公开(公告)号：CN220895512U

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202322261030.5

申请日：2023-08-21

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司 ,  东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  张龙 ,  孙媛 ,  刘斯扬 ,  王成森 ,  周榕榕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

Abstract: 本申请实施例提供一种氮化镓功率器件，涉及半导体器件结构技术领域。本氮化镓功率器件包括逐层设置的衬底、缓冲层、势垒层。势垒层的远离衬底的一面间隔设置有P型氮化镓层和漏极金属，P型氮化镓层的远离衬底的一面设置有栅极金属；在势垒层的远离衬底的一面，且在栅极金属和漏极金属之间，设置有钝化层；在钝化层和势垒层之间的部分区域，或在钝化层的远离势垒层的一面的部分区域，设置有高K介质层。高K介质层能起到将电极边缘或场板边缘的电场峰值降低的作用，获得更为均匀的电场分布，提高器件的耐压。

公开(公告)号：CN115360231B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202211039857.5

申请日：2022-08-29

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 刘斯扬 ,  李仁伟 ,  吴团庄 ,  魏家行 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 一种低回滞电压的逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备工艺，晶体管包括：位于器件底部的集电极，在集电极之上设有集电区，集电区包括交替排布的P+集电区和N+短路区，在集电区上方设有N型场截止层，场截止层之上设有N‑型漂移区，在漂移区上表面设有按一维阵列排布的沟槽，沟槽内设有栅氧化层和多晶硅栅极，栅氧化层位于多晶硅栅极与沟槽内壁之间，在漂移区上方设有P型体区，P型体区位于相邻两个沟槽之间，且与沟槽侧壁接触；在P型体区之上设有N+发射区和P+型接触区，接触区上连接有发射极，发射极两侧设有绝缘介质层，其特征在于，在场截止层与集电区之间设有N‑高阻区。制备工艺特征在于，场截止层由背面氢注形成，背面结构均采用激光退火工艺。

公开(公告)号：CN113990965B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202111230806.6

申请日：2021-10-22

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 魏家行 ,  徐航 ,  隗兆祥 ,  付浩 ,  薛璐洁 ,  王恒德 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明是一种混合石墨烯电极的半导体器件及其制造方法，该器件的元胞结构包括：N型衬底，N型缓冲层，N型外延层，表面设有与N型外延层形成肖特基接触的石墨烯电极和金属电极，衬底下面设有与N型衬底形成欧姆接触的金属背电极。本发明的优点在于石墨烯具有极高的透光率和可调控的功函数，其与功函数较高的金属在N型外延层表面组成混合电极，可使器件的暗电流降低，噪音降低，灵敏度提高，检测弱信号能力增强，波长探测范围增大，性能稳定性提高。还可以降低器件正向导通状态时的开启电压，以及降低阻断状态下的泄漏电流，提高击穿电压。本发明器件可应用于光电领域和功率领域。

公开(公告)号：CN116525612A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310553782.0

申请日：2023-05-17

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 张龙 ,  盘成务 ,  郑贵强 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/02 ,  H01L23/538 ,  H02M1/00 ,  H02M1/44

Abstract: 一种单片集成式GaN基半桥电路及半桥电路。单片集成式GaN基半桥电路，在导电衬底上依次设有成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层和沟道层由隔离层分割，设置二极管和集成电容、低侧管、高侧管、第一集成电阻器及第二集成电阻器。半桥电路包括：低侧管及高侧管，低侧管的漏极与高侧管的源极连接有输出端子Vout，低侧管衬底与高侧管衬底连接，在高侧管漏极与低侧管源极上并接一串联电阻，串联电阻由第一集成电阻器和第二集成电阻器串联构成且串联节点连接于导电衬底；在串联节点与低侧管源极上并接有集成电容；在输出端子Vout与串联节点之间连接有二极管且二极管的阳极连接于输出端子Vout、阴极连接于所述串联节点。

公开(公告)号：CN113777462B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202111003610.3

申请日：2021-08-30

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 刘斯扬 ,  尹储 ,  李春晓 ,  蒋彦博 ,  童鑫 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种适用于功率器件的二次击穿限测试方法及装置，主要包括：在搭建的测试系统中，开启功率开关器件，齐纳二极管发生雪崩击穿，产生稳定电压B，使待测功率器件导通，关闭功率开关器件，待测功率器件关闭，即可观测到待测功率器件的源漏电压和漏极电流，此后，通过调节直流电压源的电压和变阻器，多次重复本操作，观察器件的工作电压和电流变化情况，调节直流电压源的电压和变阻器保证器件工作在所需要的条件下。本发明通过对直流电源电压和变阻器的调节，使得器件工作在稳定的源漏电压和漏极电流的条件下，在此过程中，通过观测器件导通过程中的源漏电压和漏极电流的变化情况，从而为器件的进一步的改进提供帮助。

公开(公告)号：CN114843267A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210643717.2

申请日：2022-06-08

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 张龙 ,  马杰 ,  刘培港 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/092 ,  H01L29/778

Abstract: 一种增强型N沟道和P沟道GaN器件集成结构，包括衬底，在衬底上依次设铝氮成核层、铝氮镓缓冲层、氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层，铝镓氮势垒层和氮化镓沟道层被隔离层分割；隔离层一侧设有P沟道器件，包括第一P型氮化镓层，在第一P型氮化镓层上依次设第一氮化镓隔离层和第一P+型氮化镓层，在第一P+型氮化镓层上设第一源、栅极和第一漏极，第一栅极陷入第一P+型氮化镓层，其间设有栅极介质层；在隔离层的另一侧设有N沟道器件，包括第二源极、第二P型氮化镓层和第二漏极，第二源、漏极分别位于第二P型氮化镓层的两侧，在第二P型氮化镓层上方依次设有第二氮化镓隔离层、第二P+型氮化镓层和第二栅极。

公开(公告)号：CN114740325A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210315142.1

申请日：2022-03-28

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 李胜 ,  陆伟豪 ,  张弛 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种异质结半导体器件热阻测量电路及其方法，其中电路包括信号发生模块，驱动模块，待测器件，可控负载模块，恒温装置，数据采集模块以及电源模块。提取异质结半导体器件工作热稳定状态下漏电级电流随时间的变化率作为结温的参考，从而进行异质结半导体器件工作热稳定状态下热阻阻值的计算。其中，可以通过调控可控负载模块，使电路在正常工作模式和测量模式两种状态下切换。正常工作模式用于使待测器件处于热稳定的工作状态；测量模式用于提取待测器件漏电级电流变化率以进行热阻的计算。

公开(公告)号：CN114709255A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210349844.1

申请日：2022-04-02

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 魏家行 ,  付浩 ,  王恒德 ,  隗兆祥 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开一种基于异质结的高功率密度隧穿半导体器件及其制造工艺，器件元胞结构包括：N+衬底，其下设有漏极金属，其上设有N‑漂移区；在N‑漂移区内对称设有一对沟槽，槽底设有P+区，在槽内设有石墨烯源区，石墨烯源区上设有源极金属，N‑漂移区上设有与石墨烯源区部分交叠的栅介质层，栅介质层上设有多晶硅栅，多晶硅栅上设有钝化层，石墨烯源区与N‑漂移区形成异质结。本发明器件结构对注入工艺要求低，元胞尺寸小，单位面积元胞数量多，大幅提升了器件的功率密度，有效降低器件的比导通电阻、亚阈值摆幅，简化了制造工艺，降低了器件成本。器件反偏耐压时，P+区使电场峰值从异质结边界处转移到PN结边界处，提高了器件雪崩能力，增大了击穿电压。

公开(公告)号：CN113777462A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111003610.3

申请日：2021-08-30

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 刘斯扬 ,  尹储 ,  李春晓 ,  蒋彦博 ,  童鑫 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种适用于功率器件的二次击穿限测试方法及装置，主要包括：在搭建的测试系统中，开启功率开关器件，齐纳二极管发生雪崩击穿，产生稳定电压B，使待测功率器件导通，关闭功率开关器件，待测功率器件关闭，即可观测到待测功率器件的源漏电压和漏极电流，此后，通过调节直流电压源的电压和变阻器，多次重复本操作，观察器件的工作电压和电流变化情况，调节直流电压源的电压和变阻器保证器件工作在所需要的条件下。本发明通过对直流电源电压和变阻器的调节，使得器件工作在稳定的源漏电压和漏极电流的条件下，在此过程中，通过观测器件导通过程中的源漏电压和漏极电流的变化情况，从而为器件的进一步的改进提供帮助。

公开(公告)号：CN118100604A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410154691.4

申请日：2024-02-02

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 刘斯扬 ,  姬丰欣 ,  李胜 ,  李明飞 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H02M1/08 ,  H03K17/687 ,  H02M1/32 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明公开了一种耗尽型宽禁带功率器件的双栅直驱电路，属于集成电路领域，通过第一栅极控制器件进入开关状态，第二栅极控制系统的待机状态。电路包括隔离型栅极驱动芯片、隔离型变压器、双栅宽禁带功率器件和增强型半导体器件，其中双栅宽禁带功率器件的第二栅极连接增强型半导体器件的源极，双栅宽禁带功率器件的源极连接增强型半导体器件的漏极。双栅宽禁带功率器件包括第一栅极和间隔沟槽型的第二栅极。本发明实现了耗尽型功率器件的正压直驱功能，同时充分发挥了宽禁带半导体材料的高频开关特性与高阻断耐压能力，具有高栅压工作范围，高栅极可靠性，低泄漏电流与高反向续流能力。