一种低回滞电压的逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备工艺，晶体管包括：位于器件底部的集电极，在集电极之上设有集电区，集电区包括交替排布的P+集电区和N+短路区，在集电区上方设有N型场截止层，场截止层之上设有N‑型漂移区，在漂移区上表面设有按一维阵列排布的沟槽，沟槽内设有栅氧化层和多晶硅栅极，栅氧化层位于多晶硅栅极与沟槽内壁之间，在漂移区上方设有P型体区，P型体区位于相邻两个沟槽之间，且与沟槽侧壁接触；在P型体区之上设有N+发射区和P+型接触区，接触区上连接有发射极，发射极两侧设有绝缘介质层，其特征在于，在场截止层与集电区之间设有N‑高阻区。制备工艺特征在于，场截止层由背面氢注形成，背面结构均采用激光退火工艺。