公开(公告)号：CN117413208A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202280019598.1

申请日：2022-01-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张振毅 ,  詹姆斯·康诺利 ,  陈建安 ,  安德鲁·塞巴洛斯 ,  江靖 ,  杨政翰 ,  徐永安

IPC: G02B1/12

Abstract: 本文所述的实施方式涉及具有涂覆层的平面光学装置，所述涂覆层包括单层，所述单层选自由以下项组成的组：二硫化钼(MoS2)、二硫化钨(WS2)、二硒化钨(WSe2)、二硒化钼(MoSe2)、二碲化钼(MoTe2)、二硫化钛(TiS2)、二硫化锆(ZrS2)、二硒化锆(ZrSe2)、二硫化铪(HfS2)、二硫化铂(PtS2)、二硫化锡(SnS2)或它们的组合。所述涂覆层设置在所述光学装置的多个光学装置结构之上。所述单层可在材料之间交替以形成所述涂覆层或可以是单一材料的均匀涂覆层。所述涂覆层设置在所述多个光学装置结构中的每个光学装置结构之上。

公开(公告)号：CN115777078A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202180045641.7

申请日：2021-05-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张振毅 ,  卢多维克·戈代 ,  尼尔·亚哈夫 ,  罗伯特·简·维瑟

IPC: G02B6/12

Abstract: 一种电光波导调制器装置包括：基板上的种晶层，种晶层具有与种晶层的表面对准的第一结晶学平面；电光通道，在种晶层上沿第一方向延伸并具有与种晶层的表面对准的第二结晶学平面；绝缘层，沿垂直于第一方向的第二方向在基板上的电光通道的两侧上；在电光通道和绝缘层上的电极阻挡层；以及在第二方向上延伸的一个或多个电极。种晶层和绝缘层各自包括折射率低于电光通道的材料。

公开(公告)号：CN116569311A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180063940.3

申请日：2021-07-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 越泽武仁 ,  卡希克·贾纳基拉曼 ,  程睿 ,  克里希纳·尼塔拉 ,  李梦辉 ,  庄明元 ,  筱原奨 ,  郭娟 ,  杨夏万 ,  张振毅 ,  李子汇 ,  高嘉玲 ,  金曲 ,  王安川

IPC: H01L21/311

Abstract: 示例性处理方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内设置的基板上沉积含硼材料或含硅和硼的材料。方法可包括用含氯前驱物蚀刻含硼材料或含硅和硼的材料的部分以在基板中形成一个或多个特征。方法亦可包括用含氟前驱物从基板移除含硼材料或含硅和硼的材料的剩余部分。