公开(公告)号：CN1716575B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200510078881.X

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  矶部敦生 ,  冈崎奖 ,  田中幸一郎 ,  山本良明 ,  大力浩二 ,  田村友子

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/83 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种制造半导体器件的方法，其能够防止在完成半导体元件之前的阶段中剥离层从衬底上被剥离并能快速剥离半导体元件。据认为是因为由衬底和剥离层之间的热膨胀系数差异引起在剥离层上施加一应力，或者因为由于剥离层结晶化热处理引起剥离层的体积减小并因此在其上施加一应力，从而剥离层趋于从衬底上被剥离。因此，根据本发明的一个特征，通过在衬底上形成剥离层之前在衬底和剥离层之间形成用于释放剥离层上的应力的绝缘膜，增强了衬底和剥离层的粘接。

公开(公告)号：CN100530604C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610051507.5

申请日：2006-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎奖 ,  N·堀越

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L24/86 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/5389 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/7965 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是提供高产率地制造使用了具有薄膜晶体管的电路的半导体片材或者半导体芯片的技术。用于半导体器件的制造方法包括：x次(x是大于或者等于4的整数)地将柔性基底材料贴附到元件层，其中第(y+1)次贴附到该元件层的基底材料的厚度等于或者小于第y(y是整数大于或者等于1并且小于x的整数)次贴附到该元件层的基底材料的厚度。

公开(公告)号：CN1832179A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610051420.8

申请日：2006-02-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  大力浩二 ,  冈崎奖 ,  守屋芳隆 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/283 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0097 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12044 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述半导体器件具有挠性和抗物理变化(诸如弯曲)的特性。本发明的半导体器件包括设置在挠性衬底上的多个晶体管、设在所述多个晶体管之间的弯曲部分，以及被设置成用于覆盖所述栅电极的层间绝缘膜，每个所述晶体管都具有半导体膜、以与所述半导体膜之间具有栅绝缘膜的方式设置在所述半导体膜上的栅电极，其中所述弯曲部分是通过用具有比层间绝缘膜更低弹性模数的材料、比层间绝缘膜更低玻璃转化点的材料或者比层间绝缘膜更高可塑性的材料填充形成在层间绝缘膜中的开口而提供的。

公开(公告)号：CN100573881C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200610051420.8

申请日：2006-02-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  大力浩二 ,  冈崎奖 ,  守屋芳隆 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/283 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0097 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12044 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述半导体器件具有挠性和抗物理变化(诸如弯曲)的特性。本发明的半导体器件包括设置在挠性衬底上的多个晶体管、设在所述多个晶体管之间的弯曲部分，以及被设置成用于覆盖所述栅电极的层间绝缘膜，每个所述晶体管都具有半导体膜、以与所述半导体膜之间具有栅绝缘膜的方式设置在所述半导体膜上的栅电极，其中所述弯曲部分是通过用具有比层间绝缘膜更低弹性模数的材料、比层间绝缘膜更低玻璃转化点的材料或者比层间绝缘膜更高可塑性的材料填充形成在层间绝缘膜中的开口而提供的。

公开(公告)号：CN1832150A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610051507.5

申请日：2006-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎奖 ,  N·堀越

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L24/86 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/5389 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/7965 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是提供高产率地制造使用了具有薄膜晶体管的电路的半导体片材或者半导体芯片的技术。用于半导体器件的制造方法包括：x次(x是大于或者等于4的整数)地将柔性基底材料贴附到元件层，其中第(y+1)次贴附到该元件层的基底材料的厚度等于或者小于第y(y是整数大于或者等于1并且小于x的整数)次贴附到该元件层的基底材料的厚度。

公开(公告)号：CN1716575A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510078881.X

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  矶部敦生 ,  冈崎奖 ,  田中幸一郎 ,  山本良明 ,  大力浩二 ,  田村友子

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/83 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种制造半导体器件的方法，其能够防止在完成半导体元件之前的阶段中剥离层从衬底上被剥离并能快速剥离半导体元件。据认为是因为由衬底和剥离层之间的热膨胀系数差异引起在剥离层上施加一应力，或者因为由于剥离层结晶化热处理引起剥离层的体积减小并因此在其上施加一应力，从而剥离层趋于从衬底上被剥离。因此，根据本发明的一个特征，通过在衬底上形成剥离层之前在衬底和剥离层之间形成用于释放剥离层上的应力的绝缘膜，增强了衬底和剥离层的粘接。