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公开(公告)号：CN104992969B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510410797.7
申请日：2015-07-14
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种具有缓冲层的半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：位于半导体器件正面的正面结构，以及位于半导体器件背面的背面结构，背面结构进一步包括P+集区，以及位于P+集区之上的N型缓冲层。P+集区和N型缓冲层均采用在半导体器件背面利用低温PECVD工艺直接成膜的薄膜结构。P+集区和N型缓冲层进一步采用低温PECVD工艺的沉积薄膜结构。薄膜进一步采用非晶硅、微晶硅、掺碳非晶硅或硅锗中的任意一种或几种。本发明具有缓冲层的半导体器件及其制作方法能够在不采用离子注入设备及退火工艺的基础上，有效降低半导体器件成本和硅片背面工艺的热预算，并可根据薄膜材料类型的不同调节硅片背面的载流子注入和抽取速率。
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公开(公告)号：CN104377147B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410705846.5
申请日：2014-11-27
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供了一种离子注入监控片的重复利用方法，包括提供裸片；在裸片上依次沉积氮化硅层和多晶硅层得到监控片；对多晶硅层进行离子注入，经高温退火后测量方块电阻值作为基准值，所述离子注入剂量大于1e15ions/cm2；以及通过刻蚀依次去除多晶硅层和氮化硅层，得到裸片进行回收。相比于现有技术中测量热波值的监控方法，本发明在实现监控片重复利用的同时扩大了离子注入剂量的监控范围，具有更好的适用性。
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公开(公告)号：CN105321817A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510703315.7
申请日：2015-10-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L21/28 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/66136 , H01L21/28 , H01L29/8613
Abstract: 本发明公开了一种二极管及其阴极金属化方法，包括步骤S1：注入N型杂质，形成N型层；步骤S2：在N型层远离P型层的一侧淀积粘附层；步骤S3：对二极管进行激光退火，激活N型层中的杂质粒子，并使得粘附层与N型层之间形成欧姆接触。本发明所提供的方法，利用激光退火，激活N型层中的杂质粒子，并使得粘附层与N型层之间形成欧姆接触，有效的减少半导体与金属之间的接触电阻，降低二极管的正向通态压降，延长半导体器件的功率循环寿命。另外，该二极管的阴极金属结构简单，粘附性好，应力小，保护半导体器件的芯片结构不被破坏，提高封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN104377147A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410705846.5
申请日：2014-11-27
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供了一种离子注入监控片的重复利用方法，包括提供裸片；在裸片上依次沉积氮化硅层和多晶硅层得到监控片；对多晶硅层进行离子注入，经高温退火后测量方块电阻值作为基准值，所述离子注入剂量大于1e15ions/cm2；以及通过刻蚀依次去除多晶硅层和氮化硅层，得到裸片进行回收。相比于现有技术中测量热波值的监控方法，本发明在实现监控片重复利用的同时扩大了离子注入剂量的监控范围，具有更好的适用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106910767A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201510980302.4
申请日：2015-12-23
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/06 , H01L29/66325 , H01L29/7393
Abstract: 本发明提供一种沟槽栅IGBT制作方法及沟槽栅IGBT，其中，方法包括在衬底上形成掺杂区；在衬底和掺杂区形成沟槽；在掺杂区表面和沟槽内表面生长氧化层；在氧化层表面淀积二氧化硅层或低K介质层，其中，沟槽底部的二氧化硅层或低K介质层位于衬底范围内；将沟槽侧壁及掺杂区表面氧化层上的二氧化硅层或者低K介质层刻蚀掉，保留沟槽底部的二氧化硅层或者低K介质层，以使沟槽底部的第一覆盖层比沟槽侧壁的第二覆盖层厚；在沟槽中填充多晶硅，形成栅电极。由于沟槽底部的第一覆盖层比沟槽侧壁的第二覆盖层厚，因此可以减小沟槽栅IGBT的栅集寄生电容，提高沟槽栅IGBT的工作安全性。
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公开(公告)号：CN104992969A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510410797.7
申请日：2015-07-14
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种具有缓冲层的半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：位于半导体器件正面的正面结构，以及位于半导体器件背面的背面结构，背面结构进一步包括P+集区，以及位于P+集区之上的N型缓冲层。P+集区和N型缓冲层均采用在半导体器件背面利用低温PECVD工艺直接成膜的薄膜结构。P+集区和N型缓冲层进一步采用低温PECVD工艺的沉积薄膜结构。薄膜进一步采用非晶硅、微晶硅、掺碳非晶硅或硅锗中的任意一种或几种。本发明具有缓冲层的半导体器件及其制作方法能够在不采用离子注入设备及退火工艺的基础上，有效降低半导体器件成本和硅片背面工艺的热预算，并可根据薄膜材料类型的不同调节硅片背面的载流子注入和抽取速率。
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公开(公告)号：CN104867820A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510181166.2
申请日：2015-04-16
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/18 , H01L21/223
CPC classification number: H01L21/18 , H01L21/223
Abstract: 本发明涉及一种高浓度N型浅结的制备方法，包括：步骤S1，采用N型掺杂剂对半导体衬底进行第一次扩散掺杂，其工艺条件包括：掺杂温度为600-1200℃，掺杂时间为3-10分钟；步骤S2，用洗涤液对步骤S1得到的掺杂后的半导体衬底进行洗涤；步骤S3，将洗涤后的半导体衬底进行第二次扩散掺杂，工艺条件包括：掺杂温度为600-1200℃，掺杂时间为至少3分钟；以及步骤S4，用洗涤液对步骤S3得到的衬底进行洗涤。采用本发明提供的高浓度N型浅结的制备方法能在更短的掺杂时间内得到相同甚至更小方块电阻的N型掺杂区域，或是方块电阻相同但结深更小的N型掺杂区域。
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公开(公告)号：CN105390396B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201510711308.1
申请日：2015-10-27
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/02 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构，其中，方法包括：在第一导电类型衬底顶部淀积第一半绝缘多晶硅薄膜层，第一半绝缘多晶硅薄膜层在第一温度下进行淀积；在第一半绝缘多晶硅薄膜层上淀积第二半绝缘多晶硅薄膜层，第二半绝缘多晶硅薄膜层在第二温度下进行淀积，其中，第一温度大于第二温度。本发明通过首先在第一温度下形成第一半绝缘多晶硅薄膜层，然后在比第一温度低的第二温度下形成第二半绝缘多晶硅薄膜层，使第二半绝缘多晶硅薄膜层中的晶粒比第一半绝缘多晶硅薄膜层中的晶粒小，从而提高电阻率，降低IGBT器件的漏电流，使IGBT器件的耐压性能稳定，可靠性增强。
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公开(公告)号：CN105390396A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510711308.1
申请日：2015-10-27
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/02 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构，其中，方法包括：在第一导电类型衬底顶部淀积第一半绝缘多晶硅薄膜层，第一半绝缘多晶硅薄膜层在第一温度下进行淀积；在第一半绝缘多晶硅薄膜层上淀积第二半绝缘多晶硅薄膜层，第二半绝缘多晶硅薄膜层在第二温度下进行淀积，其中，第一温度大于第二温度。本发明通过首先在第一温度下形成第一半绝缘多晶硅薄膜层，然后在比第一温度低的第二温度下形成第二半绝缘多晶硅薄膜层，使第二半绝缘多晶硅薄膜层中的晶粒比第一半绝缘多晶硅薄膜层中的晶粒小，从而提高电阻率，降低IGBT器件的漏电流，使IGBT器件的耐压性能稳定，可靠性增强。
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