公开(公告)号：CN105655246A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610027747.5

申请日：2016-01-04

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 孙小虎 ,  杜龙欢 ,  罗湘 ,  唐云

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L21/28017 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/7397

Abstract: 本申请公开了一种沟槽式IGBT栅极的制作方法，包括：在硅衬底表面进行刻蚀，形成沟槽；热氧化所述沟槽，在所述沟槽的内表面形成牺牲氧化层；对所述沟槽的底面注入可促进所述硅衬底氧化的杂质；去除所述牺牲氧化层；在所述沟槽内生长栅氧层；对所述沟槽填充掺杂多晶硅。本申请提供的上述沟槽式IGBT栅极的制作方法，由于在形成牺牲氧化层之后对所述沟槽的底面注入可促进所述硅衬底氧化的杂质，因此能够提高后续在沟槽底面生长的栅氧层的厚度，从而避免栅极在底部因电场集中而易被击穿的问题。