L21/265 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L21/7605 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/762 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法，针对变组分高电子迁移率晶体管的有源区电学隔离，提出了湿法腐蚀和离子注入相结合的隔离方法，即首先去除表面高掺杂层，再进行离子注入隔离，有效提高了离子注入的注入效果，进而提高了有源区之间的隔离效果；在同等条件下，离子注入和台面腐蚀相结合的隔离方法，具有电学隔离效果好、工艺兼容性强、对后续工艺影响较小、具有良好的重复性和便于实现等特点，并有效地避免了单独采用台面腐蚀和离子注入的弊端，对半导体制造工艺有很好的使用价值。

公开(公告)号：CN105070656A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510414120.0

申请日：2015-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  林子曾 ,  曹明民 ,  周佳辉 ,  常虎东 ,  丁志华 ,  张旭芳 ,  李琦 ,  肖功利

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32477

Abstract: 本发明公开了一种降低GaAs背孔工艺中等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括以下步骤：在衬底正面匀涂电子束光刻胶；用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上；将粘有衬底的石英托粘贴在减薄玻璃片上；进行减薄工艺；将石英托连同衬底从减薄玻璃片上取下；匀涂光刻胶并烘片；形成背孔图形；形成背孔；去光刻胶和液态蜡，使衬底片和石英托分离；其中，液态蜡是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明采用液态蜡替代传统的高温蜡，既不会产生互溶问题，还具备优良的粘附性，并解决由于等离子体轰击而溅射的高温蜡和金属污染等离子体刻蚀机腔体内壁的问题。

公开(公告)号：CN105018025A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510412159.9

申请日：2015-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  曹明民 ,  林子曾 ,  周佳辉 ,  丁志华 ,  常虎东 ,  张旭芳 ,  李琦 ,  肖功利 ,  高喜

IPC: C09J191/06

Abstract: 本发明公开了一种GaAs MMIC减薄工艺中粘片用的液态蜡，它是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明用Crystalbond 509强力粘合剂溶于丙酮中所得的液态蜡代替传统粘片工艺中使用的高温蜡，在液态蜡和光刻胶接触部分不会产生互溶问题，避免了因光刻胶和高温蜡的互溶而产生的较难去除的有机物；其次，由于液态蜡和光刻胶均易溶于丙酮，分离时只需要采用丙酮溶液浸泡即可，解决了传统工艺中用高温蜡粘片时去胶慢去胶难的问题；再者，本发明所述液态蜡具有极强的粘附性，有效地解决了后续抛光和减薄过程中的碎片问题。

公开(公告)号：CN206422052U

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201720132443.5

申请日：2017-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  丁志华 ,  首照宇 ,  李琦 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  李思敏 ,  高喜 ,  傅涛 ,  王晓峰 ,  潘岭峰 ,  张紫辰

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

Abstract: 本实用新型公开一种红外探测器薄膜激光退火系统，包括激光器、扩束准直镜、光阑、高反镜、整形镜、平凸柱面镜、载物台和位移平台；红外探测器放置在载物台的表面，载物台安装在位移平台上；激光器、扩束准直镜和光阑位于同一直线上，整形镜、平凸柱面镜和载物台位于同一直线上；激光器产生的激光光束依次经过扩束准直镜和光阑后入射到高反镜，激光光束经高反镜的反射后改变方向，并依次经过整形镜和平凸柱面镜后入射到载物台上的红外探测器的薄膜表面。本实用新型具有加工时间短、效率高、工艺成本低、且不会影响芯片性能的特点。