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公开(公告)号：CN1426139A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02148189.X
申请日：1997-02-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/0202 , H01S5/0658
Abstract: 在具有一活性层和其间插入该活性层的一包层结构的半导体激光器中，该包层结构包括一可饱和吸收层，且该可饱和吸收层的厚度是60至100埃。
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公开(公告)号：CN100564616C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200580005394.9
申请日：2005-02-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/063 , C30B19/064 , Y10T117/1016
Abstract: 本发明提供一种能够提高生长速率，在短时间内培养出晶体均匀性高的大单晶的化合物单晶的制造方法以及用于该制造方法的制造装置。在原料液中，搅拌所述原料液以产生从与原料气体相接的气液界面向着所述原料液的内部的流动，同时使化合物单晶生长。通过所述搅拌，可以容易地将原料气体溶解在原料液中，可以在短时间内实现过饱和状态，能够提高化合物单晶的生长速率，而且，通过所述搅拌，由于形成从原料气体浓度高的气液界面向着原料气体浓度低的原料液内部的流动，原料气体的溶解也变得均匀，因此可以抑制在气液界面产生不均匀的晶核，还可以提高所得到的化合物单晶的质量。
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公开(公告)号：CN1938458A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010595.8
申请日：2005-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1092 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供了一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，使用该方法可以提高生长速率，并且在短时间内生长出较大的高质量晶体，还提供其中所用的制造装置以及使用该方法和该装置得到的半导体元件。该方法是一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，其包括使含有第III族元素、氮及碱金属和碱土金属中的至少一种的材料溶液在含氮气体的气氛中加压加热，以使材料溶液中的氮和第III族元素相互反应生长晶体的晶体生长过程。该方法还包括在晶体生长过程之前制造材料溶液的材料制造过程，制造方式是在含氮气体的气氛中将环境温度和环境压力的至少之一设置到高于晶体生长过程的条件，从而使氮可以溶解在含有第III族元素及碱金属和碱土金属中的至少一种的熔体中。本发明的方法可使用例如图7所示的制造装置进行。
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公开(公告)号：CN1146091C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN96192893.X
申请日：1996-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/123 , G11B7/127 , G11B7/131 , G11B7/1353 , G11B7/22 , H01S5/02248 , H01S5/02292 , H01S5/0658 , H01S5/2004 , H01S5/2013 , H01S5/2022 , H01S5/209 , H01S5/2231 , H01S5/3054 , H01S5/3216 , H01S5/3218 , H01S5/34326
Abstract: 本发明的半导体激光装置包含有由n-型GaAS制成的基底(201)，活性层(204)，和一对夹住活性层(204)的包覆层。此装置还包含邻接活性层(204)的隔离层(205)和高度掺杂的可饱和吸收层(206)。通过对可饱和吸收层(206)作高度掺杂来缩短载流子寿命，借此即能获得稳定的自持脉动。结果，能得到在很宽的温度范围内具有很低相对噪声强度的半导体激光装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100494520C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200580010595.8
申请日：2005-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1092 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供了一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，使用该方法可以提高生长速率，并且在短时间内生长出较大的高质量晶体，还提供其中所用的制造装置以及使用该方法和该装置得到的半导体元件。该方法是一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，其包括使含有第III族元素、氮及碱金属和碱土金属中的至少一种的材料溶液在含氮气体的气氛中加压加热，以使材料溶液中的氮和第III族元素相互反应生长晶体的晶体生长过程。该方法还包括在晶体生长过程之前制造材料溶液的材料制造过程，制造方式是在含氮气体的气氛中将环境温度和环境压力的至少之一设置到高于晶体生长过程的条件，从而使氮可以溶解在含有第III族元素及碱金属和碱土金属中的至少一种的熔体中。本发明的方法可使用例如图7所示的制造装置进行。
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公开(公告)号：CN1941527A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610139956.5
申请日：2006-09-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/16 , H01S5/2214 , H01S5/34333
Abstract: 叠层组合物包括：设置在基板上的第1导电型包覆层；设置在第1导电型包覆层上的有源层，和设置在有源层上的脊条形第2导电型包覆层。设置在叠层组合物端面的一对膜，其沿着叠层方向彼此相对。所述成对膜形成为具有彼此不同的光谱反射率。叠层组合物和所述成对膜形成了谐振器结构。当在谐振器长度方向上成对膜中具有较小光谱反射率的一个膜的一侧是前侧，且具有较大光谱反射率的另一个膜的一侧是后侧时，如此构造叠层组合物，即光学限制因数在前侧上比后侧上小。
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公开(公告)号：CN1518138A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410002946.8
申请日：2004-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/223 , H01S5/343
CPC classification number: C30B25/02 , C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供一种制造方法，可以制造只由高质量第三族氮化物晶体形成并具有较少翘曲的衬底。包括间隙的第三族氮化物层(籽晶层12和选择生长层15)形成在衬底(蓝宝石衬底11)上。在含氮气氛中，使第三族氮化物层的表面与含有碱金属和选自镓、铝和铟中的至少一种第三族元素的熔化物相接触，由此该至少一种第三族元素和氮互相反应，在第三族氮化物层上生长第三族氮化物晶体(GaN晶体16)。此后在间隙附近使包括衬底的部分和包括第三族氮化物晶体的部分相互分离。
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公开(公告)号：CN100423297C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410002946.8
申请日：2004-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/223 , H01S5/343
CPC classification number: C30B25/02 , C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供一种制造方法，可以制造只由高质量第三族氮化物晶体形成并具有较少翘曲的衬底。包括间隙的第三族氮化物层(籽晶层12和选择生长层15)形成在衬底(蓝宝石衬底11)上。在含氮气氛中，使第三族氮化物层的表面与含有碱金属和选自镓、铝和铟中的至少一种第三族元素的熔化物相接触，由此该至少一种第三族元素和氮互相反应，在第三族氮化物层上生长第三族氮化物晶体(GaN晶体16)。此后在间隙附近使包括衬底的部分和包括第三族氮化物晶体的部分相互分离。
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公开(公告)号：CN1922345A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005394.9
申请日：2005-02-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/063 , C30B19/064 , Y10T117/1016
Abstract: 本发明提供一种能够提高生长速率，在短时间内培养出晶体均匀性高的大单晶的化合物单晶的制造方法以及用于该制造方法的制造装置。在原料液中，搅拌所述原料液以产生从与原料气体相接的气液界面向着所述原料液的内部的流动，同时使化合物单晶生长。通过所述搅拌，可以容易地将原料气体溶解在原料液中，可以在短时间内实现过饱和状态，能够提高化合物单晶的生长速率，而且，通过所述搅拌，由于形成从原料气体浓度高的气液界面向着原料气体浓度低的原料液内部的流动，原料气体的溶解也变得均匀，因此可以抑制在气液界面产生不均匀的晶核，还可以提高所得到的化合物单晶的质量。
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