公开(公告)号：CN1832150A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610051507.5

申请日：2006-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎奖 ,  N·堀越

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L24/86 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/5389 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/7965 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是提供高产率地制造使用了具有薄膜晶体管的电路的半导体片材或者半导体芯片的技术。用于半导体器件的制造方法包括：x次(x是大于或者等于4的整数)地将柔性基底材料贴附到元件层，其中第(y+1)次贴附到该元件层的基底材料的厚度等于或者小于第y(y是整数大于或者等于1并且小于x的整数)次贴附到该元件层的基底材料的厚度。

公开(公告)号：CN100530604C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610051507.5

申请日：2006-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎奖 ,  N·堀越

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L24/86 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/5389 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/7965 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是提供高产率地制造使用了具有薄膜晶体管的电路的半导体片材或者半导体芯片的技术。用于半导体器件的制造方法包括：x次(x是大于或者等于4的整数)地将柔性基底材料贴附到元件层，其中第(y+1)次贴附到该元件层的基底材料的厚度等于或者小于第y(y是整数大于或者等于1并且小于x的整数)次贴附到该元件层的基底材料的厚度。