公开(公告)号：CN104377147B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201410705846.5

申请日：2014-11-27

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 尹峙柠 ,  罗海辉 ,  刘根 ,  唐云

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供了一种离子注入监控片的重复利用方法，包括提供裸片；在裸片上依次沉积氮化硅层和多晶硅层得到监控片；对多晶硅层进行离子注入，经高温退火后测量方块电阻值作为基准值，所述离子注入剂量大于1e15ions/cm2；以及通过刻蚀依次去除多晶硅层和氮化硅层，得到裸片进行回收。相比于现有技术中测量热波值的监控方法，本发明在实现监控片重复利用的同时扩大了离子注入剂量的监控范围，具有更好的适用性。

公开(公告)号：CN104377147A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410705846.5

申请日：2014-11-27

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 尹峙柠 ,  罗海辉 ,  刘根 ,  唐云

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供了一种离子注入监控片的重复利用方法，包括提供裸片；在裸片上依次沉积氮化硅层和多晶硅层得到监控片；对多晶硅层进行离子注入，经高温退火后测量方块电阻值作为基准值，所述离子注入剂量大于1e15ions/cm2；以及通过刻蚀依次去除多晶硅层和氮化硅层，得到裸片进行回收。相比于现有技术中测量热波值的监控方法，本发明在实现监控片重复利用的同时扩大了离子注入剂量的监控范围，具有更好的适用性。