公开(公告)号：CN104377147B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201410705846.5

申请日：2014-11-27

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 尹峙柠 ,  罗海辉 ,  刘根 ,  唐云

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供了一种离子注入监控片的重复利用方法，包括提供裸片；在裸片上依次沉积氮化硅层和多晶硅层得到监控片；对多晶硅层进行离子注入，经高温退火后测量方块电阻值作为基准值，所述离子注入剂量大于1e15ions/cm2；以及通过刻蚀依次去除多晶硅层和氮化硅层，得到裸片进行回收。相比于现有技术中测量热波值的监控方法，本发明在实现监控片重复利用的同时扩大了离子注入剂量的监控范围，具有更好的适用性。

公开(公告)号：CN105655246A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610027747.5

申请日：2016-01-04

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 孙小虎 ,  杜龙欢 ,  罗湘 ,  唐云

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L21/28017 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/7397

Abstract: 本申请公开了一种沟槽式IGBT栅极的制作方法，包括：在硅衬底表面进行刻蚀，形成沟槽；热氧化所述沟槽，在所述沟槽的内表面形成牺牲氧化层；对所述沟槽的底面注入可促进所述硅衬底氧化的杂质；去除所述牺牲氧化层；在所述沟槽内生长栅氧层；对所述沟槽填充掺杂多晶硅。本申请提供的上述沟槽式IGBT栅极的制作方法，由于在形成牺牲氧化层之后对所述沟槽的底面注入可促进所述硅衬底氧化的杂质，因此能够提高后续在沟槽底面生长的栅氧层的厚度，从而避免栅极在底部因电场集中而易被击穿的问题。

公开(公告)号：CN104377147A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410705846.5

申请日：2014-11-27

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 尹峙柠 ,  罗海辉 ,  刘根 ,  唐云

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供了一种离子注入监控片的重复利用方法，包括提供裸片；在裸片上依次沉积氮化硅层和多晶硅层得到监控片；对多晶硅层进行离子注入，经高温退火后测量方块电阻值作为基准值，所述离子注入剂量大于1e15ions/cm2；以及通过刻蚀依次去除多晶硅层和氮化硅层，得到裸片进行回收。相比于现有技术中测量热波值的监控方法，本发明在实现监控片重复利用的同时扩大了离子注入剂量的监控范围，具有更好的适用性。