公开(公告)号：CN104867820A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510181166.2

申请日：2015-04-16

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 孙小虎 ,  周飞宇 ,  刘根

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01L21/18 ,  H01L21/223

Abstract: 本发明涉及一种高浓度N型浅结的制备方法，包括：步骤S1，采用N型掺杂剂对半导体衬底进行第一次扩散掺杂，其工艺条件包括：掺杂温度为600-1200℃，掺杂时间为3-10分钟；步骤S2，用洗涤液对步骤S1得到的掺杂后的半导体衬底进行洗涤；步骤S3，将洗涤后的半导体衬底进行第二次扩散掺杂，工艺条件包括：掺杂温度为600-1200℃，掺杂时间为至少3分钟；以及步骤S4，用洗涤液对步骤S3得到的衬底进行洗涤。采用本发明提供的高浓度N型浅结的制备方法能在更短的掺杂时间内得到相同甚至更小方块电阻的N型掺杂区域，或是方块电阻相同但结深更小的N型掺杂区域。

公开(公告)号：CN105390396B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201510711308.1

申请日：2015-10-27

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 马亮 ,  周飞宇 ,  肖海波 ,  刘根

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/02 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构，其中，方法包括：在第一导电类型衬底顶部淀积第一半绝缘多晶硅薄膜层，第一半绝缘多晶硅薄膜层在第一温度下进行淀积；在第一半绝缘多晶硅薄膜层上淀积第二半绝缘多晶硅薄膜层，第二半绝缘多晶硅薄膜层在第二温度下进行淀积，其中，第一温度大于第二温度。本发明通过首先在第一温度下形成第一半绝缘多晶硅薄膜层，然后在比第一温度低的第二温度下形成第二半绝缘多晶硅薄膜层，使第二半绝缘多晶硅薄膜层中的晶粒比第一半绝缘多晶硅薄膜层中的晶粒小，从而提高电阻率，降低IGBT器件的漏电流，使IGBT器件的耐压性能稳定，可靠性增强。

公开(公告)号：CN105390396A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510711308.1

申请日：2015-10-27

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 马亮 ,  周飞宇 ,  肖海波 ,  刘根

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/02 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构，其中，方法包括：在第一导电类型衬底顶部淀积第一半绝缘多晶硅薄膜层，第一半绝缘多晶硅薄膜层在第一温度下进行淀积；在第一半绝缘多晶硅薄膜层上淀积第二半绝缘多晶硅薄膜层，第二半绝缘多晶硅薄膜层在第二温度下进行淀积，其中，第一温度大于第二温度。本发明通过首先在第一温度下形成第一半绝缘多晶硅薄膜层，然后在比第一温度低的第二温度下形成第二半绝缘多晶硅薄膜层，使第二半绝缘多晶硅薄膜层中的晶粒比第一半绝缘多晶硅薄膜层中的晶粒小，从而提高电阻率，降低IGBT器件的漏电流，使IGBT器件的耐压性能稳定，可靠性增强。