公开(公告)号：CN115360231B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202211039857.5

申请日：2022-08-29

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 刘斯扬 ,  李仁伟 ,  吴团庄 ,  魏家行 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 一种低回滞电压的逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备工艺，晶体管包括：位于器件底部的集电极，在集电极之上设有集电区，集电区包括交替排布的P+集电区和N+短路区，在集电区上方设有N型场截止层，场截止层之上设有N‑型漂移区，在漂移区上表面设有按一维阵列排布的沟槽，沟槽内设有栅氧化层和多晶硅栅极，栅氧化层位于多晶硅栅极与沟槽内壁之间，在漂移区上方设有P型体区，P型体区位于相邻两个沟槽之间，且与沟槽侧壁接触；在P型体区之上设有N+发射区和P+型接触区，接触区上连接有发射极，发射极两侧设有绝缘介质层，其特征在于，在场截止层与集电区之间设有N‑高阻区。制备工艺特征在于，场截止层由背面氢注形成，背面结构均采用激光退火工艺。

公开(公告)号：CN115360231A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202211039857.5

申请日：2022-08-29

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 刘斯扬 ,  李仁伟 ,  吴团庄 ,  魏家行 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 一种低回滞电压的逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备工艺，晶体管包括：位于器件底部的集电极，在集电极之上设有集电区，集电区包括交替排布的P+集电区和N+短路区，在集电区上方设有N型场截止层，场截止层之上设有N‑型漂移区，在漂移区上表面设有按一维阵列排布的沟槽，沟槽内设有栅氧化层和多晶硅栅极，栅氧化层位于多晶硅栅极与沟槽内壁之间，在漂移区上方设有P型体区，P型体区位于相邻两个沟槽之间，且与沟槽侧壁接触；在P型体区之上设有N+发射区和P+型接触区，接触区上连接有发射极，发射极两侧设有绝缘介质层，其特征在于，在场截止层与集电区之间设有N‑高阻区。制备工艺特征在于，场截止层由背面氢注形成，背面结构均采用激光退火工艺。

公开(公告)号：CN114050187A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202111417907.4

申请日：2021-11-26

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 刘斯扬 ,  吴团庄 ,  吝晓楠 ,  李仁伟 ,  童鑫 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

Abstract: 一种低特征导通电阻的集成型沟槽栅功率半导体晶体管，包括：P型衬底，在衬底上方设有N型外延层，外延层内设有介质沟槽，沟槽横向一侧设有N型重掺杂的漏区并位于外延层表面，在漏区上连接有漏极金属电极，在沟槽的横向另一侧设有N型重掺杂的源区和P型重掺杂的体接触区，在源区和体接触区下方设有P型体区，源区和体接触区上连接有第一源极金属电极，在沟槽内填充有第一绝缘介质且位于沟槽的下方，沟槽内设有栅氧化层、多晶硅栅极和第二绝缘介质，所述栅氧化层位于栅极与源区之间，所述第二绝缘介质位于栅极与漏区之间且贴合在沟槽的内壁上，所述栅极在沟槽内偏置设置且靠近源区，在第一绝缘介质内设有多晶硅场板且位于栅极的下方。