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公开(公告)号：CN119221110B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411742042.2
申请日：2024-11-29
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延炉技术领域，具体提供了一种外延炉维护系统及方法，该系统包括：反应室；维护室；图像采集组件；传送室；控制器，用于在完成外延生长工艺后，控制第一开关阀打开，然后利用机械臂将上半月反应腔体移动至图像采集组件上方，还用于利用图像采集组件采集反应腔体底面图像信息，然后根据反应腔体底面图像信息获取沉积颗粒参数信息，并根据沉积颗粒参数信息和预设颗粒参数分析是否需要对上半月反应腔体进行维护，若是，则控制第一开关阀关闭，生成提醒维护信息；该系统能够有效地解决由于反应室内的石墨件和气路元件与空气接触而导致反应室内的石墨件和气路元件氧化的问题以及有效地提高维护效率。
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公开(公告)号：CN119194603B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411715094.0
申请日：2024-11-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种双蝶阀控压系统、方法及外延炉，该系统包括：排气管道，其上依次设有门阀、第一压力采集组件、第一蝶阀和工艺泵；调压管，其上设有第二蝶阀；第二压力采集组件；控制器，用于根据第一预设开度范围、第一压力信息和第一预设压力调节第一蝶阀的开度，并在第一蝶阀的开度变化量位于第一预设开度范围内且第一压力信息与第一预设压力的差值位于第一预设压力范围内时，根据第二预设开度范围、第二压力信息和第一预设压力调节第二蝶阀的开度；该系统能够有效地减少第一蝶阀的开度的调整次数，从而有效地延长第一蝶阀的使用寿命，进而有效地降低外延炉的维护周期。
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公开(公告)号：CN114938549A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210749237.4
申请日：2022-06-29
Applicant: 季华实验室
IPC: H05B6/40
Abstract: 本申请涉及半导体制造设备技术领域，具体提供了一种感应线圈螺距调节装置、系统及方法，其中，装置包括：距离调节组件，具有两个调节臂，所述调节臂用于调节每匝所述感应线圈之间的螺距；第一水平驱动组件，与所述距离调节组件连接，用于驱动所述距离调节组件沿平行于所述感应线圈的螺旋轴心线的方向位移；竖直驱动组件，与所述第一水平驱动组件连接，用于驱动所述第一水平驱动组件沿所述感应线圈的径向的方向位移，以使所述距离调节组件朝向或背离所述感应线圈的螺旋轴心线位移；该装置无需通过手工测量试错的方式对螺距进行调节并有效地降低调节感应线圈的螺距的人力成本。
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公开(公告)号：CN113774478A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111088462.X
申请日：2021-09-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延设备的反应工况调节方法、装置、系统及电子设备，其中，所述方法包括以下步骤：实时获取所述外延设备的反应室的尾气浓度信息；根据所述尾气浓度信息调节所述反应室内的温度和/或所述反应室内反应气体的流量；该方法实时获取的尾气浓度信息能反映出反应室内晶体生长情况，该方法根据实时获取的尾气浓度信息调节温度和/或反应气体的流量能改变反应工况，能及时地进行反应室内反应工况的动态反馈调节，以使反应室内的晶体生长情况满足预期需求。
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公开(公告)号：CN115012031B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210686166.8
申请日：2022-06-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取反应腔输出尾气中的至少一种主反应气体和/或至少一种生成气体的输出浓度信息；根据所述输出浓度信息及至少一种所述主反应气体的输入浓度信息计算所述外延薄膜的沉积厚度信息；该方法基于输出浓度信息计算外延薄膜的沉积厚度信息，其中输出浓度信息能直接反映出不可视的反应腔中的薄膜沉积的反应速率，从而实现了沉积厚度信息的实时计算，便于用户控制反应生成预期厚度的外延片，以提高外延片的生产精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114318518B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111665014.1
申请日：2021-12-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延炉技术领域，具体提供了一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质，该系统包括：传送腔；存片腔，与所述传送腔连接；氢气吸收装置，设置在所述传送腔内，用于吸收所述传送腔内的氢气；氢气浓度检测装置，设置在所述传送腔内，用于采集所述传送腔内的氢气浓度信息；控制器，用于在对存片腔进行晶片上料或下料前，获取所述氢气浓度信息，还用于当所述氢气浓度信息大于或等于第一阈值时，控制所述氢气吸收装置吸收所述氢气直至所述氢气浓度信息小于第二阈值；通过氢气吸收装置吸收传送腔内的氢气，无需对反应腔执行抽真空和通入惰性气体的操作，从而有效地减少降低传送腔内的氢气浓度所需要的时间，提高外延炉的运行效率。
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公开(公告)号：CN115125619A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210815561.1
申请日：2022-07-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种外延片的冷却系统、方法、电子设备及存储介质，外延片的冷却系统用于对冷却室内的外延片进行吹扫冷却，包括旋转装置、监测装置、吹扫装置和控制器，控制器用于根据平面度信息和/或温度分布信息获取外延片的冷却异常区域；根据平面度信息和/或温度分布信息判断冷却异常区域是否靠近吹扫装置的送气端，并在冷却异常区域靠近吹扫装置的送气端时，调节吹扫装置的吹扫流量以消除冷却异常区域，通过本方案可实时监测外延片表面的温度及应力分布情况，从而消除已发生翘曲的区域，且能预防外延片发生翘曲。
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公开(公告)号：CN114318518A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111665014.1
申请日：2021-12-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延炉技术领域，具体提供了一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质，该系统包括：传送腔；存片腔，与所述传送腔连接；氢气吸收装置，设置在所述传送腔内，用于吸收所述传送腔内的氢气；氢气浓度检测装置，设置在所述传送腔内，用于采集所述传送腔内的氢气浓度信息；控制器，用于在对存片腔进行晶片上料或下料前，获取所述氢气浓度信息，还用于当所述氢气浓度信息大于或等于第一阈值时，控制所述氢气吸收装置吸收所述氢气直至所述氢气浓度信息小于第二阈值；通过氢气吸收装置吸收传送腔内的氢气，无需对反应腔执行抽真空和通入惰性气体的操作，从而有效地减少降低传送腔内的氢气浓度所需要的时间，提高外延炉的运行效率。
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公开(公告)号：CN116043184A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310111885.1
申请日：2023-02-14
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于反应室的倒置式气浮装置、反应室及外延设备，其包括：反应室，其室内设有反应腔和位于反应腔上的旋转片盒放置槽，旋转片盒放置槽的底部设有与反应腔连通的第一开口；设置在旋转片盒放置槽底部的多个出气口，多个出气口沿第一开口中心圆周分布；旋转片盒，用于承托硅片，放置在旋转片盒放置槽内，旋转片盒底面设有正对于第一开口的第二开口，旋转片盒底面设有位于出气口上方的圆槽和圆周阵列在圆槽外周并与圆槽连通的多个倾斜槽；该装置能够避免出现由于反应室上开设有孔洞而对反应室的温场均匀性造成影响的问题。
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公开(公告)号：CN114032612B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202111348403.1
申请日：2021-11-15
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/16
Abstract: 本发明涉及权限控制技术领域，具体公开了一种外延设备的系统权限控制方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：在外延设备执行上料操作前，获取许可证的剩余可用时间；在剩余可用时间不足一个生长周期时，禁用上料操作的启动权限，生成续期提醒信息，并在加热组件及供气组件处于运行状态时，保持加热组件及供气组件正常运行；该方法在获知许可证的剩余可用时间不足一个生长周期时，发出续期提醒信息，避免用户未能及时续期而导致外延设备停机，同时禁用上料操作的启动权限，使得外延设备在该情况下不能继续进行上料，避免新的衬底置入反应腔内且用户未能及时进行许可证续期而导致该新的衬底生长失败的情况发生。
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