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公开(公告)号：CN102024803A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010287754.1
申请日：2010-09-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/07 , H01L23/498
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/24 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的实施方式的功率模块具有金属基底、陶瓷基板、半导体芯片、内包螺母的螺母夹、电极端子和外壳。陶瓷基板经由下部电极连接在金属基底上。半导体芯片被配置在陶瓷基板上。电极端子具有从一端朝另一端围住螺母夹的外周、且内部具备螺母夹的折弯部，而且具有从折弯部的所述一端向与折弯部垂直的方向延伸的第1连接部。该第1连接部经由上部电极而被配置在陶瓷基板的第1主面上，且与半导体芯片电连接。外壳以内包所述半导体芯片和所述电极端子的方式与金属基底接合。电极端子的折弯部的上端部经由开口部而在外壳的外部露出。
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公开(公告)号：CN102024803B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201010287754.1
申请日：2010-09-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/07 , H01L23/498
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/24 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的实施方式的功率模块具有金属基底、陶瓷基板、半导体芯片、内包螺母的螺母夹、电极端子和外壳。陶瓷基板经由下部电极连接在金属基底上。半导体芯片被配置在陶瓷基板上。电极端子具有从一端朝另一端围住螺母夹的外周、且内部具备螺母夹的折弯部，而且具有从折弯部的所述一端向与折弯部垂直的方向延伸的第1连接部。该第1连接部经由上部电极而被配置在陶瓷基板的第1主面上，且与半导体芯片电连接。外壳以内包所述半导体芯片和所述电极端子的方式与金属基底接合。电极端子的折弯部的上端部经由开口部而在外壳的外部露出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103021998A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210069369.9
申请日：2012-03-16
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 中尾淳一
IPC: H01L23/498
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/049 , H01L23/49811 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的实施方式提供一种半导体器件，该半导体器件具有：基板；安装于上述基板的半导体芯片；与上述半导体芯片电连接的电极；具有锡焊于上述电极的、作为一个端部的第1端子部和作为另一个端部的第2端子部的电极端子；以及覆盖上述基板、上述半导体芯片、上述电极、上述第1端子部、以及上述第2端子部的壳体。该半导体器件的上述电极端子的一部分露出到上述壳体的外部，上述第1端子部和上述第2端子部在上述壳体的内部以朝向上述壳体的中央而对置的方式折弯，并且相接近地锡焊于上述电极。
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公开(公告)号：CN104078454A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201310491324.5
申请日：2013-09-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/34 , H01L23/049 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/072 , H01L2224/371 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/8592 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本实施例的一方面，提供一种半导体器件，包括绝缘基板、设置在绝缘基板上的至少一个半导体芯片、包括电连接到半导体芯片的连接部的接线端子、包围半导体芯片和连接部的包围框架、设置在包置框架中覆盖半导体芯片和连接部的嵌入材料，以及设置在嵌入材料的表面上的按压单元。
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公开(公告)号：CN103021979A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210057523.0
申请日：2012-03-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/049 , H01L23/10 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L23/49844 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/40491 , H01L2224/40991 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/01047 , H01L2924/1203 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的实施方式的半导体装置，具备第1半导体芯片、缓冲体和终端导线。第1半导体芯片具有第1电极和设于第1电极的相反侧的第2电极，在第1电极与第2电极之间流动电流。缓冲体，具有与第2电极电气性连接的下部金属箔、经由下部金属箔设于第2电极上的陶瓷片、设于陶瓷片的下部金属箔的相反侧并与下部金属箔电气性连接的上部金属箔。终端导线的一端设于上部金属箔上，与上部金属箔电气性连接。
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公开(公告)号：CN100470784C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610143932.7
申请日：2006-11-03
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 中尾淳一
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56 , B23K35/26 , H05K1/09 , H05K3/24
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L21/4821 , H01L23/49562 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2221/68309 , H01L2224/05599 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2224/85444 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2224/85 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 公开了散热特性良好的半导体器件、半导体器件的制造方法和在半导体器件的制造中使用的衬底。为了提高散热性，将半导体芯片放置在按下述顺序层叠了第1Au膜、第1Ni膜、Cu膜、第2Ni膜和第2Au膜的第1电极引线的主面上，使与第1电极引线的主面相反的面露出，用树脂模塑了第1电极引线和半导体芯片。经Cu膜将半导体芯片的发热高效地发散到外部。再者，公开了通过从第1电极引线突出地放置半导体芯片的一部分，从而既维持散热性又提高树脂与第1电极引线、半导体芯片的密接力的情况。
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公开(公告)号：CN1959974A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143932.7
申请日：2006-11-03
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 中尾淳一
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56 , B23K35/26 , H05K1/09 , H05K3/24
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L21/4821 , H01L23/49562 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2221/68309 , H01L2224/05599 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2224/85444 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2224/85 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 公开了散热特性良好的半导体器件、半导体器件的制造方法和在半导体器件的制造中使用的衬底。为了提高散热性，将半导体芯片放置在按下述顺序层叠了第1Au膜、第1Ni膜、Cu膜、第2Ni膜和第2Au膜的第1电极引线的主面上，使与第1电极引线的主面相反的面露出，用树脂模塑了第1电极引线和半导体芯片。经Cu膜将半导体芯片的发热高效地发散到外部。再者，公开了通过从第1电极引线突出地放置半导体芯片的一部分，从而既维持散热性又提高树脂与第1电极引线、半导体芯片的密接力的情况。
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