公开(公告)号：CN1184691C

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN01104073.4

申请日：2001-02-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  那须彻 ,  森慎一郎 ,  藤井英治

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明的半导体存储器件的存储电容器(2)，由下部电极(8)、电容绝缘膜(9)、上部电极(12)构成，其下部电极(8)由第1阻挡膜(6)和第2阻挡膜(7)组成。第1阻挡膜(6)，由从上层开始的Ir膜/TiAlN膜/Ti膜的叠层膜组成。第2阻挡膜(7)，由从上层开始Pt膜/IrO2膜的叠层膜形成，是为了完全覆盖第1阻挡膜(6)而设置的。据此，能够阻滞来自第1阻挡膜(6)的侧面的氧扩散，就能够防止因连接柱(11)氧化而发生的接触不良。

公开(公告)号：CN1107345C

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN97121332.1

申请日：1994-08-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  藤井英治 ,  嶋田恭博 ,  上本康裕 ,  那须徹 ,  松田明浩 ,  长野能久 ,  井上敦雄 ,  松浦武敏 ,  大槻逹男

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/324 ,  H01L21/30 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75 ,  Y10S438/958

Abstract: 本发明提供一种在形成有集成电路的半导体基板上通过层间绝缘膜形成电容元件的半导体器件制造方法。本发明的半导体器件制造方法，在形成电极配线后还包括：形成覆盖所述电极配线的第二层间绝缘膜(59)的工序；除去位于所述电容元件上部的第二层间绝缘膜(59)的工序；热处理所述电容元件的工序；以及形成覆盖所述电极配线的保护膜(55)的工序。通过上述步骤，即便所增加的第二层间绝缘膜(59)中含氢等，也能够防止氢对电容元件造成不良影响。

公开(公告)号：CN1290194C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN02124394.8

申请日：2002-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  藤井英治

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明的目的，在于：维持好电容元件中的下方电极对氧的阻挡性，并防止电容元件中由金属氧化物制成的电容绝缘膜被还原。下方电极(31)的侧面被膜厚约从5nm到100nm、由氧化铝制成且防止氧及氢扩散的第1绝缘性阻挡层(15)覆盖起来。上方电极(33)的上面、该上方电极(33)、电容绝缘膜(32)及掩埋绝缘膜(16)的各个侧面被膜厚约从5nm到100nm、由氧化铝制成且防止氢扩散的第2绝缘性阻挡层(17)覆盖起来。第2绝缘性阻挡层(17)在下方电极(31)两侧的区域和第1绝缘性阻挡层(15)相接触。

公开(公告)号：CN1610117A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410085029.0

申请日：2004-10-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  藤井英治

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/7687 ,  H01L28/56 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法，本发明的半导体装置，备有在半导体基板上形成、具有第一凹部(15a)的绝缘膜(14)，在第一凹部(15a)的壁部和底部形成、具有第二凹部(15b)的电容下部电极(15)，由在第二凹部(15b)的壁部和底部形成、具有第三凹部(15c)的电容绝缘膜(17)，和被埋入在第三凹部(15c)的电容上部电极(18)。不依赖于电介质膜中用的材料和电容上部电极中用的材料，在原理上防止构成具有空间层叠结构的电容元件的电容上部电极的断线。

公开(公告)号：CN1187829C

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN98124908.6

申请日：1998-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  上本康裕 ,  十代勇治 ,  吾妻正道 ,  藤井英治

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/11507

Abstract: 半导体器件含有：一硅基底；其上的一MOS半导体器件，该器件最外层表面上有一硅化物区；一覆盖该器件的第一绝缘膜；一在第一绝缘膜上的电容器元件，该元件包含一下电极、一上电极和一设置在下电极和上电极间的电容膜，该膜包含铁电材料；一覆盖了第一绝缘膜和电容器元件的第二绝缘膜；一在第一绝缘膜和第二绝缘膜中的接触孔；一第二绝缘膜上的互连层，该层使MOS器件与电容器元件电连接，互连层的底部包含除了钛以外的一种导电材料。

公开(公告)号：CN1080926C

公开(公告)日：2002-03-13

申请号：CN96101296.X

申请日：1996-02-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  藤井英治

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/324 ,  H01G4/33 ,  H01G4/40

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/32136 ,  H01L28/60 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件制造方法，该制造方法包括：在已形成电路元件的基片上，形成下电极用白金膜、由大介电常数介质膜或者强介质膜组成的介质膜和上电极用白金膜，使用含氯的蚀刻气体有选择地对所述上电极用白金膜和所述介质膜进行干式蚀刻后，照射含氟气体放电所产生的等离子体。利用这种半导体器件制造方法，因几乎没有氯残留，所以能防止由于残留氯而侵蚀介质膜。

公开(公告)号：CN1136218A

公开(公告)日：1996-11-20

申请号：CN96101296.X

申请日：1996-02-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  藤井英治

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/324 ,  H01G4/33 ,  H01G4/40

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/32136 ,  H01L28/60 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件制造方法，该制造方法包括：在已形成电路元件的基片上，形成下电极用白金膜、由大介电常数介质膜或者强介质膜组成的介质膜和上电极用白金膜，使用含氯的蚀刻气体有选择地对所述上电极用白金膜和所述介质膜进行干式蚀刻后，照射含氟气体放电所产生的等离子体。利用这种半导体器件制造方法，因几乎没有氯残留，所以能防止由于残留氯而侵蚀介质膜。

公开(公告)号：CN100355073C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200410076846.X

申请日：2003-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二 ,  藤井英治 ,  梅田和男

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/314 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在具有使用强电介质或高电介质的电容绝缘膜的半导体器件中，可防止电容绝缘膜因氢引起的劣化的同时，还可减小单位单元的面积。该器件具备：形成在半导体衬底(10)上的单元选择用晶体管；与各晶体管的源扩散层(14B)连接、包含多个电容部(27)的电容部列，各个电容部具有由强电介质构成的电容绝缘膜(25)；形成在比该电容部列更下方的位线(17)。电容部列在包含上下的整个周围被氢阻挡膜覆盖，该氢阻挡膜由形成在晶体管和电容部(27)之间的导电性下部氢阻挡膜(21)、形成在位线(17)及电容部列之间的绝缘性下部氢阻挡膜(19)和形成在电容部列上侧的上部氢阻挡膜(29)构成。

公开(公告)号：CN1331232C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN03127518.4

申请日：2003-08-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤井英治 ,  伊东丰二

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/82 ,  G11C11/21 ,  G11C11/24

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01G4/08 ,  H01G4/12 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/90

Abstract: 本发明提供一种电容元件及其制造方法。本发明的电容元件，由形成在基片(11)上的下部电极(15)、铁电薄膜(16)和上部电极(17)构成，其特征在于：铁电薄膜(16)用反应速度法进行成膜，下部电极(15)的膜厚为100nm以下，而且下部电极(15)的膜厚的偏差为10%以内。因此，能提供铁电薄膜成分偏差减小了的电容元件及其制造方法。

公开(公告)号：CN1180465C

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN01117608.3

申请日：1995-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上本康裕 ,  藤井英治 ,  有田浩二 ,  长野能久 ,  嶋田恭博 ,  吾妻正道 ,  井上敦雄 ,  井筒康文

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56

Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件的其制造方法。该方法包括：在基片上形成钛膜的粘接层，在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层，以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。