公开(公告)号：CN101399265B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200810161045.1

申请日：2008-09-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山际优人 ,  佐治隆司 ,  金子佐一郎

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7393

Abstract: 在高耐压半导体开关元件中，在开关动作所需的第1发射极区域(104)之外，形成与电流检出电路电连接、而且通过读出电阻123)与第1发射极区域(104)电连接的第2发射极区域(110)。在第2发射极区域(110)上，不形成发射极电极，而在与第2发射极区域(110)邻接的部分的基极区域(103)，形成发射极电极。在具有对高耐压半导体开关元件进行过电流保护功能的半导体装置中，加大流过读出电阻的电流和流过高耐压半导体开关元件的电流之比，从而减少过电流保护功能动作的电流值的离差。

公开(公告)号：CN101404291A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810161991.6

申请日：2008-10-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山际优人 ,  佐治隆司

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种高耐压半导体开关元件，其利用开关元件本身的结构来控制读出比的集电极电流依赖关系。在P型的基区(2)的表面上，选择性地形成至少1个N型发射区(3)及与发射区(3)隔离的至少1个N型的读出区(5)。配置发射区(3)及读出区(5)，以便它们在相对于从集电区(7)向基区(2)的第1方向垂直的第2方向上排列。设定第2方向上的读出区(5)、发射区(3)、与读出区(5)邻接的部分的基区(2)、及与发射区(3)邻接的部分的基区(2)的各自宽度，以使读出比按照集电极电流的变化产生所希望的变化。

公开(公告)号：CN101404291B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200810161991.6

申请日：2008-10-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山际优人 ,  佐治隆司

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种高耐压半导体开关元件，其利用开关元件本身的结构来控制读出比的集电极电流依赖关系。在P型的基区(2)的表面上，选择性地形成至少1个N型发射区(3)及与发射区(3)隔离的至少1个N型的读出区(5)。配置发射区(3)及读出区(5)，以便它们在相对于从集电区(7)向基区(2)的第1方向垂直的第2方向上排列。设定第2方向上的读出区(5)、发射区(3)、与读出区(5)邻接的部分的基区(2)、及与发射区(3)邻接的部分的基区(2)的各自宽度，以使读出比按照集电极电流的变化产生所希望的变化。

公开(公告)号：CN101399265A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810161045.1

申请日：2008-09-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山际优人 ,  佐治隆司 ,  金子佐一郎

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7393

Abstract: 在高耐压半导体开关元件中，在开关动作所需的第1发射极区域(104)之外，形成与电流检出电路电连接、而且通过读出电阻123)与第1发射极区域(104)电连接的第2发射极区域(110)。在第2发射极区域(110)上，不形成发射极电极，而在与第2发射极区域(110)邻接的部分的基极区域(103)，形成发射极电极。在具有对高耐压半导体开关元件进行过电流保护功能的半导体装置中，加大流过读出电阻的电流和流过高耐压半导体开关元件的电流之比，从而减少过电流保护功能动作的电流值的离差。