发明授权
CN100568550C 氮化物半导体发光器件
失效 - 权利终止
- 专利标题： 氮化物半导体发光器件
- 专利标题（英）： Nitride semiconductor light-emitting device
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申请号： CN200510126713.3申请日： 1995-12-04
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公开(公告)号： CN100568550C公开(公告)日： 2009-12-09
- 发明人: 中村修二 , 长滨慎一 , 岩佐成人 , 清久裕之
- 申请人： 日亚化学工业株式会社
- 申请人地址： 日本德岛县阿南市
- 专利权人： 日亚化学工业株式会社
- 当前专利权人： 日亚化学工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本德岛县阿南市
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 林潮; 樊卫民
- 优先权： 94-299446 1994.12.02 JP; 94-299447 1994.12.02 JP; 94-320100 1994.12.22 JP; 95-034924 1995.02.23 JP; 95-057050 1995.03.16 JP; 95-057051 1995.03.16 JP; 95-089102 1995.04.14 JP
- 分案原申请号： 021428883
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01S5/343
摘要：
一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。
公开/授权文献
- CN1790762A 氮化物半导体发光器件 公开/授权日：2006-06-21
IPC分类:
