公开(公告)号：CN105655246A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610027747.5

申请日：2016-01-04

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 孙小虎 ,  杜龙欢 ,  罗湘 ,  唐云

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L21/28017 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/7397

Abstract: 本申请公开了一种沟槽式IGBT栅极的制作方法，包括：在硅衬底表面进行刻蚀，形成沟槽；热氧化所述沟槽，在所述沟槽的内表面形成牺牲氧化层；对所述沟槽的底面注入可促进所述硅衬底氧化的杂质；去除所述牺牲氧化层；在所述沟槽内生长栅氧层；对所述沟槽填充掺杂多晶硅。本申请提供的上述沟槽式IGBT栅极的制作方法，由于在形成牺牲氧化层之后对所述沟槽的底面注入可促进所述硅衬底氧化的杂质，因此能够提高后续在沟槽底面生长的栅氧层的厚度，从而避免栅极在底部因电场集中而易被击穿的问题。

公开(公告)号：CN104867820A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510181166.2

申请日：2015-04-16

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 孙小虎 ,  周飞宇 ,  刘根

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01L21/18 ,  H01L21/223

Abstract: 本发明涉及一种高浓度N型浅结的制备方法，包括：步骤S1，采用N型掺杂剂对半导体衬底进行第一次扩散掺杂，其工艺条件包括：掺杂温度为600-1200℃，掺杂时间为3-10分钟；步骤S2，用洗涤液对步骤S1得到的掺杂后的半导体衬底进行洗涤；步骤S3，将洗涤后的半导体衬底进行第二次扩散掺杂，工艺条件包括：掺杂温度为600-1200℃，掺杂时间为至少3分钟；以及步骤S4，用洗涤液对步骤S3得到的衬底进行洗涤。采用本发明提供的高浓度N型浅结的制备方法能在更短的掺杂时间内得到相同甚至更小方块电阻的N型掺杂区域，或是方块电阻相同但结深更小的N型掺杂区域。