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公开(公告)号：CN100499336C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200510119381.6
申请日：2005-11-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山下哲司
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33523 , H02M2001/0032 , Y02B70/1433 , Y02B70/16
Abstract: 本发明揭示一种能够进一步减少开关电源在轻载时的功耗、进一步改善电源效率的开关电源控制用半导体装置。在利用开关元件的间歇开关动作中，在间歇停止时的利用变压器复位检测时间设定电路的设定时间内，从轻载时检测电路有恢复信号输出时，在该恢复信号输出后的来自变压器复位检测电路的变压器复位信号的时刻，重新开始利用开关元件的开关动作，在间歇停止时的利用变压器复位检测时间设定电路的设定时间后，从轻载时检测电路有恢复信号输出时，仅根据该恢复信号的输出时刻，与变压器复位信号无关，重新开始利用开关元件的开关动作。
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公开(公告)号：CN1770612A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510119381.6
申请日：2005-11-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山下哲司
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33523 , H02M2001/0032 , Y02B70/1433 , Y02B70/16
Abstract: 本发明揭示一种能够进一步减少开关电源在轻载时的功耗、进一步改善电源效率的开关电源控制用半导体装置。在利用开关元件的间歇开关动作中，在间歇停止时的利用变压器复位检测时间设定电路的设定时间内，从轻载时检测电路有恢复信号输出时，在该恢复信号输出后的来自变压器复位检测电路的变压器复位信号的时刻，重新开始利用开关元件的开关动作，在间歇停止时的利用变压器复位检测时间设定电路的设定时间后，从轻载时检测电路有恢复信号输出时，仅根据该恢复信号的输出时刻，与变压器复位信号无关，重新开始利用开关元件的开关动作。
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公开(公告)号：CN1677824A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510056261.6
申请日：2005-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山下哲司
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33523 , H02M2001/0032 , Y02B70/16
Abstract: 本发明提供的具备开关元件1与开关动作控制电路的开关电源控制用半导体器件51上，开关元件1的间歇开关动作中，在计数电路14计数完成前有从轻负荷时检测电路32的恢复信号输出时，用来自该恢复信号输出后的变压器转换检测电路13的变压器转换信号的时刻，重新开始开关元件1的开关动作。在计数电路14计数完成后有从轻负荷时检测电路32的恢复信号输出时，仅用该恢复信号的输出时刻，而与变压器转换信号无关地重新开始开关元件1的开关动作。
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公开(公告)号：CN100474752C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510056261.6
申请日：2005-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山下哲司
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33523 , H02M2001/0032 , Y02B70/16
Abstract: 本发明提供的具备开关元件(1)与开关动作控制电路的开关电源控制用半导体器件(51)上，开关元件(1)的间歇开关动作中，在计数电路(14)计数完成前有从轻负荷时检测电路(32)的恢复信号输出时，用来自该恢复信号输出后的变压器复位检测电路(13)的变压器复位信号的时刻，重新开始开关元件(1)的开关动作。在计数电路(14)计数完成后有从轻负荷时检测电路(32)的恢复信号输出时，仅用该恢复信号的输出时刻，而与变压器复位信号无关地重新开始开关元件(1)的开关动作。
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公开(公告)号：CN100380797C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200510052621.5
申请日：2005-02-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山下哲司
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M1/36 , H02M3/33523 , H02M2001/0032 , Y02B70/16 , Y10T307/858
Abstract: 本发明提供开关电源控制用半导体器件，在具备开关元件(1)与开关动作控制电路的开关电源控制用半导体器件(46)中，检测控制端子(45)的电流，比较进行电压变换的I-V变换器(21)的输出电压(VEAO)与预先设定待机时检测用的上下限各电压的基准电压(VR)，控制开关元件(1)产生的开关动作，使得在I-V变换器21)的输出电压(VEAO)小于待机时检测下限电压时，停止开关元件(1)的开关动作，在I-V变换器(21)的输出电压(VEAO)大于待机时检测上限电压时，再开始开关元件(1)的开关动作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1937383A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610139814.9
申请日：2006-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H02M3/33507 , H02M1/32
Abstract: 本发明，提供一种具有通过开关元件的动作检测出提供给输出部的能量的过负载的多个结构，并能够选择锁定停止型、自复原型的保护的半导体装置。该半导体装置中，一旦开关元件的漏极电流峰值IDP达到设为过负载的给定值以上，FB端子电压便也上升，进行锁定停止；另外，峰值IDP达到最大值后，即使负载进一步加重，输出功率也无法加大，因此CC端子电压降低到给定值，此时限制开关元件的振荡期间。能够进行检测出峰值IDP达到给定值以上来进行锁定停止型的过负载保护，与检测出CC端子电压降低到给定值来进行自复原型过负载保护。像这样通过两种检测进行两个过负载保护，能够提高开关电源的设计自由度。
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公开(公告)号：CN1661898A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510052621.5
申请日：2005-02-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山下哲司
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M1/36 , H02M3/33523 , H02M2001/0032 , Y02B70/16 , Y10T307/858
Abstract: 本发明提供开关电源控制用半导体器件，在具备开关元件1与开关动作控制电路的开关电源控制用半导体器件46中，检测控制端子45的电流，比较进行电压变换的I－V变换器21的输出电压VEAO与预先设定待机时检测用的上下限各电压的基准电压VR，控制开关元件1产生的开关动作，使得在I－V变换器21的输出电压VEAO小于待机时检测下限电压时，停止开关元件1的开关动作，在I－V变换器21的输出电压VEAO大于待机时检测上限电压时，再开始开关元件1的开关动作。
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公开(公告)号：CN1953203B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610135515.8
申请日：2006-10-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H02M3/28 , H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种高耐压半导体开关元件及使用其的开关电源装置。在P-型半导体衬底表面部分形成N型降低表面电场区域。在半导体衬底内，以与降低表面电场区域相邻的方式形成p型基极区域。在基极区域上，隔着栅极绝缘膜形成栅极电极。在基极区域内，以与降低表面电场区域隔离的方式形成N+型发射极兼源极区域。在降低表面电场区域内，以与基极区域隔离的方式形成p+型集电极区域和N+型漏极区域。设置电连接在集电极区域和漏极区域上的集电极兼漏极电极、和电连接在基极区域和发射极兼源极区域上的发射极兼源极电极。因此，能提供一种能在从负载很小时到负载很大时为止的整个范围内减低损失的高耐压半导体开关元件及使用其的开关电源装置。
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公开(公告)号：CN1677825A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510063749.1
申请日：2005-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山下哲司
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33507 , H02M3/33523
Abstract: 本发明是在具有开关元件1及开关动作控制电路的开关电源控制用半导体器件46中，在接受开关断开时的电流检测信号后，对该电流检测信号利用延迟电路47给予某一定的延迟时间，通过这样在与该延迟时间对应的关闭时间内，使其不接受利用根据来自变压器的三次绕组的信号所得到的变压器复位脉冲信号进行的开关导通控制，停止开关元件1的开关动作。
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公开(公告)号：CN1953203A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610135515.8
申请日：2006-10-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H02M3/28 , H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种高耐压半导体开关元件及使用其的开关电源装置。在P－型半导体衬底表面部分形成N型降低表面电场区域。在半导体衬底内，以与降低表面电场区域相邻的方式形成p型基极区域。在基极区域上，隔着栅极绝缘膜形成栅极电极。在基极区域内，以与降低表面电场区域隔离的方式形成N+型发射极兼源极区域。在降低表面电场区域内，以与基极区域隔离的方式形成p+型集电极区域和N+型漏极区域。设置电连接在集电极区域和漏极区域上的集电极兼漏极电极、和电连接在基极区域和发射极兼源极区域上的发射极兼源极电极。因此，能提供一种能在从负载很小时到负载很大时为止的整个范围内减低损失的高耐压半导体开关元件及使用其的开关电源装置。
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