公开(公告)号：CN104538321B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201410756710.7

申请日：2014-12-10

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 朱为为 ,  吴煜东 ,  颜骥 ,  张明 ,  邹冰艳 ,  操国宏 ,  唐革 ,  王政英 ,  姚震洋 ,  刘芹 ,  高军

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法，所述方法包括以下步骤：a.在钼片上设置第一银层；b.在硅片的阳极上设置第二银层；c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间；d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在一起。该方法工艺简单，成品率高，焊接强度高、焊接层空洞率低，变形量小，可大大的提高产品的性能。本发明还涉及上述方法制得的硅片/钼片焊接产品的应用。

公开(公告)号：CN105225992A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510737109.8

申请日：2015-11-03

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 王东东 ,  王政英 ,  邹冰艳 ,  刘芹 ,  唐革 ,  郭润庆 ,  刘锐鸣 ,  高军 ,  刘应 ,  姚震洋

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本申请公开了一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法，其中，所述刻蚀装置的底座上用于放置多个所述夹片环，相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，当利用所述夹紧装置夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片后可以通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体对所述晶圆片进行刻蚀。由于至少两个所述晶圆片紧贴，且仅有所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，因此在所述腐蚀液体通过所述夹片环的进液槽注入后，所述腐蚀液体仅能够接触到所述晶圆片的待刻蚀面，从而达到了对所述晶圆片单面刻蚀的目的。

公开(公告)号：CN104538321A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410756710.7

申请日：2014-12-10

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 朱为为 ,  吴煜东 ,  颜骥 ,  张明 ,  邹冰艳 ,  操国宏 ,  唐革 ,  王政英 ,  姚震洋 ,  刘芹 ,  高军

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法，所述方法包括以下步骤：a.在钼片上设置第一银层；b.在硅片的阳极上设置第二银层；c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间；d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在一起。该方法工艺简单，成品率高，焊接强度高、焊接层空洞率低，变形量小，可大大的提高产品的性能。本发明还涉及上述方法制得的硅片/钼片焊接产品的应用。

公开(公告)号：CN105225992B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201510737109.8

申请日：2015-11-03

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 王东东 ,  王政英 ,  邹冰艳 ,  刘芹 ,  唐革 ,  郭润庆 ,  刘锐鸣 ,  高军 ,  刘应 ,  姚震洋

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本申请公开了一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法，其中，所述刻蚀装置的底座上用于放置多个所述夹片环，相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，当利用所述夹紧装置夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片后可以通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体对所述晶圆片进行刻蚀。由于至少两个所述晶圆片紧贴，且仅有所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，因此在所述腐蚀液体通过所述夹片环的进液槽注入后，所述腐蚀液体仅能够接触到所述晶圆片的待刻蚀面，从而达到了对所述晶圆片单面刻蚀的目的。

公开(公告)号：CN104549840B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201410809882.6

申请日：2014-12-23

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘锐鸣 ,  唐革 ,  操国宏 ,  邹冰艳 ,  颜骥 ,  吴煜东 ,  邹昌 ,  刘芹 ,  王政英 ,  姚震洋

IPC: B05B13/02 ,  H01L21/22

Abstract: 本发明提供了一种硼扩散源双面喷涂装置，包括：射流器；承载底座，其与射流器的喷射方向相对设置，所述承载底座包括：位于承载底座底部的定位孔，用于固定承载底座；用于定位喷涂样品的定位边缘，用于固定样品；和用于支撑所述喷涂样品的支撑台阶，使得所述喷涂样品与台阶底部的底座面之间存在空隙。本发明还提供了一种进行硼扩散源双面喷涂的方法。

公开(公告)号：CN104549840A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410809882.6

申请日：2014-12-23

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘锐鸣 ,  唐革 ,  操国宏 ,  邹冰艳 ,  颜骥 ,  吴煜东 ,  邹昌 ,  刘芹 ,  王政英 ,  姚震洋

IPC: B05B13/02 ,  H01L21/22

Abstract: 本发明提供了一种硼扩散源双面喷涂装置，包括：射流器；承载底座，其与射流器的喷射方向相对设置，所述承载底座包括：位于承载底座底部的定位孔，用于固定承载底座；用于定位喷涂样品的定位边缘，用于固定样品；和用于支撑所述喷涂样品的支撑台阶，使得所述喷涂样品与台阶底部的底座面之间存在空隙。本发明还提供了一种进行硼扩散源双面喷涂的方法。

公开(公告)号：CN101275287A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810000172.3

申请日：2008-01-02

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 邹冰艳 ,  刘国友 ,  姚震洋 ,  王政英 ,  黄建伟

IPC: C30B33/10 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种大面积硅片的旋转腐蚀系统及方法，包括自转腐蚀夹具、公转机械臂、腐蚀槽、去离子水清洗槽、鼓气泡搅拌装置、冷凝和温控装置；所述腐蚀夹具安装于机械臂上并在转动电机的带动下做匀速自转，腐蚀槽装有化学腐蚀液，鼓气泡搅拌装置位于槽底，冷凝管和温控热电偶装于腐蚀槽的侧壁，去离子水清洗槽位于腐蚀槽的旁边；腐蚀硅片时，机械臂带动自转的夹具浸入腐蚀槽的化学腐蚀液内，同时机械臂做匀速公转，腐蚀结束后，机械臂带动自转的夹具浸入去离子水槽内进行清洗；严格控制腐蚀液的温度，并通过搅拌装置使腐蚀液各处充分混合，因此可以保证腐蚀液浓度、温度都基本均匀，使硅片表面各处腐蚀速率一致，提高硅片腐蚀的均匀性。