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公开(公告)号：CN100492687C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200610099937.4
申请日：1998-04-09
申请人： 日亚化学工业株式会社
摘要： 公开了一种晶体缺陷非常之少，可以作为衬底使用的氮化物半导体晶体的生长方法。本方法包括下述工程：在由具有主面、且含有由与氮化物半导体不同的材料形成的异种衬底的支持体之上，形成具备使该支持体的表面选择性地露出来的多个第1窗口的第一选择生长掩模的工序，和用气态3族元素源及气态氮元素源，从窗口露了出来的支持体的表面开始生长氯化物半导体直到相邻的窗口生成的氯化物半导体晶体在选择生长掩模的上表面合为一体为止的工序。
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公开(公告)号：CN1964093A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610163959.2
申请日：1998-01-08
申请人： 日亚化学工业株式会社
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
摘要： 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
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公开(公告)号：CN1897317A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610100207.1
申请日：1994-04-28
申请人： 日亚化学工业株式会社
CPC分类号： H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2924/01015 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 一种氮化镓系III－V族化合物半导体器件，包括：具有第一和第二主表面的衬底；和形成在所述衬底的第一主表面之上、含有n型氮化镓系III－V族化合物半导体层和p型氮化镓系III－V族化合物半导体层的半导体叠层结构；其中，所述p型半导体层设置在所述n型半导体层上，且平面为矩形形状；所述p型半导体层的平面矩形的对角线上的角部、存在露出所述n型半导体层的n型半导体的露出部分；在所述n型半导体层的露出部分中设置有第一电极，以及在所述p型半导体层中设置有透光性的第二电极。
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公开(公告)号：CN1240143C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN03145869.6
申请日：1994-04-28
申请人： 日亚化学工业株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L31/1884 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05582 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , Y02E10/50 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件，其特征在于包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面上、包括n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构；在除去设置在所述n型半导体层上的p型层后露出的n型层上形成的第一电极；以及形成在所述p型半导体层上的第二电极；其中，所述第二电极具有从由铬、镍、金、钛、铂构成的一组中选出的至少二种材料的金属材料。
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公开(公告)号：CN1525612A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200410003721.4
申请日：1996-11-06
申请人： 日亚化学工业株式会社
CPC分类号： H01S5/343 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2202 , H01S5/3201 , H01S5/3206 , H01S5/321 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S5/3412 , H01S5/3413 , H01S5/34333
摘要： 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。
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公开(公告)号：CN1159750C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN98800457.7
申请日：1998-04-09
申请人： 日亚化学工业株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , H01L33/00 , C23C16/34
CPC分类号： C30B25/02 , B82Y20/00 , C23C16/042 , C23C16/303 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01S5/0213 , H01S5/0422 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/12
摘要： 公开了一种晶体缺陷非常之少，可以作为衬底使用的氮化物半导体晶体的生长方法。本方法包括下述工程：在由具有主面、且含有由与氮化物半导体不同的材料形成的异种衬底的支持体之上，形成具备使该支持体的表面选择性地露出来的多个第1窗口的第一选择生长掩模的工序，和用气态3族元素源及气态氮元素源，从窗口露了出来的支持体的表面开始生长氯化物半导体直到相邻的窗口生成的氯化物半导体晶体在选择生长掩模的上表面合为一体为止的工序。
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公开(公告)号：CN1484327A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03145870.X
申请日：1994-04-28
申请人： 日亚化学工业株式会社
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/324
CPC分类号： H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L31/1884 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05582 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , Y02E10/50 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种氮化镓系III－V族化合物半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有形成在具有第一和第二主表面的衬底的第一主表面上、形成第一电极的n型氮化镓系III－V族化合物半导体层和形成第二电极的p型氮化镓系III－V族化合物半导体层的半导体叠层结构，其特征在于：对所述第二电极在形成金属层之后进行热处理，以改善透光性和欧姆性能。
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公开(公告)号：CN1223009A
公开(公告)日：1999-07-14
申请号：CN98800457.7
申请日：1998-04-09
申请人： 日亚化学工业株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , H01L33/00 , C23C16/34
CPC分类号： C30B25/02 , B82Y20/00 , C23C16/042 , C23C16/303 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01S5/0213 , H01S5/0422 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/12
摘要： 公开了一种晶体缺陷非常之少,可以作为衬底使用的氮化物半导体晶体的生长方法。本方法包括下述工程:在由具有主面、且含有由与氮化物半导体不同的材料形成的异种衬底的支持体之上,形成具备使该支持体的表面选择性地露出来的多个第1窗口的第一选择生长掩模的工序,和用气态3族元素源及气态氮元素源,从窗口露了出来的支持体的表面开始生长氯化物半导体直到相邻的窗口生成的氯化物半导体晶体在选择生长掩模的上表面合为一体为止的工序。
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公开(公告)号：CN100568550C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200510126713.3
申请日：1995-12-04
申请人： 日亚化学工业株式会社
摘要： 一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。
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公开(公告)号：CN100530719C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610004484.2
申请日：1998-01-08
申请人： 日亚化学工业株式会社
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/0304 , H01S5/32 , H01S5/323
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
摘要： 本发明涉及一种发光元器件等氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧的半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧的半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，其特征在于，所述p导电侧或n导电侧的半导体区域的至少一层氮化物半导体层，是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第一层与第二层积层而成的超晶格层。根据上述结构，可降低元器件的工作电流、电压，实现效率高的元器件。
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