公开(公告)号：CN101562177A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910132705.8

申请日：2009-04-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子佐一郎

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/52 ,  H02M7/12

CPC classification number: H01L27/085 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H02M3/335 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种即使漏电极相对源电极成为负偏压，也能够防止在半导体集成电路中发生闭锁的能量传递装置，及能够实现该能量传递装置的半导体装置。该能量传递装置具备：形成在第一半导体基板的半导体装置(24)；具备逆电流防止二极管(41)的半导体集成电路(48)，该逆电流防止二极管含有形成在第二半导体基板的表面的第二导电型的逆电流防止层、及对形成在第二半导体基板中的逆电流防止层进行覆盖的第一导电型的阱层；直流电压源(52)；和变压器(60)；变压器(60)含有：与半导体装置(24)及直流电压源(52)串联连接的初级绕组(53)、和与负载连接的第一次级绕组(54)，构成为从变压器(60)的第一次级绕组(54)向负载供给电力。半导体装置(24)的第二漏电极(TAP电极)与半导体集成电路(48)的逆电流防止层电连接。

公开(公告)号：CN101399265B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200810161045.1

申请日：2008-09-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山际优人 ,  佐治隆司 ,  金子佐一郎

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7393

Abstract: 在高耐压半导体开关元件中，在开关动作所需的第1发射极区域(104)之外，形成与电流检出电路电连接、而且通过读出电阻123)与第1发射极区域(104)电连接的第2发射极区域(110)。在第2发射极区域(110)上，不形成发射极电极，而在与第2发射极区域(110)邻接的部分的基极区域(103)，形成发射极电极。在具有对高耐压半导体开关元件进行过电流保护功能的半导体装置中，加大流过读出电阻的电流和流过高耐压半导体开关元件的电流之比，从而减少过电流保护功能动作的电流值的离差。

公开(公告)号：CN101165916A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710136829.4

申请日：2007-07-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子佐一郎

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在P型半导体衬底表面部分中形成有N型降低表面电场区域和与降低表面电场区域相邻的P型基极区域。在基极区域内以与降低表面电场区域隔离的方式形成有N型发射极区域。此外形成有覆盖基极区域中位于发射极区域与降低表面电场区域之间的部分的栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成有栅极电极。在降低表面电场区域表面部分中形成有与基极区域电连接的P型顶部半导体层。在降低表面电场区域表面部分中，以与顶部半导体层隔离的方式形成有P型集电极区域。集电极区域和顶部半导体层有基本上相同的杂质浓度，位于基本上一样深的位置。因此能提供能在从小负载时到大负载时的整个范围内减低损失的高耐压半导体装置。

公开(公告)号：CN101252129B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200710199484.7

申请日：2007-12-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子佐一郎 ,  国松崇

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H02H9/02 ,  G01R19/00 ,  G01R31/28

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/14 ,  H03K17/567 ,  H03K2217/0018

Abstract: 在对横式绝缘栅双极晶体管具有过电流保护机能的半导体装置中，降低过电流保护机能起作用电流值的偏差。并联连接由栅极电压可控制的主开关元件的横式绝缘栅双极晶体管(1)、和电流检测用横式绝缘栅双极晶体管(10)。电流检测用横式绝缘栅双极晶体管(10)的基础区域(109)、和横式绝缘栅双极晶体管(1)的发射极区域(106)电连接。电流检测用横型绝缘栅双极晶体管(10)的发射极区域(108)、和横式绝缘栅双极晶体管(1)的发射极区域(106)通过电流检测电路(7)的感应电阻(4)电连接。

公开(公告)号：CN1750270A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510099298.7

申请日：2005-09-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子佐一郎 ,  泽田和幸 ,  宇野利彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3025

Abstract: 在源极电极70和漏极电极80上的钝化膜90中设置离子穿越区100、102，作为第一开口。用密封树脂涂敷钝化膜90，以封装半导体器件。此时，用密封树脂填充离子穿越区100、102，以使密封树脂与源极电极70和漏极电极80直接接触。采用该结构，在高温和高湿的环境下聚集在密封树脂与钝化膜90的界面处的可移动离子经由离子穿越区100、102，放电到源极电极70和漏极电极80，由此不影响N－型扩展漏极区30。因此，可以改善漏极击穿电压。

公开(公告)号：CN1953203B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610135515.8

申请日：2006-10-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子佐一郎 ,  山下哲司 ,  宇野利彦

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H02M3/28 ,  H02M3/335

Abstract: 本发明公开了一种高耐压半导体开关元件及使用其的开关电源装置。在P-型半导体衬底表面部分形成N型降低表面电场区域。在半导体衬底内，以与降低表面电场区域相邻的方式形成p型基极区域。在基极区域上，隔着栅极绝缘膜形成栅极电极。在基极区域内，以与降低表面电场区域隔离的方式形成N+型发射极兼源极区域。在降低表面电场区域内，以与基极区域隔离的方式形成p+型集电极区域和N+型漏极区域。设置电连接在集电极区域和漏极区域上的集电极兼漏极电极、和电连接在基极区域和发射极兼源极区域上的发射极兼源极电极。因此，能提供一种能在从负载很小时到负载很大时为止的整个范围内减低损失的高耐压半导体开关元件及使用其的开关电源装置。

公开(公告)号：CN101510558A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910007504.5

申请日：2009-02-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 泽田和幸 ,  原田裕二 ,  庭山雅彦 ,  金子佐一郎 ,  清水克美

IPC: H01L29/72 ,  H01L29/04 ,  H01L21/33 ,  H01L21/263

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/063 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明提供一种电力用半导体装置，可以确保足够的基板强度，同时，可以形成低导通电阻、高耐压，提高开关速度。它包括：形成在P型半导体基板(1)上的N型表面降场区(2)；在半导体基板(1)上部、与表面降场区(2)相邻的P型基区(3)；在基区(3)上、离开表面降场区(2)的N型发射极/源极区(8)；在基区(3)上、与发射极/源极区(8)相邻的P型基极连接区(10)；从发射极/源极区(8)上起、在基区(3)上和表面降场区(2)上形成的栅绝缘膜(6)和栅极(7)；以及在表面降场区(2)上、离开基区(3)的P型集电区(4)。半导体基板(1)被导入了晶格缺陷，使得其电阻值变为由添加在半导体基板(1)的杂质浓度决定的电阻值的2倍以上。

公开(公告)号：CN101562181A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910133198.X

申请日：2009-04-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子佐一郎

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H02M3/28

CPC classification number: H01L27/098 ,  H01L27/0617

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和使用该半导体装置的能量传递装置，可以低损耗地检测出导通状态的漏极与源极间流动的电流。作为具备高耐压半导体元件(25)的半导体装置，还具备传感元件(22)。传感元件(22)包括：第1导电型的第1漂移区(2a)，形成在半导体基板1的表面；第2导电型的第1基区(3a)，形成在半导体基板的表面；第1导电型的第1源极区(4a)，形成在第1基区的表面；第1栅极绝缘膜(6a)，形成在第1基区上；第1导电型的第1漏极区(7a)，形成在第1漂移区的表面；传感电极(11)，与第1源极区电连接；第1栅极(13a)，形成在第1栅极绝缘膜上；和第1漏极(14a)，与第1漏极区电连接。

公开(公告)号：CN101399265A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810161045.1

申请日：2008-09-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山际优人 ,  佐治隆司 ,  金子佐一郎

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7393

Abstract: 在高耐压半导体开关元件中，在开关动作所需的第1发射极区域(104)之外，形成与电流检出电路电连接、而且通过读出电阻123)与第1发射极区域(104)电连接的第2发射极区域(110)。在第2发射极区域(110)上，不形成发射极电极，而在与第2发射极区域(110)邻接的部分的基极区域(103)，形成发射极电极。在具有对高耐压半导体开关元件进行过电流保护功能的半导体装置中，加大流过读出电阻的电流和流过高耐压半导体开关元件的电流之比，从而减少过电流保护功能动作的电流值的离差。

公开(公告)号：CN100472805C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200510099298.7

申请日：2005-09-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子佐一郎 ,  泽田和幸 ,  宇野利彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3025

Abstract: 在源极电极70和漏极电极80上的钝化膜90中设置离子穿越区100、102，作为第一开口。用密封树脂涂敷钝化膜90，以封装半导体器件。此时，用密封树脂填充离子穿越区100、102，以使密封树脂与源极电极70和漏极电极80直接接触。采用该结构，在高温和高湿的环境下聚集在密封树脂与钝化膜90的界面处的可移动离子经由离子穿越区100、102，放电到源极电极70和漏极电极80，由此不影响N-型扩展漏极区30。因此，可以改善漏极击穿电压。